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SESSION 14 Compute-In-Memory.pdf

上传人: 张** 编号:620842 2025-03-31 299页 11.86MB

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本文主要介绍了在计算存储技术领域的一些最新进展,包括以下几个关键点: 1. 提出了一种异构的STT-MRAM计算存储单元(CIM),该单元采用自比较写终止(SCWT)技术,提高了写监测感测器的精度,同时保持了低功耗和高能效。 2. 提出了一种新的计算存储单元结构,将NMC用于μ-计算,IMC用于Δ-计算,实现了高能效和准确的推断。 3. 提出了一种2D夹钳电压缩放与感测器边际补偿技术(2D-CVS-SMC),提高了IMC的读出精度,同时降低了功耗。 4. 提出了一种多模式MX-INT-FP增益细胞CIM宏单元,该单元支持多种数据格式,包括整数、浮点数和微缩放格式,提高了计算的灵活性和能效。 5. 提出了一种非二进制补码乘法器(N2CMAC)方案,该方案支持非二进制补码格式,提高了计算的灵活性和能效。 6. 这些技术在22nm和16nm工艺上得到了验证,实现了高能效和准确的推断,同时保持了低功耗和高计算密度。
如何在计算存储中实现高能效和准确度? 如何利用STT-MRAM实现噪声容忍的贝叶斯神经网络? 如何设计多模式计算存储单元以提高能效和面积效率?
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