东吴证券报告提出，2025年为HBM国产大规模扩产元年。美国政府对HBM新制裁造成供给缺失，而国产GPU发展带来HBM需求快速增长，供需缺口推动国产HBM扩产成为必然。国内DRAM龙头2024年已量产HBM2并同步实现DDR5量产，HBM2E有望2025年量产。海外HBM管制收紧下，下游国产GPU客户导入意愿强劲，存储测试机、环氧塑封料、硅微粉等设备和材料环节迎来国产替代历史性窗口。

HBM（High-Bandwidth Memory）采用3D TSV堆叠技术实现超高带宽，是AI GPU训练和推理芯片的关键配套存储。全球HBM市场由SK海力士、三星、美光三家寡头垄断，美国BIS新规限制IBM 2及以上级别高带宽存储对华出口，三星约30% HBM芯片销售来自中国，受新规冲击显著。供给缺失叠加国产AI芯片放量带来的需求激增，形成结构性供需缺口。国内DRAM龙头HBM2已实现量产、DDR5同步量产，HBM2E进入研发收尾阶段，2025年量产确定性较高。

据路透社报道，BIS新规限制HBM2及以上级别存储芯片出口，三星、SK海力士对华HBM供应被大幅压缩。行业预估2025年全球HBM总需求约6-8亿GB，供给缺口约10%-15%。国产HBM扩产成为AI芯片供应链安全的必然选择。国内DRAM龙头合肥长鑫技术路线从HBM2向HBM2E演进，2024年HBM2量产、2025年HBM2E量产、2026年HBM3研发的目标路径清晰。HBM产线对晶圆级测试、老化测试、系统级测试的速率和精度要求较普通DRAM成倍提升，每万片对应资本开支明显增长，测试设备价值量显著提升。

据SEMI统计，2020年中国大陆半导体测试设备市场规模约91.4亿元，2015-2020年复合增长率29.3%，测试机占测试设备63.1%，存储测试机和SoC测试机分别占测试机品类44%和23%。存储测试机市场长期由泰瑞达UltraFLEX（测试速率10Gbps）、爱德万V93000 EXA Scale（12.8Gbps）主导。精智达CP测试机测试速率200Mbps、面向DRAM晶圆功能验证，FT测试机速率9Gbps、面向HBM封装后测试，单机成本约600万美元。国产设备在测试速率上与龙头仍有差距，但并行测试能力、通道数等指标已接近行业标准，2025年有望成为国产数字测试机全品类国产化开端。

HBM封装对环氧塑封料（EMC）和硅微粉的用量及品质要求较传统DRAM明显提升。HBM多芯片堆叠结构对封装材料的流动性、低应力、高可靠性提出更高要求，单颗HBM封装材料价值量较普通DRAM提升数倍。华海诚科为国内环氧塑封材料份额第一的供应商，联瑞新材为国内硅微粉领军企业，两者有望在HBM国产扩产中率先受益。此外，HBM2E配套的类CUBE堆叠DRAM方案在端侧AI场景亦存在差异化应用空间，端侧AI放量将进一步催化堆叠DRAM需求。

表：CP/FT测试机关键参数对比（精智达vs国际龙头）

测试机型号	测试对象	测试速率	通道数	市场定位	单机成本
精智达CP测试机	DRAM	200 Mbps（一代）	稳定，行业标准	DRAM晶圆功能验证	约200-300万美元
泰瑞达UltraFLEX	SoC/模拟/数字/混合	高达10 Gbps	可扩展至512通道	高端IC测试	视配置较高
爱德万V93000 EXA Scale	SoC/模拟/数字/混合	高达12.8 Gbps	可扩展至2048通道	高端SoC/混合信号	视配置较高
精智达FT测试机	DRAM/HBM	9 Gbps	支持多通道并行	高性能存储封装测试	约600万美元