北方华创-半导体国产设备龙头刻蚀业务加速放量-210721（23页）.pdf

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1、定增接连落地稳步推进扩产能，扩大竞争优势。2020 年公司资本开支迅速增长，达到6.683 亿元，同增 290.5%，主要系公司发力高端设备，扩产项目持续推进所致。2019 年公司定增募集资金 20 亿元加码高端装备研发及高精密电子元器件扩产，其中 17.8 亿元投向“高端集成电路装备研发及产业化项目”，目标所指先进工艺关键集成电路装备的研发和产业化，2020 年，高精密电子元器件产业化基地扩产项目厂房建设完成，并交付使用。高端集成电路装备研发及产业化项目各项工作有序进行，集成电路装备创新中心楼主体结构完成封顶，将于 2021 年竣工并交付使用。2021 年，公司计划通过非公开发行方式再募资

2、85 亿元投入“半导体装备产业化基地扩产项目（四期）”、“高端半导体装备研发项目”和“高精密电子元器件产业化基地扩产项目（三期）”的建设，进一步提升现有高端集成电路设备的产业化能力，巩固主营业务的竞争优势，非公开发行项目已获得中国证监会受理。刻蚀是用化学、物理、化学物理结合的方法有选择的去除（光刻胶）开口下方的材料。被刻蚀的材料包括硅、介质材料、金属材料、光刻胶。刻蚀是与光刻相联系的图形化处理工艺。刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩蔽层，通过物理、化学方法将下层材料中没有被上层遮蔽层材料遮蔽的地方去掉，从而在下层材料上获得与掩膜板图形对应的图形。湿法刻蚀：用液体化学剂去除衬底表面的材料。早期普遍使

3、用，在 3um 以后由于线宽控制、刻蚀方向性的局限，主要用干法刻蚀。目前，湿法刻蚀仍用于特殊材料层的去除和残留物的清洗。干法刻蚀：常用等离子体刻蚀，也称等离子体刻蚀，即把衬底暴露于气态中产生的等离子，与暴露的表面材料发生物理反应、化学反应。刻蚀主要参数：刻蚀速率、均匀性、选择比（对不同材料的刻蚀速率比）、刻蚀坡面（各向异性、各向同性）应用最广泛的刻蚀设备是 ICP 与 CCP，技术发展方向是原子层刻蚀（ALE）。电容性等离子体刻蚀 CCP：能量高、精度低，主要用于介质材料刻蚀（形成上层线路）诸如逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、中段的接触孔刻蚀、后端的镶嵌式和铝垫刻蚀等，以及 3D 闪存芯片工艺（

4、氮化硅/氧化硅）的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。电感性等离子体刻蚀 ICP：能量低、精度高，主要用于硅刻蚀和金属刻蚀（形成底层器件）硅浅槽隔离（STI）、锗（Ge）、多晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅（StrainedSi）、金属导线、金属焊垫（Pad）、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像技术中的多道刻蚀工艺。ALE：技术发展方向，能精确刻蚀到原子层（约 0.4nm），具有超高刻蚀选择率。应用广泛。光刻技术中许多先进制程涉及多重图形技术。即使是 EUV，波长为 13.5nm，要实现 7nm的精度，仍需要依靠多重图形技术，即多次刻蚀。因此制程升级，精度越高，需要的刻蚀复杂度、步骤数量也在提升。所以刻蚀设备和化学薄膜设备成为更关键的设备。