金元证券功率半导体深度报告指出，新能源车正成为功率半导体增长的核心驱动力。据S&P Automotive预测，2024年纯电BEV市场为1100万辆，2030年将增长至3200万辆（CAGR 20%）。受益于高压-高功率化、材料迭代和SDV驱动，BEV半导体单车BOM将从2024年的1300美元增长至2030年的1650美元（高端车型或至2500美元）。IGBT功率模块在电机控制器中发挥核心作用，不同车型价值量差异显著，A00级600-900元，豪华电动达4000-5000元。中国新能源车出货量占比超50%，但车规级功率半导体市占率与销量存在较大差异。

受益于高压-高功率化（400V→800V、双/三电机）、材料迭代（Si→SiC）、SDV驱动（车身12-48V负载激增），英飞凌预测BEV半导体单车BOM将从2024年的1300美元增长至2030年的1650美元（高端车型或至2500美元）。除了驱动系统对高功率需求外，ADAS、舒适性及安全性同样推升单车BOM。

牵引逆变器是功率半导体价值量最高的单一模块，1200V SiC MOSFET和IGBT功率段显著提升。OBC方面，Si→GaN（22kW OBC）趋势明确。车身低压领域，12V→48V升级带来低压MOSFET数量需求激增。

IGBT功率模块直接控制直交流电转换，对交流电机进行变频控制，决定驱动系统扭矩和最大输出功率，堪称核心之“芯”。A00/A0级EV代步车IGBT价值量600-900元；A级及以上15万两驱车1600-1900元；20-30万四驱车3600-4500元（含2个电控模块）；豪华电动（特斯拉Model 3）SiC模块4000-5000元。

商用车方面，8米大巴3000-3600元（四驱6个模块），10米大巴约4200元。OBC、空调压缩机、电子助力转向等子系统合计占比约25%-30%。从销量结构看，20万以下车型占比从2020年的66%提升至2024年的68%，中低端车型IGBT成本较低，使用SiC的可能性较低。

中国新能源车出货量自2022年以来稳定在50%以上，2024年单月出货量接近60%。全球车规级半导体市场由2019年的372亿美元增长至2024年的683.8亿美元。但车规级功率半导体集中度远高于功率半导体分立器件及模块，Top3分别为英飞凌（29.20%）、意法半导体（20.10%）、德州仪器（10.10%）。国内市占率与新能源车销量产生较大差异，国产替代空间广阔。

传统12V车载低压系统已难以支撑下一代汽车（特别是自动驾驶与区域E/E架构）对功率的激增需求，必须升级到48V低压平台。48V MOSFET、SiC高压DC/DC、智能驱动IC市场规模将随电动车及L3+自动驾驶同步扩张。

表2：不同车型IGBT价值量对比

车型	电控/模块方案	电控中功率模块价值量	单车IGBT价值量
A00/A0 EV代步车	1个模块	600-900元	1200-1500元
15万级两驱车	单电控（1个模块）	1000-1300元	1600-1900元
20-30万四驱车	四驱（2个模块）	2000-2600元	3600-4500元
豪华电动（特斯拉Model 3）	SiC模块	4000-5000元	—
8米大巴	四驱（6个模块）	2700-3000元	3000-3600元