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品利基金：第三代半导体SiC、GaN行业投资报告（57页）.pdf

编号：45456

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品利基金：第三代半导体SiC、GaN行业投资报告（57页）.pdf

1、5G时代，GaN RF芯片替代硅和砷化镕芯片，成为基站和射频前端的主要RF主流，是技术革命性的投资机会GaN RF具有大功率、高频率、高耐压、带宽大先天优势，是5G时代的绝配，存在着大量的掘金机会;国外射频芯片巨头占据先发优势，利用技术积累，开发出针对5G的氮化铄射频前端方案和GaN RF器件;技术领先型企业因先发优势将获得超额利润，并获得优先的产品迭代机会;在5G应用市场，GaN on Si将取代Si LDMOs，市场渗透率大;GaN on SiC应用于基站，卫星等大功率射频，GaN on Si为低功率小型化器件，各有优势，各有市场;1、高频、高温、高压性能优于硅;.2、能量密度高，芯片尺寸

2、可小、同样功率面积可减少30%-50%。.3、低导通损耗、功率转换效率高，系统能耗降低30%以上;4、在高频高压下运转时，性能更高，损耗更低。5、GaN器件适合于现有硅制造流程工艺，可规模化、低成本;2018年12月跨境电商品牌RAVPower发布采用了氮化家功率器件的充电器，体积超薄,支持USB PD快充，功率达4Dw 北电H一为79.5g，是苹果充电器的一半厚。Anker2018亲T DowerPort于氮化家GaN元件的Anker PowerPort Atom PD。2018年Navitas个HExaga舌。GaN解决方案的45W沃速允电电v是A2018年国产GaN)分Ao试，2019年正式量产。目前己有5个产品(40V、60v、100V等）实现小批量生产并有接到订单。

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