1、 请阅读最后评级说明和重要声明 1/16 行业跟踪报告|电子 证券研究报告 行业评级 推荐（维持）报告日期 2025 年 11 月 16 日 相关研究相关研究 【兴证电子】周报：闪迪业绩超预期并预计 NAND 供不应求持续到 26 年底，看好存储设备、算力需求和端侧 AI 硬件创新浪潮-2025.11.09【兴证电子】电子 2025 年三季报总结：AI 是主要驱动力，自主可控需求强劲，板块业绩提速-2025.11.05【兴证电子】周报：DRAM 现货价格持续提高，看好存储设备、算力需求和端侧 AI 硬件创新浪潮-2025.11.02 分析师：姚康分析师：姚康 S0190520080007 分析

2、师：胡园园分析师：胡园园 S0190525010001 从泛林看存储设备从泛林看存储设备公司公司成长性成长性：“价格周期”：“价格周期”和“技术周期”共振带来高斜率和“技术周期”共振带来高斜率 投资要点：投资要点：泛林：全球最大存储设备公司泛林：全球最大存储设备公司，历史成长核心由历史成长核心由 NVM 和代工开支驱动。和代工开支驱动。泛林成立于1980 年，最早以刻蚀设备起家，目前在半导体刻蚀、薄膜沉积等领域积累深厚，在干法刻蚀设备领域全球市占率接近 50%，在 CVD 薄膜沉积领域市占率近 20%。2014年公司销售收入 48.6 亿美元，至 2024 年已持续增长至 162.1 亿美元，

3、10 年复合年增速达 12.8%；利润端，净利润从 2014 年的 7.2 亿美元增长至 2024 年的 42.9 亿美元，10 年复合年增速达 19.6%。复盘其长期成长驱动，其增长核心由 NVM 和代工开支贡献，NVM 扩产需求来自价格周期和技术迭代的双重作用；而逻辑代工扩产需求则根本来自客户摩尔定律的快速迭代，尤其在 2018 年台积电量产 7nm，行业进入EUV 时代后，代工资本开支进入高斜率阶段。2017 年泛林受益年泛林受益 NAND 3D 化与需求共振化与需求共振，收入收入/利润增速达利润增速达 50%/68%，NAND 领领域收入增速达域收入增速达 83%。2017 年泛林销售

4、收入约 95.6 亿美元，同比增长 50%，净利润16.8 亿元，同比增长 68%。收入结构中，来自 DRAM、NVM、代工、逻辑及其他的需求分别约 19.5、52.7、20.3、7.2 亿美元，同比增长 48%、83%、3%、43%；即当年核心驱动来自存储端，尤其是 NAND 资本开支的爆发。2017 年 NAND 资本开支主要受 3D 化转型和智能手机容量升级需求爆发驱动。技术端，2013 年，三星首次量产 24 层 128Gb 的 3D NAND 产品 V-NAND，3D NAND 因能通过垂直堆叠存储单元大幅提升容量、降低单位成本，成为行业未来发展方向。需求侧，随着用户对高清视频、大型

5、游戏的存储需求增加，智能手机的闪存容量从 64GB 向 128GB、256GB 升级，带动智能手机闪存需求增长；此外，SSD 也因速度快、功耗低，逐渐替代传统HDD 成为 PC、数据中心的主流存储设备。而原厂由于向 3D NAND 发展，技术转换期空窗期导致市场供需失衡，存储价格持续上行。AI 驱动新一轮存储价格上行，驱动新一轮存储价格上行，有望催化存储资本开支高斜率，长期有望催化存储资本开支高斜率，长期 NAND/DRAM/逻逻辑辑 3D 化趋势带动设备开支密度持续提升化趋势带动设备开支密度持续提升。2025 年下半年以来，全球 DRAM 与 NAND市场均呈现显著涨价态势，且涨势持续强化。

6、其中，DRAM 因 AI 服务器需求爆发、传统产能收缩及技术升级，价格涨幅尤为突出；NAND 则受数据中心大容量需求拉动、供给端调整及 AI 终端延伸，呈现“量价齐升”态势。长期看，AI 应用持续推进对存储的带宽和功耗均提出了极高要求，行业新技术创新加速，根据泛林测算，3D NAND从 128 层到 5xx 迭代，刻蚀/薄膜等关键设备开支密度预计实现 1.8 倍增长；DRAM侧，从 1b 到 3D DRAM 设备开支密度将增长 1.7 倍；逻辑/代工领域，从 5nm 到 CFET架构，单片设备开支则预计将增长 2 倍。新一轮存储周期上行，同时国内长江存储有望量产 300+层 3D NAND 产