深圳市江波龙电子股份有限公司招股说明书（408页）.pdf

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1、易失性存储主要指随机存取存储器(RAM)。RAM 需要维持通电以临时保存数据供主系统 CPU 读写和处理。由于 RAM 可以实现对数据的高速读写，因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。RAM 根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，进一步分为动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)。动态随机存取存储器(DRAM)需要在维持通电的同时，通过周期性刷新来维持数据，故称“动态”存储器。DRAM 结构简单，存储 1 个比特(bit)数据通常仅需一个电容和一个晶体管来处理，因此单位面积的存储密度显著高于SRAM，但访问速度慢于 SRAM;此外，由于晶体管会有漏

2、电电流，电容所存储的电荷数量不足以正确的判别数据，需要周期性刷新以维持正确的数据，因此DRAM 功耗较 SRAM 更高。静态随机存取存储器(SRAM)在存入数据后，只要保持通电即使不刷新亦能维持数据。SRAM 通常需要多达六个晶体管处理 1个比特(bit)数据的存储，存储密度显著较低，但访问速度极快，故多用于电子系统的二级高速缓存。非易失性存储主要指只读存储器(ROM)，无需持续通电亦能长久保存数据的存储器。早期的 ROM 产品信息首次写入后即固定下来，以非破坏性读出方式工作，只能读出而无法修改或再次写入信息，故称“只读”存储器。ROM 经过不断演变发展，经过掩膜只读存储器(Mask ROM)

3、、可编程只读存储器(PROM)、可编程可擦除只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器(Flash)等阶段，已经突破原有的“只读”限制。Flash 主要包括NAND Flash 和 NOR Flash。NAND Flash 是使用电可擦技术的高密度非易失性存储。NAND Flash 每位只使用一个晶体管，存储密度远高于其他 ROM;在正常使用情况下，Flash 所存的电荷(数据)可长期保存;同时，NAND Flash 能够实现快速读写和擦除。NAND Flash 为大容量数据存储的实现提供了廉价有效的解决方案，是目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。N

4、OR Flash 特点在于允许 CPU 直接从存储单元中读取代码执行(eXecute In Place, XIP)，即应用程序可直接在 Flash 内运行，而不必再读到系统 RAM 中;但NOR Flash 写入和擦除速度慢，因此不适宜作为大容量存储器，仅在小容量场景具有成本效益。利用集成电路实现特定系统功能，在半导体产业可以通过两种路径实现：系统级芯片SoC(System on Chip)与系统级封装 SiP(System in Package)。SoC 是从集成电路设计的角度出发，将目标系统功能高度集成到单一的集成电路中，形成单个芯片。SiP 是从集成电路封装的角度出发，为实现目标系统功能，在封装环节将具有多个功能的不同芯片(如 DRAM+NAND Flash、CPU+存储器等)一体集成封装。SoC 的难点在于集成电路设计，而 SiP 主要难点在于集成封装方案设计。在半导体存储领域，存储企业利用 SiP 技术能够跨种类开发出多芯片封装存储方案，如集成封装 LPDDR 与 eMMC 形成 eMCP、ePoP 等层叠封装存储器;同时亦能够利用SiP 封装技术实现客制化功能、缩小存储模组尺寸等。