第三代半导体行业深度报告：下游需求驱动国产替代先行SiC迎政策发展机遇期-20220317（28页）.pdf

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1、请阅读最后一页的免责声明 1 2022 年年 03 月月 17 日日 证券研究报告证券研究报告行业深行业深度度报告报告 第三代第三代半导体半导体行业行业 下游需求驱动，国产替代先行，下游需求驱动，国产替代先行，SiSiC C 迎迎政策发展政策发展机遇机遇期期 第三代第三代半导体半导体行行业业深度报告深度报告 看看好好 投资要点投资要点 为什么为什么要重视要重视碳化硅材料？碳化硅材料？一方面，硅基半导体面临摩尔定律失效，碳化硅作为第三代半导体材料，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等性能优势，在高温、高压、高频领域表现较为优异，有望成为未来技术突破的主要方向。另一方面，碳化硅器件以

2、衬底为核心，在晶圆制造中成本占比约 55%，对半导体设备要求相对较低，有利于规避国内半导体设备被卡脖子的问题，是未来国内半导体产业弯道超车的方向。此外，第三代半导体在国防领域有重要应用，受到瓦森纳协定的严格禁运和封锁，是国产替代必须突破的领域。目前，十四五规划明确提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业，科技部、工信部等重要部委也已相继出台细则文件，在政策大力支持下，十四五期间有望成为国内第三代半导体产业大步发展的时代。与与 SiSi 基产品价差持续缩小，基产品价差持续缩小，下游下游新能源汽车和光伏需求旺盛新能源汽车和光伏需求旺盛，未来五年未来五年行业行业复合增速达复合增速达 34%34

3、%。碳化硅晶圆已逐渐过渡到 6 英寸，与 Si 基产品价差持续缩小，价格约为同类型 Si 基产品的4 倍，未来产品价格降幅有望每年保持在 10%-20%，3-5 年内逐渐降为 Si 基产品的 2 倍左右，极具替代性价比。新能源汽车和光伏是碳化硅下游核心应用领域，国家双碳战略下，行业景气度较高，是拉动 SIC 器件需求的下游核心应用。根据 Yole数据，2020 年，SiC 器件市场规模为 5.96 亿美元，至 2025 年，行业规模有望增长到 25.62 亿美元，年复合增速达 33.6%。行业集中度高，美企占据核心话语权，政策支持和产业龙头扶行业集中度高，美企占据核心话语权，政策支持和产业龙头

4、扶持下国内厂商开始崛起。持下国内厂商开始崛起。碳化硅长晶难度高、速度慢，且切割难度大，碳化硅衬底行业技术壁垒高，目前全球碳化硅衬底市场高度集中，美企占据核心话语权，Wolfspeed（美国）是全球碳化硅龙头企业，占据全球半绝缘型碳化硅衬底 33%的市场份额和导电型碳化硅衬底 62%的市场份额，在全球碳化硅衬底市场数据（市场数据（20202 22 2- -0 03 3- -1 16 6） 行业指数涨幅行业指数涨幅 近一周 0.42% 近一月 -0.26%近三月 -18.17%重点重点公司公司 公司名称公司名称 公司代码公司代码 天岳先进 688234.SH 斯达半导 603290.SH 行行业指

5、数业指数走势图走势图 数据来源：Wind，国融证券研究与战略发展部 相关报告相关报告 证券研究报告证券研究报告行业深度行业深度报告报告 请阅读最后一页的免责声明 2 领域拥有绝对的话语权。国内企业起步较晚，量产时间相对滞后，但依靠国家政策和国内下游龙头企业扶持，目前均已能够达到 6 英寸量产水平，且同尺寸衬底技术参数已与国际龙头相差不大，产品质量达到国际先进水平。目前，天岳先进是国内半绝缘型衬底龙头企业，近两年发展迅速，在半绝缘型衬底领域全球市占率从 2019 年的 18%大幅提升至 30%。天科合达是国内导电型碳化硅衬底龙头企业，乘国内新能源发展东风，导电型碳化硅衬底全球市占率达到 1.7%

6、。 投资建议投资建议：碳化硅衬底作为 SiC 器件核心材料，受到海外严格禁运和封锁，是国产替代必须突破的领域，目前国内政策支持文件已相继落地，十四五期间行业有望迎来大步发展。此外，SiC基产品与Si基产品价差持续缩小， 未来将极具替代性价比，伴随国家双碳战略，下游新能源汽车和光伏行业需求旺盛，碳化硅渗透率有望快速提升。建议关注国内半绝缘型衬底龙头企业天岳先进，导电型碳化硅衬底龙头企业天科合达，以及战略布局 SiC 的 IGBT 龙头斯达半导。 风险因素：风险因素：新能源汽车、光伏等下游需求不及预期；中美科技争端加剧，海外技术、设备和原材料封锁升级；新产品和技术研发不及预期；国产厂商产能扩产不及