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eetop.cn_T2 - Fundamentals of DRAM I O Standards and Circuits.pdf

上传人: 张** 编号:620851 2025-03-31 72页 3.66MB

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本文主要介绍了DRAM I/O的基本原理和标准,以及如何通过各种技术手段来提高DRAM的I/O速度。主要内容包括: 1. DRAM I/O的应用场景,包括DDR、LPDDR、GDDR和HBM等。 2. DRAM I/O的信号和时钟技术,包括信号类型、时钟树设计、相位调整等。 3. 提高I/O速度的技术,包括通道均衡、训练和校准、链路保护等。 4. 当前和未来的DRAM技术,如DDR5、GDDR7、LPDDR6、HBM3/4等。 5. 提高数据带宽的两种途径:增加引脚数量或提高每引脚速度。 文中还提到了一些关键数据,如GDDR7的数据速率可达28Gbps/pin,LPDDR5的数据速率可达3.2~6.4Gbps/pin,HBM3的数据速率可达6.4Gbps。
如何在DRAM中实现高速I/O接口? 如何通过训练和校准提高DRAM接口性能? 未来DRAM接口技术将如何发展?
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