CPO有望2027年大规模商用、台积电2nm 2025年下半年量产、HBM正向16层堆叠演进——2025 SEMICON Taiwan揭示了AI驱动下半导体行业的三大技术趋势。华泰证券指出，多芯片互联、先进工艺代工、近存计算是实现AI大规模计算的关键技术，台积电有望继续享受量价齐升红利。

多芯片互联是实现AI算力扩展的关键。随着AI系统架构从ScaleUp向ScaleOut演进，并扩展至数据中心间的大规模集群互联，传统铜互连的信号衰减与功耗问题日益凸显。

CPO降低30%功耗：英伟达在展会上表示，CPO和插拔式光模块相比可减少约30%能量损耗。2025年3月英伟达发布支持CPO的Spectrum-X Photonics和Quantum-X交换机。

台积电COUPE平台：台积电推广集成硅光CPO的COUPE平台，目前已Ready for Design。第一代1.6T光学I/O已就绪，下一代平台目标2026年3.2T、2027年6.4T，能效提升30%-40%。预计2026年底至2027年商用，首先应用于数据中心交换机和AI服务器光互联。

CoPoS封装演进：CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）新兴2.5D集成封装技术，可实现更大尺寸封装，摆脱对ABF载板依赖。台积电计划2026年建试点生产线，2027年商用部署，规模化商用或延至2028-2029年。

台积电N2 2025H2量产：2nm将成为首个采用GAA的技术节点。后续A16（1.6nm）导入背面供电技术，预计2026-2027年量产，有望成为AI芯片厂商重要技术平台。

背面供电成趋势：AMAT指出背面供电通过前端信号线与背面电源线分离，可实现20-30%的IR压降改善，减少功耗浪费。

深沟槽技术：LAM在NAND通道孔蚀刻领域优势地位，正将高深宽比刻蚀技术扩展到逻辑芯片；TEL通过低温刻蚀新技术挑战LAM优势地位。

HBM是AI计算关键技术：海力士指出HBM3E通过200%带宽提升和40%功耗优化解决“内存墙”瓶颈。HBM正向16层（HBM4/HBM4E）演进。

CUBE边缘AI方案：华邦电提出TSV+Microbump工艺3D堆叠方案，在50mm²内提供128GB/s带宽，传统LPDDR4需8个芯片，CUBE仅需1-2个。

开源RISC-V：Jim Keller“黑洞”芯片采用140个RISC-V处理器阵列，通过Chiplets模块化制造更小更便宜的芯片，显著降低系统复杂度。

看好台积电（先进工艺+先进封装双轮驱动，2025-2027E归母净利同比+30.2%/+19.1%/+18.5%）。产业链相关：TEL/Advantest/ASMPT（设备）、华邦电/兆易/芯原（近存计算）。