什么是igbt？igbt是什么意思？

igbt是Insulated-Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极晶体管）的简称，是目前用在电力控制和电力控制领域非常流行的一种有源半导体电子元件，拥有优异的条件和综合性能。



一般来说，igbt的核心由n型晶体管和p型晶体管共同组成，它们具有晶体管和双极晶体管的优势，但又保持双极晶体管物理结构的灵活性。igbt可以取代传统大功率电动机和双极晶体管，其最大的优势在于可以提供更高的电流、功率和频率，也可以减少热效应，模拟固定电源及使用CST快速开关功能，可以实现很好的电流平衡。

igbt的结构简单，在贴片（SMD）和装配过程中可以很容易地安装在PCB板上并进行自动焊接，可以节省安装时间和费用。igbt可以实现比双极晶体管开关速度更快的控制，而n型晶体管的功率损耗更低，但最大的限制在于它不能完全断开。在高频操作条件下，igbt仍保持其关断和能量损耗的优势，可以轻松达到千兆赫的频率。

igbt还有着优良的静态特性，开关特性和动态特性都比传统硅双极晶体管好，从而大大增强了系统可靠性。igbt采用集成设计技术，可直接在封装中增加发射区和收集区，具有隔离电阻和节流器，将振荡和EMI很有效地测控，减少系统的复杂程度，减少板的个数并降低系统成本。

igbt在现代多功能电子设备中起着越来越重要的作用，从汽车中的发动机管理，家电产品，电力变换器，等离子电源，微处理器技术和应用，电力控制，家庭节能照明，到通信产品，igbt都能发挥其优势特性，为市场提供更新颖，安全，环保高效的产品和服务。

igbt不仅在市场竞争中起着重要作用，而且在国家节能减排方面也发挥着重要作用，可以使电器的系统使用更加高效可靠，进一步节能减排。



总之，igbt是一种兼具n型晶体管和p型晶体管的有源组件，具有优异的发射特性，结构简单，安装和焊接简单，低电压损耗，可靠性强，市场应用广泛等特点，并在节能减排和能源利用方面发挥重要作用。

igbt（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）是一种子单元，它结合了双极晶体管（BJT）和MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）的功能，是一种集成电路元器件，可用于控制能量传递。 由于Igbt具有双极晶体管的能量传输特性，MOSFET的高入射和低on电阻，因此Igbt是可并行的电力乙醇，也可作为可控硅的替代品，具有显然的优势。

Igbt的结构可以用一个MOS双极晶体管（BJT）来描述，具有一个正极片，一个p型浓度结和一个n型金属氧化物薄膜芯片（MOS）结。芯片中有一个绝缘栅，此绝缘栅定义了正极片和MOS的分离的区域。绝缘栅上的双极性分立元器。绝缘栅在正极片和MOS结之间形成一个共同的p型接口层。绝缘栅可诱导从源极到目标极的电子和从目标极到源极的电洞。

因此，Igbt具有双极晶体管开/关功能，但它有着显著的优势：


（1）Igbt有着极低的发射阈值，这进一步减少了结温。

（2）Igbt拥有优秀的开关特性，在极短的开关速度可达100 ns，堪称为现代设计中极为重要的元器件。

（3）Igbt的on-state电阻是MOSFET的10倍以上，输入电容也大大降低，使Igbt的电流反响更快，为大功率开关提供了良好的稳定性和可靠性。

（4）Igbt具有极好的交流电阻可调特性，它具有效地控制电容量，使其具有很好的稳态性能，反应速度更快。

同时，Igbt的优点也在于它的功率高、密度大、散热性能好，氣密性能高、工作频率高、受温度影响小、噪声小、容错能力强等优点。与可控硅相比，Igbt的体积小，重量轻，有效的传热性能，散热方便，可靠性高等优势，在高功率换流箱及其他驱动电路中可以做到很好的效果。

总之，Igbt是一种十分适用于高功率驱动、输出幅频功率损耗小、工作频率高、受温度影响小、噪声小、容错能力强的气密元件，它可以用于驱动、输入及输出的高功率应用。