1、 刻蚀设备分为 CCP 刻蚀(市场规模 48 亿美元)、ICP 刻蚀(市场规模 76 亿美元)、ALE、其他刻蚀设备，中微目前已开发 CCP 和 ICP，未来也会布局 ALE 和其他刻蚀设备。 中微的 CCP 刻蚀：(1)在国内领先 3D Nand 厂的市占率：64 层产线的市占率为 34%，128 层产线的市占率为 35%;(2)在国内 28nm 晶圆厂的市占率为 39%。(3)在中国台湾地区某晶圆厂的22nm 产线的市占率为 22%，在中国台湾地区某晶圆厂的 14nm 产线的市占率为 24%;(4)在中国台湾地区某 DRAM 厂的 20nm 产线的市占率为 26%(9/22 layer)、
2、37%(12/22 layer)。(5)在成熟制程(如 55 纳米)，中微的 CCP 市占率已经超过 50%。 中微的 ICP Nanova 在线设备规模在 2020 年达到 55 个反应腔，工艺应用项目达到 70 个，主要向Logic 客户、3D Nand 客户提供，而 2021 年 ICP 的 3D Nand、DRAM 客户会大比例增加采购量。CCP 与 ICP 刻蚀技术比较等离子体刻蚀设备包括电容性等离子体刻蚀设备(CCP, Capacitively Coupled Plasma)和电感性等离体刻蚀设备(ICP, Inductively Coupled Plasma)。ICP 刻蚀技术从 80 年代开始出现，目前其市场份额已经超过 CCP，即相当于超过了 50%的刻蚀市场。
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