中国存储芯片产业正经历从“技术追赶”到“市场份额提升”的关键阶段。多家券商联合报告指出，长江存储已跻身全球第六大存储器厂商，三星电子与长江存储签署3D NAND混合键合专利许可协议；长鑫存储DDR5/LPDDR5已量产，预计2025年底月产能将扩至30万片（占全球15%）。企业级SSD市场中，国产厂商忆联（22%）、浪潮（4.1%）、大普微（6.4%）等份额逐步提升。本文从存储颗粒、主控芯片、存储模组三个维度分析国产存储芯片替代的最新进展。

长江存储是中国NAND闪存产业的领军企业。根据WICA预测数据，长江存储在2024年全球存储器厂商排名中已跻身全球第六。2024年12月，长江存储致态发布首款PCIe 5.0旗舰产品TiPro9000，顺序读取速度高达14000MB/s、写入12500MB/s，接近PCIe 5.0接口理论上限。更值得关注的是，三星电子近期与长江存储签署了3D NAND混合键合技术专利许可协议，以便从第十代（V10）NAND产品开始使用该专利技术，三星评估认为从下一代V10已无法避免长江存储专利的影响。长江存储基于Xtacking架构构建的三维闪存自主技术体系，通过将外围电路与存储单元分别在两片晶圆独立加工后键合，实现芯片面积减少约25%、I/O速度更快、生产周期缩短20%。国内NAND产业链配套方面，德明利自研主控芯片TW8581已导入移动存储模组产品，平头哥、忆芯科技、联芸科技等在PCIe 5.0主控芯片领域积极布局。

长鑫存储是中国最大的DRAM厂商。2023年11月，长鑫存储推出LPDDR5系列产品（12Gb颗粒、12GB/6GB芯片），已在小米、传音等国产手机品牌完成上机验证，并向16GB迭代。长鑫存储DDR5产品也已量产，打破了海外厂商在高端DRAM的垄断格局。产能方面，预计到2025年底长鑫存储月产能将进一步扩大至30万片，占全球DRAM总产能的15%。在DRAM市场高度集中（三星/海力士/美光合计94.8%）的格局下，长鑫存储的扩产将对现有寡头垄断格局形成挑战。利基型DRAM方面，国内厂商北京君正（ISSI）在车规DRAM领域具备竞争力，兆易创新与长鑫存储深度合作聚焦利基型DRAM市场。

企业级SSD是国产存储替代的重要增量市场。根据IDC数据，2023年中国企业级SSD市场中，国内主要供应商忆联（占22%）、大普微（6.4%）、浪潮（4.1%）、忆恒创源（2.9%）逐步提升市场份额，国产替代进程在政策推动下加速。国内企业在企业级SSD的颗粒、主控芯片和模组环节均有布局。颗粒端，长江存储已逐步推出TLC、QLC闪存颗粒并推出企业级SSD产品，接近海外主流水平。主控端，德明利推出支持PCIe 5.0的企业级SSD产品，联芸科技等也在积极布局。模组端，江波龙推出PCIe 4.0 NVMe SSD和SATA 3.2 SSD产品，通过严格兼容性测试；佰维存储在企业级SSD模组方面加速发展，预计2024年企业级存储收入约9亿元。政策端，《工业和信息化部等十六部门关于促进数据安全产业发展的指导意见》加速了国产企业级SSD的导入窗口期。

存储模组环节，国内厂商在嵌入式存储、消费级存储、工车规存储等领域取得显著进展。佰维存储构筑研发封测一体化模式，嵌入式存储进入OPPO、传音、摩托罗拉等手机客户，PC SSD进入联想、宏碁、HP等厂商，AI眼镜领域已进入Meta、Rokid、雷鸟、闪极等供应链（为Ray-Ban Meta提供ROM+RAM芯片），2024年智能穿戴存储收入约8亿元（同比大幅增长）。江波龙在企业级SSD模组方面进展显著，推出支持PCIe 4.0的Longsys ORCA4836系列NVMe SSD和Longsys UNCIA3836系列SATA 3.2 SSD产品。德明利自研主控芯片TW8581已导入移动存储模组产品，并推出支持PCIe 5.0的企业级SSD。随着长鑫存储和长江存储产能释放，国产模组厂商的原材料供应安全和成本优势将持续增强，国产替代进程有望加速。

国产存储产业链关键环节与代表厂商

产业链环节	代表厂商	产品/进展	国产化阶段
NAND颗粒	长江存储	Xtacking 4.0架构、TiPro9000（14000MB/s）	全球第六，三星签署专利协议
DRAM颗粒	长鑫存储	LPDDR5/DDR5量产、月产能将达30万片	全球产能占比将达15%
主控芯片	德明利/联芸科技	PCIe 5.0主控、TW8581	导入模组产品
存储模组	佰维存储/江波龙	ePOP/AI眼镜存储、企业级SSD	导入Meta/OPPO/联想等