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高频高速覆铜板:Dk/Df逐级降低,M7/M8加速渗透趋势|上海证券
上海证券AI填料报告显示,高频高速覆铜板Dk从4.1-4.3降至3.3-3.6,Df从0.008-0.010降至0.002-0.004。GB200采用M7级CCL,M7/M8加速渗透驱动超纯球硅需求。高频高速覆铜板升级趋势深度解析。
 2026-07-25
 电子行业
 20页
22张图表
数据来源:
电子行业专题:AI填料看好材料升级机遇-250808(20页) 查看报告
上海证券发布的AI填料电子行业专题报告指出,AI服务器性能提升正驱动高频高速覆铜板加速升级。从Grantley到Eagle Stream平台,传输速率从28Gbps升至112Gbps,CCL从Mid Loss升级至Ultra Low Loss,Df值从0.008-0.010降至0.002-0.004。英伟达GB200采用M7等级覆铜板,M7/M8新一代高速覆铜板加速渗透,对功能性填料粒径、介电损耗等指标要求更为严格。本文基于报告数据,深度解析高频高速覆铜板升级趋势与填料机遇。

性能指标——Dk/Df逐级降低,M7/M8成主流

松下电工MEGTRON系列是高速覆铜板分级标杆,依次为Megtron2、Megtron4、Megtron6等(M2、M4、M6),数字越大越先进。M4是Low Loss级别,M7是Super Ultra Low Loss级别。服务器平台升级要求传输速率提高,Dk和Df值下降:Grantley平台传输速率28Gbps(Df 0.008-0.010)→Purley平台28Gbps(Df 0.008-0.010)→Whitley平台56Gbps(Df 0.005-0.008)→Eagle Stream平台112Gbps(Df 0.002-0.004)。高速覆铜板类型从Mid Loss升级至Ultra Low Loss,对标松下产品从M4以下升级至M6及以上。M7及以上新一代高速覆铜板对功能填料指标要求更为严格。

填料升级——火焰熔融法球硅无法满足M6级以上需求

不同制备原理的球形硅微粉适配不同等级覆铜板。升级路径为:普通角形硅微粉→复合填料→熔融硅微粉→火焰法球形硅微粉→直燃/VMC法球形硅微粉→化学法球形硅微粉,性能和单价依次上升。以高速覆铜板为例,火焰熔融法无法满足M6级以上性能要求。M8级别高速覆铜板性能指标基本超出直燃/VMC法稳定保证范围。

日系企业长期占据技术主导地位,近年收缩火焰熔融法产能,重心聚焦VMC、化学合成法等更高端球形硅微粉。国内联瑞新材掌握全产品线技术,持续向高端化迈进。

市场规模——高性能球硅占比超44%持续扩大

高频高速覆铜板用功能填料市场规模快速增长,2019年国内高频高速覆铜板用功能填料规模1.1亿元(同比+57.14%),预计2025年达11.1亿元(CAGR 47%)。2021年覆铜板用硅微粉市场中高性能球形硅微粉市场规模占比已超44%,并预计逐年扩大。球形硅微粉价格通常是角形硅微粉的3-5倍,日本高端球形硅微粉售价每吨几万至十几万元。高阶CCL加速渗透带动高端球硅量价齐升。

AI服务器拉动——PCB价值量增长推升CCL及填料产值

AI服务器较标准服务器增长更为强劲,单机价值量较高。根据TrendForce数据,预计2025年AI服务器将占服务器市场总价值的70%以上,规模升至2980亿美元。PCB层数随PCIe协议升级明显增加:PCIe3.0对应8-12层,PCIe4.0对应12-16层,PCIe5.0对应16-22层。PCB成本结构中覆铜板占比最高达27.31%,覆铜板中高性能球形硅微粉填充比例已扩大至40%以上。随着ASIC服务器+GPU拉动,将进一步促进PCB价值量增长,推升CCL以及高端填料的产值。

联瑞新材聚焦新一代高频高速覆铜板(M7、M8等)先进技术,2025年拟发行可转债扩产高性能高速基板用超纯球形粉体材料3,600吨,直接受益于高频高速覆铜板升级趋势。
表:服务器平台升级对CCL及填料要求
平台传输速率CCL类型Df值对标松下
Grantley28GbpsMid Loss0.008-0.010M4以下
Whitley56GbpsLow Loss0.005-0.008M4及以上
Eagle Stream112GbpsUltra Low Loss0.002-0.004M6及以上
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