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1、2021年年12月月21日日 一张图看懂天岳先进一张图看懂天岳先进 目录目录 CONTENTS 1 1.1. 行业介绍:第三代半导体行业介绍:第三代半导体 2.2. 公司及募投项目概况公司及募投项目概况 3.3. 风险因素风险因素 VWnXkZcZmU9UzWxU9PdN8OoMmMpNpOlOmNsQlOsQpN7NrQoOxNrQrQuOoPnR 2 行业介绍:第三代半导体行业介绍:第三代半导体 3 3 第三代半导体材料第三代半导体材料 碳化硅(碳化硅(SiC) 第一代 硅硅基半导体 第二代 砷化镓砷化镓半导体 第三代 碳化硅碳化硅、氮化镓氮化镓半导体 SiC与与Si衬底器件功耗对比衬底器
2、件功耗对比SiC与与Si衬底器件效率对比衬底器件效率对比 资料来源:Benefits of new CoolSiCTM MOSFET(W. Jakobi等),中信证券研究部 4 4 碳化硅工艺流程碳化硅工艺流程 碳化硅粉末碳化硅粉末碳化硅衬底碳化硅衬底碳化硅器件碳化硅器件 资料来源:OFweek,山东天岳官网,简析碳化硅在半导体行业中的发展潜力(杨玺),中信证券研究部 5 5 碳化硅器件功率范围碳化硅器件功率范围 资料来源:碳化硅材料技术发展及需求(周春峰),中信证券研究部 SiC/GaN半导体功率器件适用范围及应用对比半导体功率器件适用范围及应用对比 6 6 碳化硅由于其优异的物理性能碳化硅
3、由于其优异的物理性能,主要应用于中高压电场景主要应用于中高压电场景 碳化硅器件应用领域碳化硅器件应用领域 个人电脑数据中心电动汽车航运 风力发电轨道交通 电力电网 低压电低压电 GaN器件 高压电高压电 SiCSiC器件 中压电中压电 GaN/SiCSiC器件 电机控制光伏逆变器 家用电器 音频放大器可穿戴设备 6.5kV电压 资料来源:MDPI,中信证券研究部 7 7 碳化硅上游衬底及器件生产国外龙头维持领先碳化硅上游衬底及器件生产国外龙头维持领先,国产厂商逐步入局国产厂商逐步入局 碳化硅产业链碳化硅产业链 碳 化 硅 衬 底 导电型 半绝缘型 碳化硅外延 氮化镓外延 新能源汽车、 家电、工
4、业等 功率器件 射频器件 5G通信、 国防等 衬底衬底外延外延器件器件应用应用 交通航运 风力、太阳能 资料来源:公司招股说明书,Yole,中信证券研究部(Logo来自各公司官网) 天科合达天科合达 8 8 碳化硅衬底按导电性分为导电和半绝缘型碳化硅衬底按导电性分为导电和半绝缘型,按主流尺寸分为按主流尺寸分为4英寸和英寸和6英寸英寸 碳化硅衬底市场规模碳化硅衬底市场规模 SiC导电型衬底全球市场规模导电型衬底全球市场规模 (万片万片)SiC半绝缘型衬底全球市场规模半绝缘型衬底全球市场规模 (万片万片) 资料来源:中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟(含预测),中信证券研究部 SiC衬底全球市场规
5、模预测衬底全球市场规模预测 (亿元亿元) 1010 5 1 2 8 20 40 0 10 20 30 40 50 201720202025E2030E 4英寸导电型6英寸导电型 3 4 2 0.50.5 5 10 20 0 5 10 15 20 25 201720202025E2030E 4英寸半绝缘6英寸半绝缘 11.8 33.1 56.8 105.1 0 20 40 60 80 100 120 201720202025E2030E 9 9 半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件,导电型碳化硅衬底主要应用于制导电型碳化硅衬底主要应用于制
6、造功率器件造功率器件。Yole预计2025年氮化镓射频器件氮化镓射频器件全球市场规模可达20亿美元亿美元,2019至2025 年GAGR为18%;2025年碳化硅功率器件碳化硅功率器件全球市场规模可达25.62亿美元亿美元,2019年至 2025年CAGR为30%。 碳化硅器件市场规模碳化硅器件市场规模 GaN射频器件全球市场规模射频器件全球市场规模 (亿美元亿美元)SiC功率器件全球市场规模功率器件全球市场规模 (亿美元亿美元) 资料来源:公司招股说明书,Yole(含预测),中信证券研究部 5.41 25.62 0 5 10 15 20 25 30 20192025E CAGR=30% 7.