东吴证券研报指出，华为海思在基带芯片领域是中国大陆最具标杆意义的国产化先锋。从2010年首款TD-LTE基带巴龙700到2019年全球首款支持SA/NSA双模的5G基带巴龙5000，华为历经多年持续研发，实现了从追赶到引领的跨越。巴龙5000集成于麒麟990 5G SoC，功耗比同期高通X55低30%。面向6G时代，华为规划天罡X3基带支持太赫兹频段，计划2026年量产。本文从发展历程、核心技术、6G布局三方面拆解华为海思基带。

华为基带团队的研发始于2000年初对通信技术的前瞻性投入。2004年全资子公司海思半导体成立后进入系统化发展阶段，2007年正式启动基带（BP）研发。2010年团队推出首款TD-LTE基带芯片巴龙700，支持LTE FDD/TD-LTE双模，正式进入商用终端领域。2012年巴龙710发布，成为业界首款支持LTE Cat.4的多模LTE终端芯片，首次集成在麒麟910 SoC中。2013年巴龙720支持LTE Cat.6，2015年巴龙750支持LTE Cat12/13。2018年，巴龙765集成于麒麟980 SoC，于华为Mate 20系列完成首秀，帮助华为冲进高端手机领域。2019年发布的巴龙5000是华为基带发展史上的里程碑——全球首款支持SA/NSA双模的5G多模芯片，集成于麒麟990 5G SoC，采用7nm EUV工艺，支持5G最高下载2.3Gbps/上传1.25Gbps，功耗比同期高通X55低30%。这一产品助力华为Mate 30系列成为5G标杆机型，确立了华为在5G基带领域的技术领先地位。

表：华为海思巴龙系列基带芯片演进

发布时间	产品型号	通信制式	制程工艺	集成AP
2010年	巴龙700	LTE TDD/FDD	—	—
2012年	巴龙710	LTE Cat.4	28nm HPM	麒麟910
2013年	巴龙720	LTE Cat.6	28nm HPM	—
2015年	巴龙750	LTE Cat12/13	16nm	麒麟960
2018年	巴龙765	LTE Cat.21 1.4Gbps	7nm	麒麟980
2019年	巴龙5000	5G 2.3Gbps/1.25Gbps	7nm EUV	麒麟990 5G

巴龙5000的技术突破具有里程碑意义。作为全球首款支持SA（独立组网）和NSA（非独立组网）双模的5G多模芯片，巴龙5000解决了5G初期组网模式不统一带来的兼容性问题。其7nm EUV工艺实现了较高的能效比，功耗比同期高通X55低30%，帮助华为在5G手机续航和发热控制上取得明显优势。巴龙5000集成于麒麟990 5G SoC，而非外挂方案，在功耗控制和信号稳定上优于同期外挂方案，体现了华为在5G基带集成技术上的领先地位。这一产品助力华为Mate 30系列成为5G标杆机型，推动了华为手机在5G时代的品牌溢价。巴龙5000的成功证明了中国大陆芯片设计企业有能力在基带芯片这一最高壁垒的通信芯片领域达到全球领先水平。与此同时，华为通过多年持续研发积累了庞大的通信专利组合，与高通等形成了交叉授权，在专利费用和研发自主性上具有显著优势。

面向6G时代，华为已规划天罡X3基带芯片。据行业信息，天罡X3将支持太赫兹频段，覆盖更高速率和更低时延的6G通信需求，计划2026年量产。太赫兹频段（0.1-10 THz）是6G通信的核心频谱资源，可提供远高于5G的传输速率和通信容量，但对基带芯片的信号处理能力、功耗控制和射频前端设计提出了更高要求。华为在太赫兹通信领域的提前布局，体现了其在基带芯片技术上的持续领先意图。天罡X3的研发将覆盖手机、智能汽车、物联网等多元场景，延续华为在通信技术上的全场景布局思路。作为全球少数具备5G基带芯片设计能力的厂商，华为在6G基带上的研发进展将成为中国通信芯片产业自主化进程的风向标。