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1、对碲镉汞探测器的性能影响也很大。相比之下,量子阱材料优点如下:生长技术成熟,并且生长面型均匀,受控性好;价格低廉、产量大、热稳定性高。量子阱红外探测器(QWIP)拥有较高的热灵敏度以及均匀性,同时其材料生长和生产工艺比较成熟,生产成本适中,便于规模化装备,方便多色谱大面阵器件的单片集成。国内的昆明物理研究所在 2017 年公布了阵列规模为 640512、中心距为 20m 的偏振长波量子阱红外探测器的研发成果并成功制备出红外面阵探测器芯片。配合制冷器组件的使用,长波偏振量子阱探测器组件的 NETD 低于 30mK。由于该探测器不但拥有较高的物理分辨率,同时可以获取被测物的偏振信息,这对探测能力的
2、提升起到重要的促进作用。但是,量子阱探测器的结构特殊性使得正入射光无法很好地被探测器吸收,致使量子阱探测器的量子效率并理想。锑化物类超晶格却不存在这种问题,它能很好地吸收正入射光且不需要任何光栅,因此它拥有较高的探测灵敏度,几乎可以与碲镉汞相媲美。和带间吸收一样,通过光学吸收机制,类超晶格探测器可以实现高达 81%的量子效率。同时,它的隧穿电流和暗电流均较小,对工作温度的要求相对宽松。类超晶格探测器材料使用族和族元素,采用光伏原理制成。作为新一代的光电器件,类超晶格拥有无限的发展潜力和广阔的应用前景。 InAs/GaSbII 类超晶格材料自1987 年就开始被应用于红外探测,它具有量子效率高,
3、器件均匀性好,暗电流低以及覆盖光谱范围广(3m30m)等优点。美国西北大学在 2012 年研发出了阵列规模为 10241024 的 II 类超晶格长波红外探测器,在温度为 68mK 时 NETD 达到 22.5mK,量子效率约为 78%。国内的上海技术物理研究所也研制出了截止波长为 12.50m 的长波InAs/GaSb 类超晶格红外探测器。高德红外在 2015 年第七届中国(北京)国际光电展览会上首次对外发布了其新研的 类超晶格红外探测器。截止目前,公司发布的产品中C615S LWIR 类超晶格长波制冷红外焦平面探测器性能优越,其像元间距为 15m,阵列规模为 640512。同时,公司也具备制造类超晶格双色探测器的能力,根据公司最新公告,研制出国内首款基于锑化物类超晶格的 12801024、15m 像元间距的中中波双色焦平面探测器经过科技成果评价,填补了国内空白,其中关键指标NETD 在两个波段都小于20mK,双色探测器像素12801024,达到国际领先水平。