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1、2022 年深度行业分析研究报告 2 目录 1 天岳先进:蓄势待发的国产碳化硅衬底龙头 . 3 1.1 国内半导体前沿生产商,进军国际碳化硅衬底市场 . 3 1.2 收入稳定增长,半绝缘型衬底业务渐入佳境 . 4 1.3 股权结构稳定,激励措施提升活力 . 6 1.4 加大研发投入,提升竞争优势 . 7 1.5 管理团队带领研发,助力公司成长 . 8 2 碳化硅衬底市场需求快速增长,国产替代势在必行 . 9 2.1 碳化硅性能卓越,优势明显 . 9 2.2 射频器件需求增长拉动半绝缘型衬底市场扩张 . 10 2.3 导电型碳化硅衬底市场规模快速增长,功率器件应用广泛 . 12 2.4 高技术壁
2、垒带来高集中度,国产化空间广阔 . 16 3 深入布局碳化硅衬底,奋力成为行业龙头 . 19 3.1 加速研发碳化硅衬底,占据先发优势 . 19 3.2 碳化硅衬底持续投产,良率稳健提升 . 20 3.3 客户资源优质,供应商集中度较高 . 21 3.4 天岳先进加速研发,助力国产碳化硅衬底突破 . 23 4 募投项目:加码碳化硅产能释放,满足下游市场需求 . 26 插图目录 . 33 表格目录 . 33 33 插图目录 图 1:天岳先进产品种类 . 3 图 2:产品应用领域广泛 . 3 图 3:公司营收净利(单位:亿元) . 4 图 4:公司扣除非经常性损益后净利(单位:百万元) . 4 图
3、 5:公司利润率情况 . 4 图 6:公司分业务营收(单位:亿元) . 5 图 7:公司分业务毛利率 . 5 图 8:半绝缘型碳化硅衬底销量及单价情况 . 6 图 9:公司股权结构 . 6 图 10:2018-2020 年天岳先进研发投入(单位:亿元) . 7 图 11:天岳先进管理团队 . 8 图 12:硅基与碳化硅基 MOSFET 对比(1000V 电压) . 9 图 13:硅基 IGBT 与碳化硅 MOSFET 对比(40kHz 开关频率) . 9 图 14:不同类型射频器件市场份额预测(功率在 3W 以上) . 10 图 15:不同材料微波射频器件的应用范围对比 . 10 图 16:5
4、G 基站发展趋势 . 11 图 17:2018-2025 年全球射频器件市场规模预测 . 11 图 18:全球半绝缘型碳化硅衬底市场规模(单位:百万美元). 12 图 19:全球半绝缘型碳化硅衬底市场份额 . 12 图 20:中国半绝缘型碳化硅衬底市场规模(万片) . 12 图 21:碳化硅功率器件的应用领域. 13 图 22:预计碳化硅器件可节省 200-600 美元的整车成本 . 13 图 23:全球新能源汽车渗透率 . 14 图 24:光伏逆变器中碳化硅功率器件占比预测 . 14 图 25:轨道交通中碳化硅功率器件占比预测 . 15 图 26:2017-2021 年功率半导体市场规模(单
5、位:亿美元) . 15 图 27:中国导电型碳化硅衬底市场规模(万片). 15 图 28:碳化硅晶体的制备 . 16 图 29:2018 年导电型碳化硅衬底厂商市场占有率 . 17 图 30:2020 年半绝缘型碳化硅晶片厂商市场占有率 . 17 图 31:公司主营业务发展历程 . 19 图 32:碳化硅衬底产能利用率情况. 20 图 33:碳化硅衬底产销率情况 . 20 图 34:公司晶棒和衬底良率 . 21 图 35:2020 年原材料直接供应商比例 . 21 图 36:2020 年客户销售占比情况 . 22 图 37:可比公司毛利率对比 . 24 图 38:可比公司研发费用率对比 . 2
6、4 图 39:2020 年可比公司研发费用率 . 24 图 40:项目使用安排及进度 . 27 表格目录 盈利预测与财务指标 . 1 表 1:天岳先进核心技术 . 7 表 2:半导体材料的指标参数 . 9 表 3:半绝缘型和导电型碳化硅衬底的对比 . 10 表 4:各企业在衬底尺寸方面的研发进度 . 17 表 5:20182020 年我国 SiC 相关专利数量情况(单位:项) . 18 表 6:天岳先进研发项目进展 . 20 34 表 7:公司产品在国内客户使用情况 . 23 表 8:天岳先进与同行业可比公司经营情况对比 . 23 表 9:半绝缘型碳化硅衬底各尺寸量产推出时间 . 25 表 1