我国对电驱动用SiC半导体开关器件未来规划情况分析

1、2025年SiC半导体开关器件未来规划分析

总体目标：sic MOSFET关键性能与国际先进水平的差距缩小到一代以内;突破芯片新型结构设计以及先进工艺技术;实现耐高温、低损耗Sic MOSFET芯片产业化。

关键指标：SiC MOSFET关键性能达到国际先进水平;提升芯片结构设计以及工艺技术水平;进一步提升耐高温、低损耗SiC MOSFET芯片产业规模。

关键技术：SiC MOSFET关键性能与国际最高水平相当;芯片结构设计以及工艺技术水平进一步提升;实现耐高温、低损耗SiC

MOSFET芯片大规模产业化。

2、2030年SiC半导体开关器件未来规划分析

总体目标：击穿电压登记达到650v~12000v;单芯片导通电流达到150A;芯片电流密度达到450A/cm2;芯片最高工作结温达到225℃。

关键指标：击穿电压登记达到650v~1500v;单芯片导通电流达到250A;芯片电流密度达到600A/ cm2;芯片最高工作结温达到250℃。

关键技术：击穿电压登记达到650v~1700v;单芯片导通电流达到400A;芯片电流密度达到80OA/cm2;芯片最高工作结温达到275℃。

3、2035年SiC半导体开关器件未来规划分析

总体目标：耐高温、低损耗SiC MOSFET芯片设计;高电子迁移率、高可靠Sic MOS栅氧介质形成工艺;sic MOS沟槽栅形成工艺高温封装材料与封装工艺技术。

关键指标：耐高温、低损耗SiC MOSFET芯片设计;高电子迁移率、高可靠Sic MOS沟槽栅氧工艺和橘氧拐角电场平缓技术;高深宽比、高可靠性Sic MOS沟槽栅氧工艺和栅氧拐角电场平缓技术;高温封装材料与封装工艺技术。

关键技术：耐高温、低损耗SiC MOSFET芯片设计;高电子迁移率、高可靠SiC MOS沟槽栅氧工艺和栅氧拐角电场平缓技术;高深宽比、高可靠性SiC MOS沟槽栅氧工艺和栅氧拐角电场平缓技术;高温封装材料与封装工艺技术。

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