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SESSION 36 Ultra-High-Density D2D.pdf

上传人: 张** 编号:620919 2025-03-31 343页 30.25MB

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本文介绍了在28nm CMOS工艺中实现的一个112Gb/s的0.61pJ/b PAM-4线性TIA,该TIA支持扩展PD-TIA的传输距离。主要内容包括: 1. 动机:随着数据吞吐量增加,光学链路的功耗也在增加,因此需要扩展PD-TIA的传输距离以降低功耗。 2. 扩展PD-TIA传输距离的线性TIA系统:该系统采用共封装光学器件,消除了重定时器,降低了功耗、延迟和成本,并提高了I/O带宽。 3. 线性TIA架构和创新:包括主动输入终止TIA、Q形CTLE和基于信号插值的S2D。 4. 测量结果:该TIA在28nm CMOS工艺中实现了112Gb/s的PAM-4信号,功耗仅为0.61pJ/b,支持扩展PD-TIA的传输距离。 5. 结论:该线性TIA系统在28nm CMOS工艺中实现了高性能和低功耗,适用于高速光学链路。
3nm技术如何实现超高速数据传输? 如何在28nm CMOS中实现线性TIA? 为什么共封装光学器件能降低功耗?
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