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【研报】新三板TMT行业专题系列报告之十四:第三代半导体先天性能优越潜在市场空间巨大(10页).pdf

上传人: 木*** 编号:37687 2021-05-25 10页 1.33MB

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本文主要介绍了第三代半导体材料(氮化镓GaN和碳化硅SiC)的优越性能、市场空间和国产替代空间。 1. 第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电常数小和抗辐射能力强等特点,可满足现代电子技术对高温高频、高功率、高辐射等恶劣环境条件的要求,市场空间巨大。 2. 2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元,预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度,到2022年市场规模将达到623.42亿元。 3. 目前第三代半导体产业链各环节以欧美、日韩和中国台湾企业为主,大陆企业在技术实力、产能规模和市场份额方面与领先企业均具有不小差距,市场话语权较弱,国产替代空间广阔。 4. 投资建议:与前两代半导体相比,第三代半导体物理特性优势明显,下游应用广泛,未来成长空间广阔,相关厂商有望迎来较好的发展机遇。
第三代半导体市场前景如何? 国产半导体替代空间有多大? 投资第三代半导体有哪些风险?
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