招商证券2025年3月发布的存储行业深度报告指出，经过连续多个季度的价格下行，NAND Flash市场正迎来关键转折。512Gb TLC NAND Wafer现货价格在2月实现环比正增长，DDR5价格涨幅扩大至4%以上，存储原厂减产效应与去库存成果同步显现。本文基于现货价格、库存水位、原厂资本开支和模组厂商指引，系统分析NAND价格拐点的信号验证与后续演绎路径。

NAND Flash Wafer价格在过去数个季度的持续下跌是存储行业最突出的"逆风"。需求端，除数据中心企业级SSD保持旺盛外，消费类NAND（嵌入式存储、移动存储、渠道SSD）复苏节奏持续低于预期；供给端，NAND行业竞争格局较DRAM更为分散——三星、SK海力士（含Solidigm）、铠侠、西部数据、美光五大原厂市场份额相对均衡，缺乏DRAM市场中三星、SK海力士、美光三家高度集中的"默契"减产能力，导致过剩产能去化节奏明显慢于DRAM。但这一局面正在发生结构性变化。2025年2月，512Gb TLC NAND Flash Wafer现货价格录得2.42美元，环比微涨0.41%，这是自2024年下半年持续下跌以来首次出现的月度环比正增长。同期DDR5 16G现货价格4.9美元，环比涨幅扩大至4.25%，高端DRAM与NAND的价格分化仍在持续，但NAND价格的止跌企稳本身就是重要的底部信号。招商证券认为，NAND价格的边际改善不是偶然，而是供给侧减产、库存去化和需求复苏三重力量共振的结果。

NAND价格拐点的首要驱动力来自供给侧的结构性收缩。三大存储原厂在2025年的资本支出规划中展现出高度一致的"偏科"特征——聚焦HBM、eSSD等高端存储器扩产，对NAND尤其是消费类NAND的资本支出维持保守甚至削减。三星2025年致力于优化产品组合以提升盈利能力，扩产聚焦HBM等高端存储器，预计HBM位元供应量同比翻倍增长，但对NAND延续减产措施。美光2024财年资本支出81亿美元，预计2025财年140±5亿美元，主要用于1β和1γnm节点DRAM投资，但公司将放缓NAND节点升级进度并可能削减NAND资本开支。SK海力士2025年整体资本支出同比增长有限，但用于HBM新产线基础设施的支出同比显著增长，NAND产能提升相对有限。三大原厂在NAND上的"集体克制"意味着2025年NAND位元供给增速将明显低于DRAM，供需剪刀差有望在2025年上半年收窄。2022-2024年的产能集中释放周期已经结束，NAND供给侧正在从"过剩"向"平衡"过渡。

库存是判断价格拐点的"滞后确认指标"，也是验证供需改善真实性的关键证据。美光和SK海力士的库存在2023年Q1-Q2达到峰值，经过连续6-8个季度的去化，当前库存周转天数已基本降至约150天的健康水位。美光在最新财报中明确表示，消费导向型细分市场的客户库存正在持续减少，预计近期客户库存将达到健康水位。SK海力士则采取了更为主动的策略——针对DDR3、DDR4等传统产品缩减产量，针对NAND产品灵活调整产量，将重点放在库存水平恢复正常上。模组厂商层面，群联电子库存已从峰值约320亿新台币降至目前约240亿新台币，周转天数连续多个季度改善。更为关键的是前瞻性指引的变化——群联表示未来四个月将主动增加库存，以应对NAND Flash需求和价格上涨趋势。这一表态意味着行业最悲观的时候已经过去，头部模组厂商正在从"被动去库存"转向"主动补库存"。

综合供给侧收缩、库存去化和需求复苏的三重逻辑，招商证券判断NAND价格拐点的节奏如下：短期（2025年Q1-Q2），NAND Wafer价格将从"跌多涨少"过渡至"涨跌互现"，部分低容量产品价格率先企稳；中期（2025年Q2-Q3），随着原厂减产效应充分传导和消费类季节性需求回暖，NAND价格有望迎来明确拐点，中国台湾存储模组厂商普遍预期25Q2将是部分存储产品价格的明确拐点；长期（2025年下半年），在AI PC和AI手机渗透率提升的拉动下，消费类NAND需求有望迎来结构性增长，价格修复空间将进一步打开。威刚2月DRAM模组和SSD营收均环比增长超20%，公司表示渠道厂商备货意愿提升，存储行业景气度25Q1见底。对于存储模组厂商而言，价格拐点的到来将直接带动毛利率从当前低位回升——前期高价库存消化的拖累将逐步消除，新采购低价晶圆与回升的成品价格之间的价差将重新扩大。

2025年2月存储现货价格分类涨跌幅

产品类别	现货价（美元）	环比涨跌幅	价格趋势
DDR5 16G（2G8）	4.90	+4.25%	强势上行
DDR4 16G（2G8）	2.95	-5.14%	持续承压
DDR4 8G（1G8）	1.45	-1.46%	弱势震荡
DDR3 4G（512M8）	0.77	0%	底部盘整
512Gb TLC NAND Wafer	2.42	+0.41%	边际改善