江苏宏微科技股份有限公司招股说明书（451页）.pdf

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1、经过十多年技术沉淀和积累，公司已在 IGBT、FRED 等功率半导体芯片、单管和模块的设计、封装和测试装等方面积累了众多优秀核心技术。其中芯片领域的核心技术主要包括微细沟槽栅、多层场阻断层、虚拟元胞、逆导集成结构等 IGBT 芯片设计及制造技术;软恢复结构、非均匀少子寿命控制技术等 FRED 芯片设计及制造技术;高可靠终端设计等高压 MOSFET 芯片设计及制造技术等。截至 2020 年 12月 31 日，公司已获得 10 项芯片设计的发明专利;封装领域的核心技术主要包括低分布参数的模块布线、银烧结、铜端子键合等技术，截至 2020 年 12 月 31 日，公司已获得 25 项封装技术的发明专

2、利。公司积极组织或参与国家 IGBT 相关标准的制定，以及承担国家和省部级科技重大项目等。公司作为主要起草单位之一，制定了已实施的 1 项国家标准和10 项团体标准，以及已发布即将实施的 2 项国家标准和尚未发布的 5 项 IGBT相关行业标准。其次，公司承担了多项国家级及省部级研发项目，包括 5 项“国家 02 重大专项”、2 项“国家科技部 863 科技计划项目”、“江苏省科技成果转化项目”等重大项目。截至 2020 年 12 月 31 日，公司已拥有授权专利 95 项，其中发明专利 35 项。基于以上技术优势，公司开发了一系列颇有竞争力的产品，公司在 IGBT、 FRED 芯片等技术不断提升，产品迭代速度较快，公司成功开发的宏微第三代M3i、宏微第四代 M4i 的 IGBT 以及 FRED 产品等，各项性能指标与英飞凌同类产品接近，属于国内进口主流产品的技术水平，推动了我国功率半导体器件产品技术水平的提升。报告期内，公司研发投入占营业收入的比重分别为 8.42%、9.46%和 6.94%，保持在较高的水平，未来公司将持续进行研发投入，以确保持公司的技术先进性和提升创新能力。