【公司研究】迈为股份-HIT黄金赛道领跑者-210328（22页）.pdf

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1、我们认为下一代技术路径很可能是异质结+钙钛矿叠层。a.叠层电池结构可减少传统单结电池结构导致的效率损失。单结电池效率损失主要来自高于带隙能量光子的热化损失，以及低于带隙能量光子不能被吸收利用的损失。叠层电池通过宽带隙的顶电池结合窄带隙的底电池，采用不同禁带宽度的材料吸收不同能量的太阳光，从而提升电池光电转换效率。b.钙钛矿材料是叠层材料理想选择，与晶硅共同制成叠层电池光电转换效率大幅提升。钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的理论光电转换效率达43%，钙钛矿材料光吸收系数高、载流子迁移率高、载流子寿命长使其具有优异的光电特性，且具有带隙可调（通过成分调控可以实现带隙在 1.4-2.2eV 之间变化）和工

2、艺简单的特点，是理想的顶电池材料。晶硅电池具有 1.12eV 的合适带隙宽度、高开路电压、高光电转换效率、低制备成本等优点，是理想的底电池材料。c.HIT与钙钛矿在制备工艺上适配度更高。其一，Perc 与 TOPCon电池均在高温环境制备，而 HIT电池目前制备温度低于 200，与钙钛矿材料工艺在温度条件上匹配度较高。其二，HIT可与钙钛矿共用一层 TCO薄膜从而降低成本（如果钙钛矿采取两端法结构，则必须要和 HIT共用 TCO，四端结构则无此要求）。由于 HIT 电池在制备环境、工艺流程上与 Perc电池产线兼容性低，需要进行新的产能投资，而相关技术还在快速变革，因此不少企业仍处观望状态。目

3、前国内已有包括通威、晋能、华晟、中智、东方日升、山煤、爱康等多家企业有意或已投产 HIT 电池。当前时点，数家先行厂商的生产结果值得关注：1)安徽华晟生产数据(关注银耗);2)阿特斯半片生产数据;3)爱康 RPD 生产数据。我们认为生产数据出炉后，越来越多的企业将会投产已具有性价比的 HIT电池，HIT产业化进程不会放缓。当前HIT 生产成本较高，后续降本空间广阔当前时点，我们测算 HIT生产成本相较于 Perc高约 0.25元。由于 HIT采用 N 型硅片，因此硅片成本较高。此外，非硅成本差异较大，非硅成本差异主要源于银浆浆料成本、靶材成本及设备折旧成本。HIT工艺正在快速进化，后续硅片、银

4、浆、靶材、折旧等方面降本空间极大。 减薄硅片厚度大幅降低硅片成本，P、N 型硅片未来价差收窄硅片减薄大幅降低硅片成本Perc及 TOPCon电池工艺均涉及高温工序且工艺步骤较多，不利于硅片的薄片化制作。HIT是低温工艺，工序较少，可以使用更薄的硅片，松下已实现薄至 100 微米硅片，假设现在硅片厚度约 170 微米，预计两年后 N 型硅片厚度在 120微米，以 M6 每片价格 3.575 元(含税)、功率 6.58W、金刚线径 60微米测算，硅片减薄带来成本降幅约 0.118 元 /W。在当前硅料紧缺的情况下，HIT单 W硅耗低的优势更加明显。P、N 型硅片价差未来大概率收窄HIT电

5、池使用N型硅片，对生产原料、生产工艺要求更严格，因此价格更贵。N型硅片少子寿命(1000s)远高于 P 型硅片(50s)，由于掺杂磷元素不会形成硼氧原子对，N型硅片光致衰减很低。目前 N型料还依赖进口导致 N 型硅片较 P 型价格高约 10%。理论上来说，颗粒硅的产品特性更适合使用 CCZ 工艺生产 N 型硅片，目前颗粒硅仍存在氢跳、硅粉表面积大易吸附杂质等问题：由于颗粒硅表面存在悬挂键，氢与悬挂键结合，熔化时释放氢气进而发生跳料。若能通过工艺升级解决这些问题，则N型片与P型价差收窄，HIT性价比进一步超越P-Perc。低温银浆技术壁垒较低，银价、银耗将双降国产化+放量后，预计银浆价格下降光伏

6、银浆是一种以银粉为基材的功能性材料，是由高纯度(99.9%)金属银微粒、玻璃氧化物、有机树脂、有机溶剂等所组成的一种机械混和物浆料，呈粘稠状，在光伏产业中主要应用于电池的正背面电极。由于 HIT 电池制程温度低，因此主要使用低温银浆，其生产工序主要分为配料、混料、搅拌、三辊混合、过滤包装五大步骤。制备低温银浆主要的技术壁垒在于：a. 配方选择：1)要解决降低电极线电阻和提升电极焊接附着力之间的技术矛盾，在降低电极线电阻的同时保证电极的长期可靠性。由于高温银浆使用的 1-3m 球形银粉无法在低温工艺中使用，配料过程中