SiC MOSFET技术进展与发展方向.pdf

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1、www.crrcgc.ccSiC MOSFET技术进展与发展方向罗 海 辉 株洲中车时代半导体有限公司版权专有 请勿外传作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载SiC MOSFET技术进展与发展方向作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载SiC MOSFET技术进展与发展方向作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同

2、意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载CONTENTS目录 SiC市场与应用概述第一部分SiC MOSFET技术进展与趋势第二部分 中车SiC产品解决方案与规划第三部分作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载SiC MOSFET作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载SiC MOSFET技术进展与趋势作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载技术进展与趋势作者授权中国电源学会发布

3、，未经作者同意禁止转载中车作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载中车SiC作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载SiC产品解决方案与规划作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载产品解决方案与规划作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载3SiC市场与应用概述31987年成功生长6H-SiC体单晶，首个SiC公司成立（Cree公司）材料、器件、应用持续突破，2030年SiC渗透率预计将突破25%1991年发布全球首款商业化SiC晶圆，25mm2010年Rohm推出首款平面栅SiC MOSFET产品2015年Cree在全球范围

4、内率先推出了8英寸SiC衬底2012年Cree启动6英寸SiC衬底量产2018年特斯拉model 3率先搭载SiC MOSFET产品2024年SiC市场渗透率突破15%作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学

5、会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载英寸作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载英寸衬底作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载衬底衬底作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载衬底作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载2018作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载2018年作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载年特斯拉作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载特斯拉model

6、 3作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载model 3率先搭载作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载率先搭载MOSFET作者授权中国电源学会发布，未经作者同意禁止转载MOSFET4n 未来5年全球功率器件市场逐年稳步增长（CAGR 7%），至2029年市场规模将达到357亿美元n 2029年全球SiC市场容量将达到89亿美元n 2029年国内SiC市场容量将超过33亿美元23824826028130833035789%84%82%79%76%75%73%10%15%17%19%22%23%25%1.0%1.2%1.4%1.6%1.8%1.9%2.0%2023年2024年202