电子行业专题报告：AI驱动存储周期浪潮-251212（20页）.pdf

1、AI驱动存储周期浪潮一、AI存储周期深度分析：缺货涨价持续，2027或有转折点硬盘仍存储大部分数据，DRAM/NANDFLASH规模均超600亿机械硬盘自身瓶颈难以突破，AI浪潮唤醒“冷数据”转“温热数据”，SSD大敌崛起数字存储的演进：符合摩尔定律，每18个月存储单位价格下降1/2存储芯片：供需格局紧张，预计25Q4DRAM/NAND价格均环比提升，有望创历史新高二、投资建议及风险提示：端侧AI一触即发，拥抱第四次工业革命，关注AI产业链相关公司。端侧AI产品加速发布，处理器和内存是两大核心变化点。IDC定义AI手机算力须达30TOPS，微软定义AIPC算力须达40TOPS，以满足计算需求，

2、驱动处理器在手机及电脑单机价值量提升。同时，端侧设备参数量不断变大，内存将不断增加，下一代AI手机内存有望增长至1216GB，AIPC内存有望增长至16-32GB，存储芯片领域有望持续受益。此外，AI时代功耗增加是必然结果，配套电源管理及散热材料值得关注。相关公司包括江波龙(大容量存储)、澜起科技(存储接口芯片)、长电科技(先进封装)等。手机和PC需求温和复苏，看好“困境反转&龙头低估”企业。手机和PC等消费电子弱复苏，看好“困境反转&龙头低估”企业。我们认为26年智能手机和PC等消费电子呈现弱复苏，半导体龙头公司在行情来临时，有望获得较好的Beta收益，相关公司包括纳芯微(汽车模拟芯片)、卓

3、胜微(射频前端芯片)、韦尔股份(CMOS传感器)等。风险提示：下游需求不足风险；地缘政治风险；核心竞争力风险；估值风险等。一、AI存储周期深度分析：缺货涨价持续，2027或有转折点三大主流存储介质原理及特点：机械硬盘VSDRAMVS闪存机械硬盘主要通过磁头和盘片表面磁性物质的相互作用存储0,1的信息。机械硬盘主要由很多的盘片组成，而其存储信息的方式就是通过盘片表面的磁性物质来存储数据，利用磁极的不同来标记0,1，当磁头扫过盘面，通过感应电流就可以识别出不同状态，即读取数据；增强磁头的磁性，可以改变盘面记录单元的状态，实现写入数据。DRAM的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来标记二进制比特(b

4、it)的0,1。DRAM的基本单元主要由一个晶体管和一个电容组成，电容中有电荷代表“1”，没有电荷代表“0”。由于电容中的电荷会随着时间而慢慢泄露，所以需要周期性地进行“充电”Flash的最小存储单元是浮栅晶体管，利用导通特性对应记录不同状态。在存储单元晶体管的栅(Gate)中，注入不同数量的电子，通过改变栅的导电性能，改变晶体管的导通效果，实现对不同状态的记录和识别。(divcenter)图：三大主流存储介质的原理、特点及应用：各有千秋(/divcenter)硬盘仍存储大部分数据，DRAM/NANDFLASH规模均超600亿硬盘仍存储全球大部分数据，闪存存储容量迅速上升。从全球存储容量看，根

5、据IDC数据，2022年全球存储年新增总容量约为3.0ZB，预计到2025年全球存储年新增总容量将达到4.7ZB。2022年，58.0%数据由硬盘存储，而闪存、DRAM、磁带、光学存储器分别为30.5%、1.0%、7.0%、3.5%。根据IDC预测，2023-2028年全球生成数据量将增长3倍，2028年达到394ZB；但对比2005年的0.425ZB，仅约2%的数据被实际存储，“存储能力滞后于数据生成能力”的缺口显著。，从存储市场规模看，根据IDC数据，2024年机械硬盘市场规模约为180亿美元，占据总体市场的9.89%；根据Trendforce数据，2024年DRAM市场规模约为959亿美

6、元，占52.59%；根据Trendforce数据，2024年NANDFLASH市场规模约为656亿美元，占36.01%历史总结1：机械硬盘的市场规模和竞争格局根据IDC数据，2024年机械硬盘市场规模整体约180亿美元，占总体存储市场规模约10%，位列数字存储市场规模第三，据IDC数据，2024年HDD年出货量约为不到2亿个。据Statista数据，机械硬盘出货量196-2010年稳定增长，从1996年的1.05亿个增长至2010年的6.51亿个，达到历史最高点。随着存储器的更新送代，尤其是SSD（固态硬盘）技术的进步，机械硬盘的地位受到挑战，2011年开始出货量整体呈现下降趋势，据IDC数据