《电子行业：4F2+CBA是国产DRAM大趋势-251130（42页）.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《电子行业：4F2+CBA是国产DRAM大趋势-251130（42页）.pdf（42页珍藏版）》请在三个皮匠报告上搜索。

1、分析师：分析师：王芳 S0740521120002，杨旭 S0740521120001，康丽侠S0740525040001证券研究报告证券研究报告日期：日期：20252025年年1111月月3030日日【中泰电子中泰电子】4F+CBA是国产是国产DRAM大趋势大趋势12nDRAM存在迭代瓶颈，存在迭代瓶颈，4F方案提供新路径。方案提供新路径。随着摩尔定律推进速度放缓，DRAM技术工艺面临诸多瓶颈，如工艺完整性、漏电、干扰等问题。4F方案作为通向3D DRAM新路径，采用垂直晶体管构建，预计0a节点后量产，有望大幅提升DRAM存储密度，解决现有技术难题，为行业发展带来新机遇。n4F架构：存储单元

2、结构创新，将晶体管与电容器垂直堆叠，从而突破传统平面架构的限制。架构：存储单元结构创新，将晶体管与电容器垂直堆叠，从而突破传统平面架构的限制。10nm代际之前，6F是DRAM的主要方案，目前DRAM正逐步向4F演变。与传统的8F和6F架构相比，4F架构将源极、栅极、漏极从水平改为垂直放置，在相同硅片面积内能够集成更多的存储单元，从而大幅提升存储密度。n4F优势：优势：1）有效节约面积：）有效节约面积：4F架构单元面积较6F架构缩减约30%；2）电子进出存储单元的效率更高：）电子进出存储单元的效率更高：在4F架构中，电流流经控制晶体管和接触点的路径更短，电阻更低；3）大幅减少漏电干扰：）大幅减少

3、漏电干扰：4F字元线与位元线的垂直连接较传统架构减少60%电力干扰；4）降）降低低EUV光刻成本：光刻成本：4F VG方案可将内存的EUV光刻成本比传统6F方案降低一半。n4F应用：应用：长鑫与国际三大厂均布局长鑫与国际三大厂均布局4F方案方案。相比传统架构，4F在性能上具有显著优势，长鑫存储、三星、SK海力士、美光等厂商均在积极推进4F DRAM研发，形成了各自的技术方案，有望推动该技术逐步落地应用。半导体设备制造商东京电子估计，采用VCT和4F 技术的 DRAM 将在 2027 年至 2028 年间问世。n4F架构创新架构创新+CBA工艺是大陆厂商提升存储密度的关键。工艺是大陆厂商提升存储

4、密度的关键。DRAM制程微缩难度大，目前制程迭代逼近10nm（1nm），必须使用EUV光刻机，并且目前DRAM的存储单元阵列和外围逻辑电路在同一片晶圆上生产，难度较大。4F+CBA生产工艺的新解决方法被提出，CBA技术将存储晶圆与逻辑控制电路晶圆分开制作，并利用混合键合方式进行堆叠。Yole预测未来CBA技术有望引入DRAM迭代路径，4F+CBA技术组合有望在2028年实现应用，成为头部厂商的主流选择。n投资建议：投资建议：国产DRAM有望采用4F2+CBA方案，该技术把DRAM逻辑和存储电路分别做到两片晶圆上，再通过混合键合方式集成，有望将逻辑晶圆部分进行外包。建议关注：1）逻辑代工：晶合集

5、成、中芯国际、华虹公司等。2）混合键合设备：拓荆科技、百傲化学。3）其他设备：北方华创、中微公司、微导纳米、精智达、中科飞测、精测电子、华海诚科、华海清科、京仪装备、骄成超声、芯源微、万业企业、盛美上海等。n风险提示：风险提示：新技术研发不及预期、产品落地不及预期、研报使用的信息滞后的风险。摘要摘要XVUYnRwOuNmMpRoNmPsOqM7N8Q6MmOoOmOnQfQrQtRkPoOoM9PoOuNMYsPuMvPpOtN目目 录录1、DRAM制程微缩面临瓶颈，制程微缩面临瓶颈，4F架构创新推动新发展架构创新推动新发展1.1 DRAM长期靠制程微缩提升存储密度长期靠制程微缩提升存储密度1

6、.2 DRAM制程微缩瓶颈凸显制程微缩瓶颈凸显1.3 4F存储单元架构创新助力存储单元架构创新助力DRAM密度再次提升密度再次提升2、NAND已使用已使用CBA工艺，工艺，4F DRAM使用使用CBA的趋势已凸显的趋势已凸显3、DRAM大厂积极推进大厂积极推进4F，海力士使用了类，海力士使用了类CBA技术技术4、投资建议、投资建议3来源：AMAT官网、Semianalysis、36氪，中泰证券研究所4nDRAM是易失性存储器，与是易失性存储器，与CPU/GPU等计算芯片直接交互，可以快速存储每秒执行数十亿次计算所需的信息。等计算芯片直接交互，可以快速存储每秒执行数十亿次计算所需的信息。DRAM