宽禁带半导体(SiC)动态可靠性测试的挑战_NI.pdf

上传人: p****n 编号:614101 2025-02-19 39页 2.61MB

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本文主要探讨了宽禁带半导体(SiC)动态可靠性测试的挑战及NI大客户经理杨堃提出的解决方案。关键点如下:1. 功率半导体的趋势:硅基晶体管和IGBT得到广泛应用,而更高的电压、电流、热性能、更少的能量损失、更快的切换速度、更小的尺寸和重量成为未来需求。2. SiC可靠性:SiC从研究到市场用了20多年,第一款商业化的碳化硅肖特基二极管于2001年问世。3. 动态栅极应力测试:该测试模拟器件栅极不断开启关断的过程,以评估其长期漂移特性。4. 动态高温高湿反偏测试:该测试模拟器件在高湿环境和高压下的老化过程。5. NI动态可靠性测试方案:该方案包括自动化测试、软件可配置、标准化测试接口板等,可遵循AQG324等标准。6. 测试服务:提供测试设置和执行的工程支持,定制化服务,以及相近测试报告。
"宽禁带半导体动态可靠性测试挑战有哪些?" "如何优化碳化硅器件的动态栅极应力测试?" "动态高温高湿反偏测试在电力电子认证中的应用如何?"
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