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1、P即为一种HDP技术,此时产生的等离子体具备低气压,大口径,高密度等特性,更易得到垂直的离子轰击作用和各向异性的刻蚀形貌,在该系统中可认为中性粒子和离子在鞘区内是无碰撞的,离子的轰击路径更为垂直,TCP技术则要求离子的密度与离子能量被分别控。
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