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重新定义电源:VIPerGaN65 65W超薄适配器配备双Type-C输出.pdf

上传人: 表表 编号:599420 2025-01-24 31页 2.86MB

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该文章主要介绍了意法半导体(ST)的氮化镓(GaN)电源解决方案,包括不同型号的GaN HEMT器件和相应的电源适配器参考设计。文章强调了GaN技术在提高电源效率、功率密度以及降低EMI方面的优势。关键数据包括: 1. GaN HEMT器件的输入电压范围为90-264 VAC,频率47-63Hz。 2. 提到的GaN HEMT器件具有高开关频率,能够实现高功率密度,例如VIPerGaN65PD在230Vac输入下的效率达到92.2%。 3. GaN技术有助于减少电源杂散电感带来的影响,例如VIPerGaN65在180Vac输入下的效率为90.59%。 4. 文章还提到了ST的QR反激控制器、同步整流控制器以及MasterGaN等关键组件,用于构建高效、高功率密度的电源解决方案。 5. 基于GaN的电源适配器在满载条件下的效率数据,如EVLVIPGAN50PD在5V输出时的效率为83.32%,在9V输出时为86.99%。 综上所述,ST的GaN电源解决方案旨在提供高效率、高功率密度以及优良的EMI性能,以满足现代电子设备对电源的严格要求。
"GaN技术如何提升电源效率?" "如何实现高功率密度的USB PD适配器?" "ST的氮化镓电源解决方案有哪些优势?"
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