新洁能-MOSFET技术领先迎IGBT、SiCGaN国产之机-20211130（22页）.pdf

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1、 上 市 公 司 公 司 研 究 / 公 司 深 度 证 券 研 究 报 告 电子 2021 年 11 月 30 日 新洁能 (605111) MOSFET 技术领先，迎 IGBT、SiC/GaN 国产之机 报告原因：首次覆盖 买入（首次评级） 投资要点： 新洁能是 MOSFET、IGBT 等功率器件领域的国内领先供应商。新洁能成立于 2013 年， 是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅及超结功率 MOSFET 的企业之一。2016 年 以来，连续 5 年被评为“中国半导体功率器件十强企业” 。当前产品型号 1500 种。 产品及供应链三大变化，助力新洁能快速发展及盈利提升。1）功率器件毛

2、利率稳定高于 芯片，2015-2020 年功率器件收入从 1.87 亿元提升至 7.78 亿元，占比从 44.3%提升至 81.5%。2）2020 年以来，率先切入 12 寸半导体平台，业绩加速释放。3）2019 年，子 公司电基集成已初步完成先进封装测试生产线的建设， 将少部分芯片自主封装后对外销售。 2021 年全球半导体功率器件市场规模有望反弹至 293.89 亿美元，同比增长 23.5%。半 导体功率器件可分为二极管、晶体管、晶闸管等，主要用于电力设备的电能变换和电路控 制， 是进行电能 （功率） 处理的核心器件， 弱电控制和强电运行间的桥梁。 2020 年 MOSFET 市场规模 8

3、1 亿美元，约占功率器件市场规模 1/3。2020-2026 年，IGBT 市场规模预计从 54 亿美元增长至 84 亿美元，CAGR 为 7.5%。2022 年 MOSFET+IGBT 全球规模预计逾 900 亿人民币。 新能源推动宽禁带半导体材料(SiC、GaN)功率器件的发展。SiC MOSFET 比 Si 基IGBT， 导通电阻更低，使得产品尺寸降低、缩小体积、开关速度快，功耗相比于传统功率器件要 大大降低。2019 年-2025 年，SiC 功率器件将从 5.41 亿美元增至 25.62 亿美元，CAGR 约 30%； 2019 年-2024 年， 电力电子 GaN 器件市场规模从约

4、 0.8 亿美元增至 3.5 亿美元。 全球晶圆代工产能不足会持续到 2022 年之后，新洁能具稳定供应链优势。功率器件主力 代工领域为 8 寸晶圆。6 英寸晶圆厂陆续关停向 8 英寸切换，同时 8 英寸关停或向 12 英 寸切换，2019 年 8 寸晶圆厂数量才止跌回升。2018 年以来 8 寸晶圆厂经历 3 轮涨价。晶 圆资源成为核心竞争力，新洁能与华虹宏力、华润上华等晶圆厂具有多年深度合作优势。 国产替代势在必行，新洁能产品已具备优势。1）供需不匹配。需求方面，2020 年中国分 立半导体市场占比 36%；供给方面，功率器件市场国际大厂市场份额领先，中国半导体分 立器件厂商市场销售额占比

5、仅 5%，主要功率半导体国产化率均不及 50%。2）国内晶圆 厂与设计厂齐头并进，MOSFET、IGBT 相对其他半导体功率器件更具有差异化特征，成熟 的产业链协作对功率半导体 Fabless 企业至关重要。 3） 新洁能部分产品工艺技术国内领先， 在 SiC/GaN 等宽禁带半导体功率器件的研发工作也形成了一定的技术突破。 首 次 覆 盖， 给 予“ 买入 ” 评级 。 我们 预 测 2021-2023 年 新 洁能 收 入分 别 为 15.89/21.15/26.21 亿元，归母净利润分别为 4.09/5.19/6.38 亿元。2021 年可比公司 PE 估值均值为 148X，新洁能当前市

6、值对应 2021PE 76X，上升空间 95%。 风险：IGBT 进展低于预期、SiC/GaN 进展低于预期、功率器件市场景气度下滑、监管工 作函等 市场数据： 2021 年 11 月 29 日 收盘价（元） 218.7 一年内最高/最低（元） 243.1/113.72 市净率 21.7 息率（分红/股价） 0.19 流通 A 股市值（百万元） 22193 上证指数/深证成指 3562.70/14810.20 注： “息率”以最近一年已公布分红计算 基础数据: 2021 年 09 月 30 日 每股净资产（元） 10.08 资产负债率% 16.35 总股本/流通 A 股 （百万） 142/10