连城数控-公司首次覆盖报告：“专精特新”践行者尽享光伏和半导体行业景气-210905（15页）.pdf

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1、单晶炉和光伏切割设备是单晶硅制造的核心设备，合计市场规模预计超 200 亿元。单晶炉、开方机、切片机、磨床等设备均为单晶硅生产和单晶硅片加工的核心设备，新增单晶硅产能所带来的配套需求驱动核心设备进入放量期。根据连城数控公开发行说明书披露，建设 1GW 单晶硅片产能需要配置 100 台单晶炉(10MW/台)、16 台单晶截断机、2 台单晶开方机、6 台磨床和 8 台金刚线切片机。经公司测算，单晶炉和单晶设备的市场空间约为 207 亿元，具体测试过程如下：设备平均单价：根据连城数控公开发行说明书，单晶炉/单晶截断机/单晶开方机 /磨床/金刚线切片机平均单价分别约为 120/180/170/140/

2、160 万元(不含税)。新增产能：2021 年和 2022 年单晶硅(非铸锭)新增产能增速采用三年移动加权平均法预计分别为 51.13%和 58.62%，对应新增产能为 113.2GW 和 171.2GW， 2020 年至 2022 年的平均新增产能为 119.5GW。市场规模：单晶炉/单晶截断机/单晶开方机/磨床/金刚线切片机 2020-2022 年均市场规模分别为 143.4/34.30/4.06/10.04/15.30 亿元，合计约为 207.16 亿元.。半导体需求景气驱动硅片原材料需求大幅提升，自主可控驱动国内硅片产业快速发展。随着能源革命的崛起，光伏、电动汽车等新能源下游拐点已至，

3、目前已加速进入放量阶段。新能源下游(光伏和电动汽车)的明显将征定管生里人次用而半导持续时间超预期的影响后，全球半导体严业链进入了平儿的於贝尔9持术辟在等庖体晶圆所需要的最重要原材料硅片却因品控要求极为严格且存在较高孜不生坐寸尔因长期依赖进口。根据智研咨询数据，日本信越Shin-Etsu、日本胜高 SUMCO、中国台湾环球晶圆、德国世创Siltronic和韩国LGSiltron/SKGroup占据超过90%的平导体大硅片市场份额。为改变大硅片严重依赖进口的形式，国内硅片项目加速启动，根据芯思想研究院数据，截止到2019年7月，国内8-12英寸大硅片项目总投资额已到达1409亿元。随着大硅片项目投

4、资的持续推进，国产硅片制造设备厂商势必迎来发展良机。SiC开辟功率半导体全新赛道，新能源汽车驱动需求快速增长。硅材料是当前制备半导体芯片和器件最主要的原材料，但其性能已无法满足新能源车、高铁等下游应用对于高功率和高频率的性能需求，于是第三代半导体材料SiC应运而生，被认为将成为制备高压及高频器件的全新衬底材料。具体体现在: (1)耐高压，SiC被称为宽禁带半导体材料(宽禁带是评价半导体材料击穿电压高低的重要指标)，其中主流的4H型SiC 的禁带宽度( 3.2eV)约为硅材料( 1.12eV)的3倍，击穿电压强度约为硅材料的12倍(SiC/Si击穿电压为 3.5/0.3 MV/cm )，是制备高压功率器件的最佳材料之一; (2)耐高温，SiC 的极限工作温度可以达到600摄氏度，而硅材料极限温度仅为300摄氏度。此外，SiC热导率约为硅材料的3倍，在同样的输出功率下能够保持更低的温度，降低功率器件对于散热的要求;()高频率，SiC的饱和电子漂移速率是硅的2倍，在相同条件下，SiC器件可以实现更高的工作频率和功率密度。因此,基于SiC衬底的器件使用极限性能明显优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，SiC将开辟功率半导体的全新赛道。三代半导体材料性能指标参数全对比: SiC在击穿电压、高温、高频等方面明显优于Si。