2021年三安光电公司布局射频业务与LED行业研究报告（28页）.pdf

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1、公司射频前端主要涉及 HBT 和 PHEMT 两种工艺，PHEMT 有望应用于 5G 产品。HBT 是一种二极管工艺，这种工艺可以实现射频前端输入去噪，同时可以使得后端输出更接近线性化。PHEMT 是一种晶体管工艺，又称为 MODFET，其结构特征是在沟道内形成电子云（深红色部分），电子云可以使得 MODEFT 实现高频运作。HBT 主要用在 PA 上，PHEMT 主要用在 WiFi 的 LNA 上。射频前端市场将驱动砷化镓市场规模的增长。根据 Yole 数据，前端射频市场规模手机等的普及不断扩大，PA 模组的规模预计将从 2018 年的 60 亿美元增长到 2025 年的 194 亿美元；其

2、中，滤波器和双工器预计将从 31 亿美元增长到 2025 年的 51 亿美元；LNA 将从 9 亿美元增长到 17 亿美元。Yole 预计 GaAs 射频应用市场将从 2018 年约 27.5 亿美元增至 2023 年的 35 亿美元。除射频前端外，砷化镓还被用在 DFB 激光器和 VCSEL 激光器上。DFB 激光器是一种边发射型激光器，主要用于光纤通信用，价格较高，但使用量少。VCSEL 激光器前景广阔，在诸多领域都具有应用前景，有望驱动砷化镓市场扩大。VCSEL 全称垂直腔面发射激光器，区别于边发射性激光器，VCSEL 的发射面垂直于衬底面。这样的结构容易构建集成阵列，因此在消费电子、通

3、信、汽车激光雷达、3D 人脸识别、AR/VR 等领域得到广泛应用，处于需求爆发前期。根据 YOLE 的预测，VCSEL 激光器的市场规模有望从 2020 年的 11 亿美元增长到 2025 年的 27 亿美元，年复合增速 18.40%。砷化镓芯片制造各环节仍由国外厂商占据主导。外延片方面，IQE、VPEC 和 Sumitomo 三家公司垄断市场，市占率约 92.00%；晶圆代工稳懋一家独大，市占率 71.10%；元器件方面Skyworks 和 Qorvo 两家公司的市场占有率超过 58.30%。在制造的整体过程中，国产化率都较低，国内企业的竞争力亟待提升。声表面波滤波器（SAW Filter）是利用压电基片的压电效应和表面波传播的物理特性所制成的一种射频芯片。其工作原理是在输入端通过压电效应将电信号转为声信号在介质表面上传播，而在输出端由逆压电效应将声信号转为电信号。声表面波滤波器由压电基片及其表面的叉指换能器组成。其中，压电材料是指受到压力作用在其两端面会出现电荷的基片；叉指换能器是指压电基片上交叉排列的金属电极，分为输入和输出换能器。声表面波滤波器是射频前端中的重要芯片，射频前端包括射频开关（Switch）、低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）、滤波器（Filter）和双工器（Duplexer）等芯片。