什么是ccd？ccd传感器和cmos传感器的区别有哪些？

1.什么是ccd

CCD是一种光电电荷转换装置,通常以单列或二维阵列来排列,根据照射在其上的光线强度正比地发出电子信号。不同的材料、结构和制作工艺决定了CCD的不同性能,如在太阳X射线望远镜中采用的CCD必须满足对太阳X射线成像的需要,在X射线波段必须有足够高的量子效率,并满足视场角和分辨率的要求。

2.ccd传感器和cmos传感器的相同点

(1)这两种传感器检测光的方法完全相同。入射光子撞击硅原子，硅原子是半导体。当这样的事情发生时，原子中的一个电子被提升到更高的能级(轨道)，这被称为导带。硅通常表现得像绝缘体，所以它的电子不能到处移动。但是，当电子被提升到导带时，硅就像是金属一样，可以自由移动到其他相邻的原子。绝缘体变成导体的理由是。所以硅被称为半导体。在光学传感器中，这些当前可移动的电子称为光电子。

(2)两种类型的传感器都使用像素。一个像素是一个小的方形硅区域，用于收集和存储这些光电子。

3.ccd传感器和cmos传感器的区别

(1)信息读取方式：CCD电荷耦合器存储的电荷信息，需在同步信号控制下一位一位地实施转移后读取，电荷信息转移和读取输出需要有时钟控制电路和三组不同的电源相配合，整个电路较为复杂。CMOS光电传感器经光电转换后直接产生电流(或电压)信号，信号读取十分简单。

(2)噪点差异：由于CMOS每个感光二极体旁都搭配一个ADC放大器，如果以百万像素计，那么就需要百万个以上的ADC放大器，虽然是统一制造下的产品，但是每个放大器或多或少都有些微的差异存在，很难达到放大同步的效果，对比单一个放大器的CCD，CMOS最终计算出的噪点就比较多。

(3)耗电量差异：CMOS的影像电荷驱动方式为主动式，感光二极体所产生的电荷会直接由旁边的电晶体做放大输出;但CCD却为被动式，必须外加电压让每个像素中的电荷移动至传输通道。而这外加电压通常需要12伏特(V)以上的水平，因此CCD还必须要有更精密的电源线路设计和耐压强度，高驱动电压使CCD的电量远高于CMOS。

(4)成像质量：由两种感光器件的工作原理可以看出，CCD的优势在于成像质量好，但是由于制造工艺复杂，只有少数的厂商能够掌握，所以导致制造成本居高不下，特别是大型CCD，价格非常高昂。在相同分辨率下，CMOS价格比CCD便宜，但是CMOS器件产生的图像质量相比CCD来说要低一些。

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