一、光互联技术概述与演进
1.1 铜缆与光互联技术对比(DAC/AEC/传统光模块/LPO/CPO)
智算中心数据吞吐量激增,对底层互连提出新挑战。传统无源铜缆(DAC)在224Gbps时传输距离仅1米,功耗极低但距离受限;传统可插拔光模块含DSP芯片,800G功耗约15-30W,传输距离达数十公里,技术成熟度高,2026-2028年仍是主流。LPO(线性可插拔光学)去除DSP芯片,功耗降低50%以上(800G约8.5W),时延降低50%-90%,已进入大规模部署,2026-2027年预计大规模放量。CPO(共封装光学)将光引擎与交换芯片封装在同一基板上,传输距离为毫米级,功耗降低30%-80%(1.6T约9W),带宽密度极高(可达1Tbps/mm),预计2027-2028年开始规模落地。光互联技术凭借高带宽、低时延、低功耗优势,正成为AI基础设施的核心变量。

1.2 光互联技术演进路径(可插拔→LPO→CPO/NPO/XPO)
光互联技术正从传统的可插拔光模块向更高集成度、更低功耗形态演进。LPO通过去除DSP芯片降低功耗与成本,是当前过渡阶段的主力;CPO将光引擎与交换芯片共封装,实现毫米级光连接,显著降低功耗并提升带宽密度;NPO(近封装光学)介于传统模块与CPO之间,兼顾灵活性与功耗优化;XPO(外置光源可插拔光学)为高密度升级提供新路径。硅光技术已进入规模化应用(渗透率超50%),正加速向超大规模集成演进;薄膜铌酸锂打破良率瓶颈,加速量产。多技术路线互补共生,共同推动行业向高速率、低功耗、高集成方向迭代。

二、全球光互联市场空间与增速
2.1 以太网光模块及CPO(100G及以上)市场规模及预测
AI算力爆发式增长是光通信行业发展的核心驱动力。LightCounting数据显示,以太网光模块(100G及以上)及CPO的市场规模在2025年已达165亿美元,预计2026年同比增长65%,2031年将超过500亿美元。2026年800G光模块需求预计保持高速增长,1.6T出货规模快速提升,3.2T光模块研发已正式布局。速率迭代周期已从每4年翻倍缩短至每2年翻倍,光互连成为唯一能够满足数据中心复杂架构下带宽需求的互联方案。

2.2 全球光互联市场规模预测(2024-2030E)
Scale-up网络驱动光互连行业高景气发展,要求超高带宽、超低延迟。据LightCounting与灼识咨询数据,全球光互联市场规模有望从2024年的179亿美元攀升至2030年的1514亿美元,年复合增长率高达42.8%。AI训练与推理算力需求增加、数据中心扩张推动光互连技术向多路径并行演进,高速光模块向800G、1.6T、3.2T快速迭代,OCS光交换机、CPO光电共封装等新技术加速落地。

2.3 全球数据中心光互联市场规模预测(2024-2030E)
数据中心是光互联的核心应用场景。2024年全球数据中心光互联市场规模约137亿美元,预计2030年将增长至1444亿美元,对应年复合增长率48.1%,增速高于整体光互联市场。数据中心内部互连带宽从400G向800G、1.6T演进,GPU与光模块配比持续扩大——GPT-3时代XPU:光模块=1:2,GPT-4提升至1:3,未来百万XPU集群可能达1:10,光学互连将迎来重要增长契机。

2.4 全球激光器芯片市场规模预测(2024-2030E)
光互联高速发展带动上游激光器芯片市场爆发。全球激光器芯片市场规模预计由2024年的26亿美元增长至2030年229亿美元,年复合增长率44.1%。其中数据中心领域贡献主要增量,2024年市场规模16亿美元,预计2030年达到211亿美元,年复合增长率高达53.4%。EML与CW激光器芯片占据主要市场份额,2024年两类高端芯片合计9.7亿美元(占比38.1%),随着800G、1.6T及以上高速方案快速渗透,到2030年预计合计收入将达208亿美元,年复合增长率66.6%,市场占比将达90.9%。

