存储模组与封测是连接芯片设计到终端应用的关键环节，也是国产存储产业链从“点状突破”走向“体系化能力”的核心支撑。天风证券研报显示，国内存储模组厂商正通过主控自研、企业级突破和商业模式创新构建核心竞争力：江波龙TCM模式整合产业链资源实现一站式交付；封测端太极实业攻克32D堆叠与SDBG工艺，实现300+层NAND验证；深科技PoP封装量产、16层uMCP SiP具备量产能力。国产存储从模组制造到先进封测的全链条交付体系正在成型。

国内存储模组厂商正从单一产品竞争升级为商业模式和平台能力的综合竞争。江波龙创新TCM（技术合约制造）商业模式，旨在高效且直接地拉通存储晶圆原厂与核心客户之间的供需商业关系。基于确定性的供需合约，江波龙整合主控芯片设计、固件定制开发、高端封测技术、智能制造及知识产权等存储产品Foundry能力，高效完成从存储晶圆厂到核心客户的一站式交付。TCM模式自推出以来已获得存储晶圆原厂和核心客户的积极反馈和认可。

江波龙与闪迪的战略合作是TCM模式的典范：基于闪迪BiSC8——218层3D闪存技术（CBA技术），结合江波龙在主控芯片、自有固件和封测制造服务方面的专业能力，共同开发高品质UFS解决方案。双方通过优势互补，优化存储产品的开发与交付流程，为客户提供从产品开发到市场应用的全方位支持。

太极实业在存储封测领域实现代际跨越。太极半导体完成MicroSD单塔12D堆叠产品技术可行性分析，开展工程参数调试；完成NEOS平台Flash BGA测试能力开发，突破产能瓶颈。工艺创新方面，开发高阶混合封装（Hybrid，FC+WB）工艺、大颗粒倒装工艺（FCBGA）；建立NAND封测完整方案；导入“研磨前隐形切割（SDBG）”工艺，实现16D高堆叠产品量产、32D技术突破；完成1B DRAM和300+层NAND验证量产。产能方面，海太半导体2024年封装、封装测试最高产量达23.1亿Gb/月、22.6亿Gb/月，封装月产量增3.1%。

深科技封测技术矩阵持续强化：DRAM/DDR5及嵌入式存储封装稳步推进，Bumping及RDL项目实现量产；超薄存储芯片PoP封装技术实现量产；16层堆叠技术和uMCP SiP封装技术具备量产能力，创新进行strip FO封装技术研发；推动封测材料多元化，多款材料通过测试验证并导入量产。盘基片和硬盘磁头业务受益HDD市场需求回暖，销售量大幅提升。

存储模组与封测的国产化正在从单一环节突破走向全链条协同。上游芯片端，长鑫存储DRAM和长江存储NAND提供晶圆基础；中游模组端，江波龙、佰维存储、德明利等提供品牌化模组产品；下游封测端，太极实业、深科技、长电科技、通富微电、华天科技提供封装测试服务。

香农芯创旗下“海普存储”品牌完成企业级DDR5内存及Gen4 eSSD研发试产，并通过国内主流服务器平台认证适配，正式进入量产阶段，为云计算国产化存储提供高竞争力方案。协创数据企业级SSD聚焦高可靠性、大容量及长寿命设计，适配AI算力存储需求。从芯片设计到模组制造再到封测交付，国产存储产业链的协同效应正在形成正反馈循环，加速存储产业国产化进程。

佰维存储全场景布局：嵌入式推出小尺寸UFS释放智能手机基板空间；PC存储发布PCIe Gen5 SSD最高14.8GB/s；企业级推出SP5系列PCIe 5.0 SSD及CXL内存扩展模组（96GB）；车规级UFS和BGA SSD满足智能座舱、自动驾驶需求。德明利多产品线协同：固态硬盘推出PCIe 5.0 x4 SSD适配AI场景；嵌入式存储布局车/工/商规，eMMC过紫光展锐认证；内存条规划多代规格；移动存储搭载自研SD6.0主控。朗科科技消费端深耕：上市PCIe 4.0 NV7000-Q，研发PCIe 5.0新品；内存拓展DDR5产品线；推出新型高速固态闪存盘US7/US8/US9。

表：国产存储模组与封测核心企业进展

产业链环节	企业	核心技术/产品	最新进展
模组制造	江波龙	TCM模式+UFS自研主控	首批主控流片，车规SLC出货超1亿颗
模组制造	佰维存储	PCIe 5.0 SSD+CXL内存	读写13.2/10GB/s，96GB CXL模组
模组制造	德明利	PCIe 5.0 SSD+自研主控	M.2 2280 NVMe适配AI
封测	太极实业	32D堆叠+SDBG工艺	300+层NAND验证量产
封测	深科技	PoP封装+16层uMCP SiP	量产能力已具备
封测	长电/通富/华天	高端存储封测	积极布局进展顺利