普冉股份-非易失性存储赛道后起之秀大容量高可靠市场打开第二增长曲线-211008（29页）.pdf

《普冉股份-非易失性存储赛道后起之秀大容量高可靠市场打开第二增长曲线-211008（29页）.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《普冉股份-非易失性存储赛道后起之秀大容量高可靠市场打开第二增长曲线-211008（29页）.pdf（29页珍藏版）》请在三个皮匠报告上搜索。

1、研发回报方面，研发回报水平较可比公司较高。公司科研人员人均营业收入、人均扣非归母净利润均位居第二。结合下图可发现，虽然普冉股份的研发投入水平均不高，但是 2020年度其研发回报水平却在可比公司中位居前列。尤其是在人均扣非归母净利润方面，除了韦尔股份由于净利润相较去年同比增长 571.77%，其科研人员人均净利润高达 1.37 百万元/人位居第一以外，普冉股份以 0.88 百万元/人的人均净利润领跑聚辰股份、兆易创新和上海贝岭(0.74、0.70、0.75 百万元/人)。再考虑到普冉股份成立较晚，尚属非常“年轻” 的公司，同时科研投入的回报具有滞后性，所以公司拥有较高的研发回报水平更为不易。研发

2、成果方面，普冉股份发明公布的专利发布数量不断增长。普冉股份科研人员人均发明公布专利数量处于中等水平。从下表数据来看，普冉股份的发明公布专利数量和聚辰股份、韦尔股份相近，但是远低于上海贝岭和国内行业龙头兆易创新。此外，公司的科研人员人均发明公布专利数量处于中等偏下水平，但考虑到公司成立的年份较晚，其未来取得的研发成果或有望高于大部分同业公司。同时，企查查数据显示，普冉股份 2021 年发明公布的专利发布数量达 23 个，远高于 2020 年的水平(8 个)，呈快速增长的趋势。总结来看，公司以创新性技术进入市场，带来早期低技术投入密度和高技术回报水平并存的特殊局面。公司研发在同业可比公司中呈现低研

3、发投入和高研发回报水平并存的情况，这在年轻的科技公司中并非常见。我们认为究其原因主要是公司以 SONOS 工艺创新性地迁移到 NOR Flash 的产品市场中。相比传统的 ETOX 技术，SONOS 技术在中小容量 NOR闪存芯片设计研发中具备独到的优势，该技术路线的天生优势使得对该技术的研发投入为公司带来更高的单位回报水平。下文将对该技术进行具体阐述。技术眼光独到，公司采用市场中较少的 SONOS 技术平台用于 NOR Flash 的设计开发，实现差异化优势。SONOS 技术被广泛应用于嵌入式闪存的研发设计，例如赛普拉斯就将其运用于 MCU 类产品中 PSoC 系列产品的研发设计。但目前 NOR Flash 闪存市场中的主要参与者包括兆易创新、华邦、旺宏等 NOR Flash 企业均采用 ETOX 技术为基础技术平台开发其相关产品。因此，我们认为普冉股份剑走偏锋，创新性地将 SONOS 基础技术迁移到 NOR Flash 闪存产品的开发设计中，说明公司管理层具有独到的技术眼光。