硅光技术正从“可选项”变为“必选项”。广发证券通信行业深度报告指出，硅光模块在全球光模块市场的份额将从2022年的24%增至2028年的44%。AI/ML推动光模块迭代周期从四年缩短至两年，800G需求在2025-2026年持续增长，1.6T光模块进入放量元年。传统分立式1.6T光模块需8颗单通道200G EML光芯片，而硅光方案仅需2个CW激光器（4通道共享1个激光器），成本优势显著（InP约1美元/Gbit/s vs 硅光目标0.3美元/Gbit/s）。在EML光芯片供给偏紧的背景下，硅光模块成为CSP厂商在多维度需求下Trade-off后的相对优解，硅光渗透率提升趋势明确。

根据LightCounting发布的硅光报告，使用硅光（SiP）技术的光模块市场份额将从2022年的24%增加到2028年的44%，六年内近乎翻倍。这一增长由AI/ML驱动的数据中心带宽需求爆发所推动。100G时代（2016年）光模块迭代周期约4年，而800G（2023年放量）到1.6T（2024年GB200发布带动）的迭代周期已缩短至2年。交换芯片方面，博通Tomahawk系列以每两年容量翻番的速度推出——Tomahawk 4（25.6Tbps）到Tomahawk 5（51.2Tbps）仅用两年。光模块作为数据中心网络架构的流量瓶颈环节，其升级速度被迫跟随交换机芯片加速。硅光凭借CMOS兼容性、高集成度和成本优势，成为满足更高速率需求的关键技术路径。

硅光模块与传统分立式光模块对比

对比维度	传统分立式1.6T模块	硅光1.6T模块
光芯片数量	8颗单通道200G EML	2个CW激光器（4通道共享1个）
单Gbit成本	约1美元/(Gbit/s)	目标0.3美元/(Gbit/s)
集成度	分立器件多	有源+无源器件高度集成
功率效率	基准	更优

硅光模块的成本优势在1.6T时代尤为突出。根据Marvell官网数据，一个传统分立式1.6T光模块需要8颗单通道速率200G的EML光芯片（磷化铟衬底），而硅光方案下，四个通道共享一个激光器，仅需2个更便宜的CW激光器即可运行。传统III-V族光芯片随速率提高面临信号失真、噪声加剧、无源波导损耗大等问题，且工艺复杂、成本较高。硅光方案则利用成熟CMOS工艺（通常45-180nm制程），工艺难度及成本相对较低。InP模块成本约为1美元/(Gbit/s)，难以进一步降低，而Intel预测未来硅光模块成本有望降低至0.3美元/(Gbit/s)。集成化设计减少芯片内部线路连接及封装环节，进一步降低系统成本。硅光模块同样为可插拔形式，保持传统光模块易维护升级、高环境适应性的优点。

2025年100G EML的行业供需仍然偏紧。需求侧，2024年800G需求较23年数倍增长，2025年国内外800G需求同比显著增长，伴随51.2Tb/s交换机芯片成熟及H系列芯片配套需求，100G EML需求持续旺盛。供给侧，100G EML光芯片国产化率总体较低，仍以Lumentum、博通、三菱、住友、II-VI等日美厂商供应为主，光芯片扩产需要一定周期（Lumentum正大力投资InP制造能力），供给侧偏紧张。自2024年下半年以来，800G或400G单波100G EML/100G VCSEL供给尤为紧张，多家光模块公司逐季度增加备货备料。龙头光模块公司硅光技术能力储备丰富，可用硅光方案缓解EML紧张，硅光模块成为弥补交付缺口的重要途径。

CSP厂商进行AI/ML网络建设时，需求往往是多维度的——高带宽、低延时、低功耗、稳定性、可维护性、可扩展、灵活性等。在这一背景下，设备间互联场景中硅光、LPO、CPO三个技术共同演进。LPO在800G时代面临标准化尚处早期、与传统模块互联互通存在技术挑战等问题；CPO对可靠性要求较高，大规模商用尚需时日（预计26-27年逐步渗透）。可插拔硅光模块是当下能够兼容可插拔的灵活性及可靠性优势，同时能够兼顾功耗刚需的相对优解。LightCounting预计硅光模块市场份额将从2022年24%增至2028年44%，我们判断硅光模块将在800G及1.6T时代加速渗透，尤其在1.6T光模块中渗透率将显著提升。

建议重点关注具备硅光芯片设计能力、硅光模块量产能力的厂商。国内光通信公司能力储备丰富，在硅光浪潮下仍具有重要产业链地位。关注方向包括：①具备硅光芯片设计和硅光模块量产能力的龙头厂商；②对光电封装理解深刻且具有相关技术储备的传统光模块厂商；③MPO/MPT/MMC、FAU等无源连接环节技术储备丰富、客户资源优质的公司；④具备CW大功率激光器芯片量产能力的厂商；⑤光学测试及耦合设备厂商。随着硅光模块渗透率从24%向44%迈进，产业链各环节均将受益。