【公司研究】新洁能-四大核心驱动力MOSFET龙头成长路径清晰-210515（25页）.pdf

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1、三分别是英飞凌、安森美和华润微，市占率分别为 28.4%、16.9%和 8.7%。 IGBT 市场同样英飞凌一家独大，全球市占率达到 37%，其后的安森美和富士电气市占率达到 10%和 9%。功率器件高端应用市场和技术基本被国外企业垄断。在市场方面，国内轨道交通、通讯基站等高端应用领域的 MOSFET 及IGBT 产品主要被国际巨头垄断，尤其在超低能耗高可靠性功率器件细分市场，几乎全部被国际一流半导体企业垄断。在技术方面，一些半导体功率器件关键技术仍掌握在少数国外公司手中;以高端功率 MOSFET 为例，国际一流半导体企业如 英飞凌、安森美、意法半导体等均已推出全球先进技术的屏蔽栅功率MOSF

2、ET 和超结功率 MOSFET，而国内仅有少数几家企业具备研发设计能力并推出相关产品。国内厂家有望在功率半导体领域实现逐步替代。目前英飞凌无论在MOSFET、IGBT 器件还是 IGBT 模块上，都是市占率排名第一。中高端产品生产厂商主要集中在欧洲、美国和日本地区;中国台湾地区也是较大的功率半导体产地，厂商大多属于 Fabless 厂商，产品主要集中在中低端领域。我国半导体厂商产品主要集中在二极管、中低压 MOS 器件、晶闸管等低端领域，生产工艺成熟且具有成本优势。我们认为，由于以下几点原因使得国内功率器件厂商如设计公司新洁能、斯达半导，IDM 厂商如华润微、士兰微等，在功率半导体领域将加速实

3、现国产替代：1. 下游厂商为保障供应链安全，给予国内企业更多机会参与同台竞技。功率器件对产品性能和耐用性起到至关重要作用，因此下游厂商缺乏动力替换供应商。即使产品性能一致，国内厂商也缺乏机会进入供应链。而在保证供应链安全的需求下，国内厂商有更多机会参与送样，实现供应链的突破。2. 制程工艺成熟，国内企业与国际一流技术水平差距缩小。因为模拟电路设计和工艺制程更新速度相对较慢，所以国内厂商有机会拉近与一流水平的差距，以 BCD 工艺制程为例，目前华虹无锡 12 英寸厂的 90 纳米 BCD 工艺平台是世界先进水平。3. 主要功率器件消费市场在中国。中国是全球最大的汽车、消费电子、光伏新能源等终端生产国，广阔的国内市场给予国内功率半导体厂商充足的空间开拓市场。4. 国内企业更贴近用户，便于配合客户做定制化开发。由于国际功率半导体企业大部分研发部门在海外，部分客户的定制化需求不能得到及时的满足。而国内功率企业研发团队更贴近客户，能更方便地满足客户针对不同场景的定制化需求。