半导体行业：AI算力系列之光通信用光芯片受益流量增长和全球份额提升-230420（31页）.pdf

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1、1证券研究报告作者：行业评级：上次评级：行业报告|请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明强于大市强于大市维持2023年04月20日（评级）分析师 唐海清 SAC执业证书编号：S1110517030002分析师 康志毅 SAC执业证书编号：S1110522120002AI算力系列之光通信用光芯片：受益算力系列之光通信用光芯片：受益流量增长和全球份额提升流量增长和全球份额提升行业深度研究摘要2请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明代码代码名称名称2023-04-192021A2022A2023E2024E2021A2022A2023E2024E688498.SH源杰科技1590.951.001.4

2、81.92166.60158.75107.1082.74688313.SH仕佳光子780.500.661.121.50154.93117.4669.7151.81002281.SZ光迅科技2255.676.357.358.3139.6435.4430.6127.06688048.SH长光华芯1541.151.252.243.42133.51123.0568.5945.04300620.SZ光库科技1141.311.181.582.1586.9396.5272.0452.85涉及上市公司涉及上市公司股票股票股票股票市值（亿元）市值（亿元）归母净利润归母净利润(亿元亿元)P/E光芯片重要性凸显及未

3、来成长性：光芯片重要性凸显及未来成长性：磷化铟光芯片及组件是光模块中最大的成本项，其性能直接决定光模块的传输速率，是光通信产业链的核心之一。根据Yole预测，磷化铟器件预计到2026年下游应用规模将达到约52亿美元，20-26年复合增长率为16%。国产化率低、成长空间广阔：国产化率低、成长空间广阔：国内厂商在2.5G及以下、10G光芯片上具有一定优势，但25G光芯片的国产化率约20%，25G以上光芯片的国产化率仍较低约5%。生产工艺是核心壁垒：生产工艺是核心壁垒：光芯片的制造成本中制造费用占比最高，良率决定各家能力。生产流程中，量子阱、光栅、光波导、镀膜等环节成为竞争关键。涉及上市公司：涉及上

4、市公司：源杰科技（与电子团队联合覆盖）、仕佳光子、光迅科技、长光华芯、光库科技。风险提示风险提示：人才及技术更新风险；下游需求不达预期风险；竞争导致毛利率下降风险；潜在竞争的风险；全球化、国产替代不及预期；报告中引用22年业绩快报仅为上市公司初步核算数据，请以公司最终公告为准。除源杰科技外，其余公司盈利预测来自wind一致预测；资料来源：wind，天风证券研究所VYlZkZPWhVkZmPmPpNaQaO9PoMmMnPnOiNqQmQfQsQoO9PnNuNNZrNtOMYmOrM目录1.光通信用光芯片的分类及下游光通信用光芯片的分类及下游2.磷化铟光芯片市场规模及竞争格局磷化铟光芯片市场规

5、模及竞争格局3.光芯片成本分析以及技术壁垒光芯片成本分析以及技术壁垒4.涉及上市公司涉及上市公司3请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明光通信用光芯片的分类及下游光通信用光芯片的分类及下游14请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明5请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明资料来源：北京通美公告，天风证券研究所1.11.1.不同类型半导体材料的应用领域不同类型半导体材料的应用领域半导体材料包括三大类：半导体材料包括三大类：1、单元素半导体材料，即以单一元素构成的半导体材料，主要包括硅（Si）、锗（Ge），其中硅基半导体材料是目前产量最大、成本最低、应用最广的半导体材料；2、III-V 族化合物半导

6、体材料，即以 III-V 族元素的化合物构成的半导体材料，主要包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），具有电子迁移率高、光电性能好等特点，是当前仅次于硅之外最成熟的半导体材料，在 5G 通信、数据中心、光纤通信、新一代显示、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备、航天方面有广阔的应用前景；3、宽禁带半导体，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表，具有高禁带宽度、耐高压和大功率等特点，在通信、新能源汽车等领域前景广阔，但目前成本较高。图：图：不同半导体材料的主要特点、应用领域不同半导体材料的主要特点、应用领域项目项目单元素半导体材料单元素半导体材料IIIIII-V V族化合物半导体材料族化合物半