《分立器件行业走进“芯”时代系列之八十“功率半导”深度分析：“功率半导”铸全球竞争护城河产品格局看“底部”机遇-240605（48页）.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《分立器件行业走进“芯”时代系列之八十“功率半导”深度分析：“功率半导”铸全球竞争护城河产品格局看“底部”机遇-240605（48页）.pdf（48页珍藏版）》请在三个皮匠报告上搜索。

1、证证券研究券研究报报告告本报告仅供华金证券本报告仅供华金证券客户客户中的专业投资者参考中的专业投资者参考请请仔仔细细阅阅读读在在本本报报告告尾部尾部的的重重要要法法律律声声明明“功率半导功率半导”铸全球竞争护城河，产品格局看铸全球竞争护城河，产品格局看“底部底部”机遇机遇走进走进“芯芯”时代系列之八十时代系列之八十“功率半导功率半导”深度分析深度分析2024年6月5日分析师：孙远峰S0910522120001分析师：王海维 S0910523020005联系人：吴家欢S0910123110007分立器件分立器件/行业深度报告行业深度报告领先大市领先大市-A-A（首次）（首次）2请仔细阅读在本报告

2、尾部的重要法律声明国产功率参与全球化竞争，长期空间足，板块估值处历史底部国产功率参与全球化竞争，长期空间足，板块估值处历史底部u国产功率参与全球化竞争，产品与技术从国产功率参与全球化竞争，产品与技术从“缓慢追赶缓慢追赶”到到“逐步领先逐步领先”，积极拓展海外市场。，积极拓展海外市场。国产功率厂商近几年快速进行技术升级与产品迭代，与国际龙头厂商差距显著缩小甚至在特定领域内快速取代海外龙头成为核心供应商，并且形成不可逆转的主流趋势。在二极管/IGBT模组领域，国内厂商建立强护城河，全球市占率显著提升，替代空间足，同时运用海外品牌或海外建厂等方式积极拓展海外市场，龙头企业海外销售占比有望进一步提升。

3、MOSFET方面，AI服务器的快速放量提供增量空间，国产MOSFET替代空间足。u车规主驱车规主驱IGBTIGBT模块供给格局逐渐稳定，模块供给格局逐渐稳定，20242024年为国产年为国产SiC MOSFETSiC MOSFET主驱规模放量元年。主驱规模放量元年。车规IGBT模组供给侧格局逐渐稳定，经过过去3年终端数据统计，车企更倾向于稳定性/可靠性占优的龙头供应商，由于缺货带来的多家供应的格局将逐渐向头部龙头企业集中。2024年为国产SiC MOSFET主驱规模放量的元年，8寸线逐渐落地，预计沟槽型SiC MOSFET也逐步追赶国际大厂。其中，性能指标（包括比导通电阻/短路耐受时间等）、产

4、能（优先考虑产能供给充沛厂商）以及高可靠性成为终端车企关注重点。我们认为，具备领先SiC模块封装能力、充分的产能配套能力以及产品高可靠性的龙头企业有望充分受益。u国产功率（上市公司）全球市占率约国产功率（上市公司）全球市占率约21%21%，长期替代空间足，短期需求缓慢恢复格局优化，板块处于估值底部。，长期替代空间足，短期需求缓慢恢复格局优化，板块处于估值底部。根据我们统计，上市功率公司2023年营收合计为443亿元，全球市占率约为21%，Omdia预计2026年全球功率半导体市场规模将增长至358.65亿美元（约2600亿元），长期看国产功率厂商将与国际大厂同台竞争替代空间足，短期来看，终端需

5、求逐季复苏，产能充裕供给侧相对过剩，但格局上看会逐渐向头部厂商集中优化，当前功率板块处于历史估值底部，建议关注扬杰科技（双品牌运营，积极开拓海外市场）、斯达半导（车规扬杰科技（双品牌运营，积极开拓海外市场）、斯达半导（车规IGBTIGBT龙头，龙头，SiC SiC MOSMOS步入快速放量阶段）、华润微（国产步入快速放量阶段）、华润微（国产MOSFETMOSFET领先，领先，1212寸产线多品类布局）、新洁能（寸产线多品类布局）、新洁能（AIAI服务器等新兴应用占比提升）、芯联集成（服务器等新兴应用占比提升）、芯联集成（8 8寸寸SiC MOSSiC MOS产线进展顺利，国产车规系统解决方案提

6、供商）。产线进展顺利，国产车规系统解决方案提供商）。u风险提示：风险提示：下游需求低于预期、产品同质化严重竞争激烈盈利能力低于预期、技术迭代低于预期等。eZeZcWbZ8XeZeUaYbRaOaQpNoOpNmQfQqQrPlOpPqOaQmMyRxNnOmMvPmNqN 3请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明目录目录0102040305国产二极管国产二极管/IGBT/IGBT模组全球市占提升，模组全球市占提升，AIAI服务器贡献服务器贡献MOSMOS新应用新应用车规主驱车规主驱SiC MOSFETSiC MOSFET国产放量元年，国产放量元年，“器件器件”环节环节“性能性能/产能产能/可靠性