2021年HIT产业化进程与迈为股份公司前景分析报告（20页）.pdf

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1、公司通过丝网印刷设备起家，迅速成为行业龙头。自 2010 年完成首台 印刷样机以来，公司快速进行国产替代，其产品性能不弱于进口设备 的同时拍速占优，价格更低，当前在丝印环节市占率超过 70%。丝网 印刷设备应用于电池片生产后道工序，包括全自动太阳能电池丝网印 刷机、自动上片机、红外线干燥炉等生产线设备。迈为丝印设备性能 行业领先，其印刷产能可达单轨 3400 片/小时，双轨 6800 片/小时，碎 片率小于 0.1%，印刷精度等指标均行业领先。 公司成功开拓激光 SE 和激光开槽设备，是少数具备 HIT 整线设备生产 能力的厂商。依托丝印累积的优势，迈为积极向光伏电池设备产业链 的上下游延伸。

2、2018 年公司在激光开槽设备和 SE 激光掺杂设备上均实 现突破，完成了全自动太阳能电池片双轨激光辅助选择性扩散(SE) 和双轨激光开槽(Perc)等项目的研发。2020 年 8 月，迈为中标安徽 宣城开盛新能源异质结整线设备订单，证明其已具备异质结整线设备 供应能力。除制绒清洗设备技术源于 YAC 外，HIT 电池核心工序 PECVD 及 PVD 环节设备均由迈为自主研发完成，整线设备产能达 8000 片/小 时。目前迈为已专门为 HIT 电池开发整线自动化和数据采集系统，并拥 有一支专业的 HIT 装备研发团队，专注研发适用于光伏场景的大产能、 低成本 PECVD、PVD、丝网印刷、高精

3、度串焊机等核心生产设备。TOPCon(隧穿氧化层钝化接触)电池是在传统太阳能电池钝化结构上 的进一步升级。TOPCon 电池结构为 N 型硅衬底，先在电池背面制备一 层超薄氧化硅，后再沉积一层掺磷的微晶非晶混合硅薄膜，二者共同 形成钝化接触结构，可有效降低表面复合和金属接触复合。核心工艺 隧穿层及多晶硅层的制备主要有两种方式：1)LPCVD(低压化学气相 沉积法)：在硅基表面依次形成隧穿氧化层和多晶硅层，然后通过原 子位离子注入的方法精确控制掺杂原子的剂量和在多晶硅中的分布以 形成钝化接触结构;2)PECVD(热硝酸氧化法)：经 PECVD 沉积掺磷 非晶硅，然后高温扩散退火，使其由微晶非晶混合相转化为多晶，提 供场致钝化效果，并对载流子选择性透过，从而形成钝化接触结构。 LPCVD 制程温度高，沉积薄膜均匀，无需反应气体，可降低颗粒污染源; 而 PECVD 依靠射频感应产生的灼热放电，将能量转换到反应气体上， 优势是制程温度更低、镀膜速率更高，但缺点则包括：1)镀膜均匀性 较差;2)由于粘附性不强，存在微尘物污染问题;3)PECVD 速率高导 致硅烷中氢气无法释放，后续高温退火过程中会出现爆膜现象。