国金证券2025年2月发布的AI系列深度报告（二）指出，光刻胶作为光刻工艺核心材料，是半导体制造中技术壁垒最高的材料之一。国内光刻胶市场规模从81.4亿元增至114.4亿元（CAGR 7%），但产能以PCB光刻胶为主（占比超90%），半导体光刻胶g/i线国产化率不足30%、KrF不足5%、ArF不足1%。AI驱动的半导体需求增长有望加速高端光刻胶国产化进程，具备ArF/KrF量产能力的本土企业迎来发展契机。

光刻胶由成膜剂、光敏剂、溶剂和添加剂等组成，是微细加工技术的关键材料。光刻胶按应用领域分为半导体用（g线、i线、KrF、ArF等）、平板显示用和PCB光刻胶三大类。核心技术包括配方技术和质量控制技术——配方技术决定光刻胶功能实现，质量控制技术保障性能稳定性。一块半导体芯片在制造中需进行10-50道光刻工序，不同基板、分辨率要求和蚀刻方式对光刻胶有不同要求，具体产品差异通过调整配方实现，因此配方技术是光刻胶生产企业的核心壁垒。

根据中商产业研究院数据，2019-2024年国内光刻胶市场规模由81.4亿元增至114.4亿元（CAGR 7%）。但我国光刻胶产能以PCB光刻胶为主（占比超90%），半导体光刻胶产能严重不足。日本企业占据全球光刻胶多数份额，在EUV光刻胶领域东京应化、信越化学、JSR、住友化学占据几乎全部市场。半导体光刻胶按制程节点分为g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF干法（193nm）、浸没式ArF（193nm）和EUV（13.4nm）六代，制程越先进技术壁垒越高。

根据ACMI数据，当前G/I线光刻胶国产化率不足30%、KrF不足5%、ArF不足1%。国内企业正加速突破：南大光电三款ArF光刻胶已通过客户认证实现销售，上海新阳I线/KrF在超20家客户端测试、ArF浸没式多款产品在晶圆制造企业测试验证，晶瑞电材年产1.1万吨半导体/平板显示用光刻胶项目部分建成（含300/400吨ArF/KrF产线）。AI驱动的国产替代进程正在加速，高端光刻胶本土化空间广阔。

主要半导体光刻胶国产化率及代表企业进展

光刻胶类型	曝光波长	制程节点	国产化率	代表企业进展
g线	436nm	0.5μm以上	<30%	晶瑞电材、容大感光量产
i线	365nm	0.5-0.35μm	<30%	晶瑞电材、上海新阳量产
KrF	248nm	0.25-0.15μm	<5%	上海新阳、晶瑞电材多款量产
ArF干法	193nm	65-130nm	<1%	南大光电3款通过认证
ArF浸没式	193nm	7-65nm	<1%	上海新阳多款测试验证