利基存储市场正迎来“海外大厂退出+端侧AI爆发”的双重机遇。SLC NAND价格较2024年低点上涨29%，利基DRAM自底部反弹23.7%。美光、三星、SK海力士等海外大厂持续退出DDR3、DDR4 4Gb以下及SLC NAND等利基市场，释放数百亿级市场空间。端侧AI（AI手机、AI PC、AI眼镜、可穿戴设备）对低功耗、小型化存储需求爆发。方正证券认为，国内利基存储IC设计公司强者恒强格局已形成，兆易创新、普冉股份、聚辰股份等龙头将持续受益。

SLC NAND自2024年Q2开始价格逐步企稳，2024年Q3磨底结束，开始稳步上行。以Flash SLC 4Gb 512MBx8为例，较2024年最低点1.27美元，截至2025年5月9日价格为1.64美元，涨幅29%。SLC NAND主要应用于物联网、工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的场景，需求具有刚性特征。

利基DRAM以DDR4 4Gb(512Mx8)2400/2666为例，2025年3月6日价格触底为1.14美元，截至5月9日价格为1.41美元，涨幅23.7%。DDR3及DDR4 4Gb以下产品主要用于机顶盒、路由器、安防监控、工业控制等长尾市场，需求稳定且具有一定不可替代性。

利基存储价格上涨的驱动力：一是海外大厂减产退出，供给端持续收缩；二是端侧AI需求爆发，新兴应用场景带来增量空间；三是库存去化基本完成，供需结构持续改善。

美光、三星、SK海力士等海外大厂持续退出DDR3、DDR4 4Gb以下及SLC NAND等利基存储市场，将产能转移至HBM、DDR5、LPDDR5等高附加值产品。2024-2025年利基市场供给缺口持续扩大，为国内利基存储IC设计公司释放了数百亿级市场空间。

海外大厂退出利基市场的背景：HBM产能需求爆发式增长，传统DRAM产线向HBM切换；DDR5/LPDDR5等高附加值产品利润率更高；利基市场价格竞争激烈，海外大厂战略性放弃低毛利产品。

国内利基存储龙头充分受益。兆易创新2024年营收73亿元（+27.6%），归母净利润11.2亿元（+500%+），NOR Flash及MCU业务持续受益于国产替代。普冉股份2024年营收21.1亿元（+34.3%），归母净利润3.3亿元，SLC NAND及NOR Flash双轮驱动。聚辰股份2024年营收10.7亿元（+41.8%），归母净利润3.4亿元，EEPROM龙头受益于服务器和汽车电子需求增长。

端侧AI智能化对存储提出了三大核心要求：高性能（高带宽及读写速度）、低功耗、小型化。可穿戴设备（AI眼镜、智能手表、TWS耳机）、AI手机、AI PC、智能音箱等终端产品对利基存储的需求持续增长。

AI眼镜成为增长最快的AIOT单品。2024年AI眼镜新品频发，小米、百度、Rokid、雷鸟等厂商持续入局，2025年有望迎来“百镜大战”。AI眼镜对存储的小型化和低功耗要求极高，是利基存储的重要增量市场。

佰维存储针对端侧AI开发出应用于Ray-Ban Meta眼镜的ePOP芯片，采用16层叠Die封装工艺，将eMMC和LPDDR4x高度集成，数据传输速率高达4266Mbps，最小规格仅8.0×9.5×0.7mm，提供32/64GB+2/3/4GB多种容量方案。美光针对AI PC开发的LPDDR5X与传统SODIMM相比功耗降低58%、空间节省64%。

利基存储市场投资逻辑清晰：海外大厂退出释放空间+端侧AI需求爆发+价格稳步上行，国内IC设计龙头强者恒强。

兆易创新作为国内利基存储绝对龙头，NOR Flash全球市占率持续提升，MCU业务受益于工业复苏和汽车智能化。普冉股份在SLC NAND和NOR Flash领域快速崛起，受益于可穿戴和物联网需求增长。聚辰股份EEPROM龙头地位稳固，服务器和DDR5渗透率提升驱动增长。东芯股份、恒烁股份等同样受益于利基存储景气上行。

利基存储市场价格当前已进入稳步上行通道，国内利基存储IC设计公司有望迎来营收和业绩的持续快速增长。

利基存储价格与国产龙头业绩

产品/公司	价格/业绩变化	驱动因素
SLC NAND 4Gb	底部1.27→1.64美元（+29%）	大厂退出+物联网需求
利基DRAM DDR4 4Gb	底部1.14→1.41美元（+23.7%）	大厂退出+工业需求
兆易创新	2024年营收+27.6%，净利+500%	NOR龙头+MCU复苏
普冉股份	2024年营收+34.3%，净利大幅增长	SLC NAND+NOR双轮
聚辰股份	2024年营收+41.8%，净利稳步增长	EEPROM+服务器需求