东微半导-公司首次覆盖报告：国产超级结MOSFET龙头掘金新能源汽车及光伏市场-220622（22页）.pdf

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1、 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 1 / 22 东微半导东微半导（688261.SH） 2022 年 06 月 22 日 投资评级：投资评级：买入买入（首次首次） 日期 2022/6/22 当前股价(元) 241.07 一年最高最低(元) 273.10/121.10 总市值(亿元) 162.42 流通市值(亿元) 34.35 总股本(亿股) 0.67 流通股本(亿股) 0.14 近 3 个月换手率(%) 307.8 股价走势图股价走势图 数据来源：聚源 国产超级结国产超级结 MOSFET 龙头，掘金龙头，掘金新能源汽车新能源汽车及光伏及光伏市场市场 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 刘

2、翔（分析师）刘翔（分析师） 盛晓君（联系人）盛晓君（联系人） 证书编号：S0790520070002 证书编号： S0790120080051 国内领先的功率半导体设计厂商国内领先的功率半导体设计厂商，首次覆盖给予“买入”评级首次覆盖给予“买入”评级 公司深耕功率半导体研发与设计，产品覆盖高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET 以及具有独立知识产权 Tri-gate 结构的 IGBT 等。 公司在高压超级结MOSFET 领域具有技术优势和深厚的先发积累，是该领域国内龙头企业。我们预计 2022-2024 年公司可实现归母净利润 2.63/3.56/5.07 亿元， EPS 3.9

3、0/5.29/7.52元，当前股价对应 PE 61.8/45.6/32.1 倍。首次覆盖给予“买入”评级。 高压超级结高压超级结 MOSFET 产品技术和规模领先，中低压产品料号产品技术和规模领先，中低压产品料号丰富丰富 高压 MOSFET 应用于新能源汽车充电桩、车载充电机、基站电源等市场，市场空间广阔、行业增速高。公司高压超级结 MOSFET 采用深沟槽技术，产品性能指标优异，有望引领国内高压 MOSFET 国产替代。公司的超级硅 MOSFET 是超级结 MOSFET 的重要产品系列，主打高频性能，以硅基设计与氮化镓产品形成竞争，有望以其优异性能和性价比优势取得更高市场份额。此外，公司中低

4、压MOSFET 料号丰富，技术指标可与海外一线厂商对标，亦有望取得长足发展。 公司公司 TGBT 采用自主创新器件结构采用自主创新器件结构，打造差异化竞争优势，打造差异化竞争优势 公司的 TGBT 产品是采用了自主创新的 Tri-gate 结构的 IGBT 产品，通过专利技术使得导通电阻与开关速度同时得到优化。2021 年公司 TGBT 产品在光伏逆变器、储能、充电桩、电机驱动等领域获得客户的批量应用，并在以上领域多家头部客户如比亚迪、欣锐科技、古瑞瓦特等开启送测认证，获得客户认可。公司TGBT 通过创新的器件结构实现优异性能， 有望与市场上功率半导体器件形成差异化竞争。目前公司 TGBT 产

5、品已实现产业化，将为公司成长提供新动能。 募投募投项目夯实综合产品实力，长期发展可期项目夯实综合产品实力，长期发展可期 借助上市契机，公司拟投入募集资金 9.39 亿元，积极推进功率器件的研发及产业化项目，一方面夯实自身在超级结 MOSFET 的技术和规模领先优势，另一方面加强中低压屏蔽栅 MOSFET、 TGBT 等产品线建设， 并积极布局第三代半导体，提升功率半导体综合供应能力，长期发展可期。 风险提示：风险提示：公司代工资源变动；需求不及预期；行业竞争加剧，毛利率下滑。 财务摘要和估值指标财务摘要和估值指标 指标指标 2020A 2021A 2022E 2023E 2024E 营业收入(

6、百万元) 309 782 1,176 1,649 2,221 YOY(%) 57.5 153.3 50.4 40.2 34.7 归母净利润(百万元) 28 147 263 356 507 YOY(%) 203.9 430.7 79.0 35.5 42.2 毛利率(%) 17.9 28.7 32.7 31.8 32.8 净利率(%) 9.0 18.8 22.4 21.6 22.8 ROE(%) 6.6 26.0 32.4 30.6 30.5 EPS(摊薄/元) 0.41 2.18 3.90 5.29 7.52 P/E(倍) 586.7 110.6 61.8 45.6 32.1 P/B(倍) 38