存储行业周期拐点已至，全面迎来上涨周期。DRAM颗粒价格自2025年3月中旬触底后强劲反弹，以DDR4 16Gb为例涨幅达40%；NAND Wafer价格反弹14.5%，SSD模组涨13.3%。2024年Q4以来美光、三星、SK海力士、铠侠等海外大厂陆续减产控产，2025年3月闪迪、美光、长江存储等相继发布涨价函。方正证券认为，存储行业供给收缩叠加下游需求复苏，周期上行趋势已全面确立，国内存储厂商有望迎来营收业绩快速提升。

DRAM&NAND价格指数自2023年9月触底后进入上行通道，受到下游需求不振、旺季不旺影响，指数于2024年4月下旬开始震荡下行。2024年第四季度以来海外大厂陆续减产控产，于2025年3月中旬开始触底反弹。

DRAM颗粒方面，以DDR4 16Gb(2Gx8)3200现货价为例，2025年3月13日价格为2.93美元，截至5月9日达到4.11美元，涨幅40%。DRAM价格弹性显著高于NAND，反映AI服务器对高带宽内存的强劲需求拉动，以及HBM产能挤占传统DRAM供给的双重效应。

NAND方面，Wafer端以TLC 512Gb为例，2月10日价格触及2.40美元底部后反弹，截至4月28日达2.75美元，涨幅14.5%。模组端SSD/256GB/SATA3从3月17日15美元涨至5月6日17美元（+13.3%），eMMC/128GB从6.4美元涨至6.8美元（+6.25%）。NAND价格从晶圆到模组全面上涨，验证行业回暖的广度。

利基存储（SLC NAND和DDR3/DDR4 4Gb以下产品）价格稳步小幅上涨，受益于海外大厂退出和下游需求复苏双重驱动。

SLC NAND自2024年Q2价格逐步企稳，Q3磨底结束后稳步上行。以Flash SLC 4Gb为例，较2024年最低点1.27美元，截至5月9日达1.64美元，涨幅29%。利基DRAM以DDR4 4Gb(512Mx8)为例，3月6日触底1.14美元，截至5月9日达1.41美元，涨幅23.7%。

海外大厂持续退出利基存储市场为国内IC设计公司释放了广阔空间。兆易创新2024年营收增长27.6%，归母净利润提升超500%；普冉股份营收增长34.3%，归母净利润大幅增长。利基存储龙头强者恒强格局逐渐形成。

2024年Q4以来海外大厂陆续宣布减产控产。美光调整NAND产能约减少10%，放缓节点迁移速度。三星西安工厂NAND产能减少超10%，晶圆产量从每月20万片降至17万片（-15%），韩国国内产线同步下调产能。SK海力士计划上半年将NAND总产能每个月30万片晶圆的产量减少10%。铠侠2024年12月已开始实施减产。

多厂商宣布涨价，涨价趋势全面确立。3月6日闪迪向客户发送涨价函，4月1日起涨价超10%，适用于所有面向渠道和消费类产品，并预告后续季度有额外涨幅。3月14日长江存储零售品牌致态宣布4月起面向渠道上调提货价格，幅度或将超10%。3月25日美光正式发布涨价函，指出存储市场有望在2025、2026年保持持续增长。三星电子、SK海力士等均将从4月起提高报价。

本轮存储周期上行具备更强的持续性基础。供给端海外大厂减产控产的协同性高于以往，美光、三星、SK海力士、铠侠均参与减产，有效缓解了2024年的供给过剩局面。

需求端AI服务器和端侧AI为存储带来了结构性增长动能。HBM产能持续紧张挤占传统DRAM产能，AI服务器对高容量eSSD需求旺盛，AI PC和AI手机对高带宽、低功耗存储提出新要求。国内云商资本开支大增进一步强化需求支撑。

周期上行持续性判断：存储价格从底部启动初期（2025年3-4月），后续涨价幅度和持续时间取决于海外大厂减产执行力度和下游需求复苏节奏。方正证券认为，在AI需求持续爆发和供给端协同控产的背景下，本轮存储周期上行有望贯穿2025-2026年。

存储价格触底反弹关键数据

产品类型	触底时间	触底价格	最新价格(2025.5)	涨幅
DDR4 16Gb DRAM颗粒	2025.3.13	2.93美元	4.11美元	+40%
NAND TLC 512Gb Wafer	2025.2.10	2.40美元	2.75美元	+14.5%
SSD 256GB SATA3	2025.3.17	15美元	17美元	+13.3%
eMMC 128GB 5.1	2025.3.11	6.4美元	6.8美元	+6.25%
利基DRAM DDR4 4Gb	2025.3.6	1.14美元	1.41美元	+23.7%
SLC NAND 4Gb	2024Q3	1.27美元	1.64美元	+29%