半导体行业深度分析：助力800V高压平台升级SiC车规级应用渗透率加速提升-20211231（27页）.pdf

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1、 1 本报告版权属于安信证券股份有限公司。 各项声明请参见报告尾页。 助力 800V 高压平台升级，SiC 车规级应用渗透率加速提升 800V 平台可有效解决电动车里程焦虑、快充速度问题，车企纷纷布局：续航能力和充电时长是影响电动车普及程度的重要因素，现阶段新能源车的续航里程大约为500-600km，无法满足城际间长里程驾驶需求；另外由于新能源车补能效率较低，燃油车的加油时间仅为 5 分钟左右，而新能源车充电通常需要60分钟，提升电压平台可提升整车运行效率及充电速度。以保时捷为例，保时捷将电压平台从400V提高至800V 后，实现300kW充电功率，可以在22.5 分钟内把Taycan Tur

2、bo S容量93.4kWh的动力电池从5%充至80%，提供300 公里的续航能力，高压线束的截面积仅为 400V 架构下的二分之一，线束减重 4kg。吉利极氪、小鹏汽车、广汽埃安、比亚迪、理想汽车、北汽极狐、岚图等车企也相继投资800V电压架构产品，并逐步计划量产。 采用碳化硅器件并未提高整车成本：目前单个碳化硅功率器件的价值量约为硅基IGBT 的3 倍，但主机厂通常从整车成本考虑，采用碳化硅能带动整车系统效率提升，从而降低系统其他部分成本。根据产业调研，在中高端车型中使用硅基 IGBT 的总体成本约为3000 元左右，碳化硅器件成本约为硅基IGBT 的3 倍，在相同性能的产品中，使用碳化硅器

3、件可使汽车续航能力提升5-10%，以5%的性能提升计算，对应电池端即可节省4000-5000 元，碳化硅耐高压和耐高温特性可使得电缆、散热系统等成本降低，仅散热系统即可节省1000 元左右，综合成本可抵消器件本身成本的增加。使用碳化硅并不会增加整车成本，这为行业发展带来长久动力。 碳化硅成本下降空间大，800V 架构车型有望向经济型下沉：目前碳化硅衬底制作难，长晶速度慢导致成本过高，是影响碳化硅器件渗透率的主要因素，现阶段采用碳化硅器件的多为中高端车型。未来随着碳化硅衬底工艺提升、尺寸扩大及行业产能增加，势必带来产品成本降低，经济型电动车也将有望搭载高压方案。目前 6 寸导电型衬底片的市场零售

4、价约 1000 美元/片，据产业调研，到2025 年价格有望下降至500美元以下，硅基和SiC基的成本差距会在2 倍内，届时碳化硅器件更据优势，渗透率将有望持续提升。 投资建议：建议关注闻泰科技、露笑科技、三安光电、时代电气、斯达半导、天科合达（未上市）、山东天岳（未上市）等公司。 Table_Tit le 2021 年12月31日 半导体 Table_BaseI nfo 行业深度分析 证券研究报告 投资评级 领先大市-A 维持评级 Table_Fir st St ock 首选股票 目标价 评级 Table_Char t 行业表现 资料来源：Wind资讯 % 1M 3M 12M 相对收益 -7

5、.14 2.99 30.88 绝对收益 -6.07 3.35 26.38 相关报告 SiC 衬底-产业瓶颈亟待突破，国内厂商加速追赶 2021-11-23 市场空间巨大，SiC 国产化趋势加速 2021-11-06 -13%-4%5%14%23%32%41%50%2020-12 2021-04 2021-08半导体(中信) 沪深300 2 本报告版权属于安信证券股份有限公司。 各项声明请参见报告尾页。 风险提示：新能源汽车发展不及预期；800V 架构产品量产不及预期；SiC技术难度大，产品研发、量产不及预期；SiC渗透率不及预期。 oPoQpNrPmQwOmOnRqRmQsPbR9RbRmOq

6、QmOsQiNoOrQeRrRsO6MoPmNvPqRtNuOsOrO行业深度分析/半导体 3 本报告版权属于安信证券股份有限公司。 各项声明请参见报告尾页。 内容目录 1. 新能源汽车向 800V高电压平台演变，对功率器件要求持续提高 . 5 1.1. 电压平台演变历史：从量变到质变 . 5 1.2. 电压高压化：里程焦虑、充电速度慢问题的最好解决方案 . 6 1.3. 相较于提高电流，高电压仍为未来发展趋势 . 8 1.4. 400V 电压平台下功率器件使用情况 . 8 1.5. 800V 电压平台下的电动车部件升级 . 10 2. 碳化硅物理特性优良，适合制备高温、高压、高频器件.11