2021年中微公司竞争优势与成长空间分析报告（25页）.pdf

1、 高端半导体设备扩产升级项目(投入进度 44%)：中微高端半导体设备的扩产升级计划包括采购不同类型的刻蚀设备及 MOCVD 设备的 Beta 机, 采购扩产升级所需的必要生产辅助设备和软件, 储备扩产升级所需的气体、衬底等关键原材料,建设改造原有的生产厂房和仓储设施, 以进一步扩大公司高端刻蚀设备和 MOCVD 设备的 生产能力及在相关领域的应用。而项目包括高端刻蚀设备扩产升级( 包括 Primo AD-RIE、Primo SSC HD-RIE 和Primo nanova 等);高端 MOCVD 设备扩产升级(包括高产能蓝绿光 LED MOCVD、高温 MOCVD、硅基氮化镓 GaN功率应用

2、MOCVD、基于 LED显示应用的 MOCVD 设备等);配套建设施工(包括洁净室改造、新增组装测试工位改造以及仓储设施 改造)。 技术研发中心刻蚀设备建设升级项目(资金投入进度 73%)：建设地点在上海金桥出口加工区南区现有厂房，先进刻蚀设备研发包括先进逻辑电路的 CCP 刻蚀设备、用于存储器的 CCP 刻蚀设备及更先进的 14-7nm ICP刻蚀设备等; 制造逻辑器件所用的 5-3nm 电容性等离子体介质刻蚀技术CCP 设备的开发以及针对 FinFET 结构的逻辑电路芯片工艺;开发具有超高深宽比(60:1 及以上)的存储器芯片等离子体介质 CCP 刻蚀技术, 主要应用于存储器电路的接触孔、

3、通道孔和深槽的刻蚀;5-3nm 电感式等离子体刻蚀技术 ICP 设备的开发能满足 5-3nm逻辑芯片、1X 纳米的 DRAM 存储芯片, 以及 96 层以上 3D NAND 闪存存储芯片生产的先进工艺需求;开发用于 5-3nm 逻辑芯片制造中的多层掩膜刻蚀、边墙刻蚀、 减薄刻蚀、双重图形、四重图形等多种工艺的刻蚀技术。 技术研发中心 MOCVD 设备建设升级项目：先进 MOCVD 设备研发，其中包括下一代高产能蓝绿光 LED MOCVD Alpha 机、基于下一代硅基氮化镓功率应用 MOCVD 试验平台、基于 Mini LED 显示应 用的 MOCVD 试验平台、基于 Micro LED 显示

4、应用的新型 MOCVD 试验平台等; 开发适用于深紫外 LED 应用的高温 MOCVD 技术;开发适用于 Mini LED 大规模量产的氮化镓 MOCVD 技术，其中包括改进载片托盘的温度均匀性, 开发 6 英寸衬底 Mini LED 工艺技术, 满足 Mini LED 外延片所需的波长均匀性, 并达到一炉生产 18 片 6 英寸外延片 的生产能力;开发适用于 Micro LED 大规模量产的氮化镓 MOCVD 技术，实现优异的波长和厚度均匀性, 使 6 英寸蓝宝石或 6-8 英寸硅基外延片的波长均匀性小于 0.8 纳米, 厚度均匀性小于0.8%, 并实现低表面颗粒度, 满足 Micro LED 对 MOCVD 技术的要求;开发一种专门针对硅基氮化镓外延材料生长的 MOCVD 技术, 满足第三代半导体产业(提供更高的临界电场强度, 更低的开态电阻, 更快的开关频率,更高的系统效率)对新型 MOCVD 设备的需求。而 2021 年有第二次定增，预计发行股票上限为 8022.9 万股(以 118.8 元