2.5 EML与CW激光器芯片合计市场规模预测
EML激光器芯片作为早期开发方案,在400G及以上产品中广泛应用;硅光方案渗透率提升则配套大功率CW激光器芯片。据LightCounting与灼识咨询预测,两类高端芯片合计市场规模将从2024年的约9.7亿美元快速增长至2030年的约208亿美元,年复合增长率高达66.6%。其中CW光源因硅光方案占比超50%而需求激增,成为增速最快的细分品类。

2.6 不同功率CW激光器芯片市场规模预测
NPO及CPO驱动激光器芯片向大功率CW方向升级。当前主流400G、800G光互连产品中,50mW、70mW、100mW为成熟型号;下一代NPO/CPO技术推动150mW、300mW、400mW更高功率规格落地。从增速看,50mW及以下产品2024-2030年CAGR为62.5%,70mW及100mW主力产品CAGR高达127.2%,100mW以上大功率高端CW芯片CAGR更是达到276.2%。大功率CW光源成为光互连产业链中增速最陡峭的环节,反映技术迭代对上游芯片性能要求的持续提升。

三、未来趋势——Scale-up、OCS/CPO与速率迭代
3.1 Scale-out和Scale-up网络架构示意图
目前光模块主要需求来自Scale-out网络(横向扩展,通过增加计算节点数量提高整体处理能力),大型集群多超万卡规模。Scale-up网络(纵向扩展,在单个计算节点中增加GPU/XPU数量)未来光模块需求空间广阔。当前Scale-up网络因互联距离较短仍使用铜连接,但随着信号传输速率进一步提升、互联规模扩大,光互联优势将逐步显现。行业内平均Scale-up带宽(约10Tbps)显著大于Scale-out带宽(800Gbps),比例达12.5:1,未来光互联大概率成为Scale-up领域主流解决方案。

3.2 Scale-up领域铜到光的转换趋势
随着Scale-up domain逐步增加至36/64/72,信号传输带宽不断提升,电信号在金属介质中传输距离受限,同时产生大量热量、功耗更高,影响GPU和交换机芯片性能。光互联能够解决距离、带宽等瓶颈。谷歌、Meta和华为已开始用光模块搭建Scale-up网络。若未来Scale-up领域全部采用光模块,市场空间可能是现在的5-8倍。例如英伟达Blackwell平台Scale-up带宽7.2Tbps,是Scale-out的9倍,若采用两层fat-tree架构,单个GPU与800G光模块比例可达1:36,增量空间极为广阔。

3.3 英伟达GPU平台演进roadmap
英伟达产品升级周期已压缩至1年一代。2023-2024年Blackwell平台配置1800GB/s NVLink5、800G CX8网卡、51T Spectrum5交换机;2025-2026年Rubin平台升级至3600GB/s NVLink6/7、1.6T CX9网卡、102T Spectrum6 CPO交换机;2027-2028年Feynman平台将采用NVLink8、204T Spectrum7 CPO交换机及CX10网卡。谷歌TPU亦同步迭代,从V2到V7 Ironwood,ICI带宽从800GB/s升至1200GB/s,光模块从400G OSFP升级至800G OSFP(单通道200G),并大规模部署OCS交换机。头部厂商的roadmap清晰表明,光互联速率将每2年翻倍,CPO与OCS将成为下一代数据中心网络的核心架构。

3.4 光互联技术向硅光/CPO/OIO方向迭代演进
为应对功耗与带宽密度挑战,光互联技术正向硅光、CPO(共封装光学)、OIO(光输入输出)方向演进。硅光凭借集成度和成本优势,渗透率持续提升,是CPO的主要技术路径;薄膜铌酸锂打破良率瓶颈,加速规模量产,适用于高速调制;OCS(光电路交换)在AI集群中替代部分电交换,实现低时延、低功耗的动态重构网络,预计2027年开始起量。CPO交换机端口设备市场需求正加速启动,DellOro预测到2028年CPO技术将占据数据中心交换机光接口市场重要份额。技术路线持续演进将不断衍生设备更新替代需求,光设备市场存超预期可能。

四、