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1、 敬请参阅末页重要声明及评级说明 证券研究报告 存储行业已处周期底部，新需求加速拐点到来 Table_IndNameRptType 半导体半导体 行业研究/深度报告 行业评级：增持行业评级：增持 报告日期：2023-09-16 Table_Chart 行业指数与沪深行业指数与沪深 300 走势比较走势比较 Table_Author 分析师：分析师：陈耀波陈耀波 执业证书号：S0010523060001 电话：13560087214 邮箱： Table_Report 主要观点：主要观点：Table_Summary 存储厂商盈利能力揭示当前存储行业处于周期底部位置存储厂商盈利能力揭示当前存储行业处

2、于周期底部位置 由于库存水位升高，许多厂商通过产品降价刺激库存消耗。根据美光近期盈利状况，CY23Q1 毛利率为-32.66%，近年来首次为负值，CY23Q2 毛利率为-17.8%，环比上升 14.86pct。根据三星披露的二季度财报，其 DS 部门第二季度营业亏损 4.36 万亿韩元，一季度亏损4.58 万亿韩元，多家机构预计三星 DS 部门全年营业亏损将超过 10 万亿韩元。龙头厂商龙头厂商减产与削减投资减产与削减投资，供给端供给端实现边际改善实现边际改善，有望夯实周期底部，有望夯实周期底部 由于 2022 年下游市场需求疲软，美光与 SK 海力士计划削减 2023 年资本支出 40%50

3、%不等，并对存储芯片进行减产。2023 年 6 月，美光宣布将 DRAM 和 NAND 晶圆开工率进一步减少至近 30%；SK 海力士于 2023 年 7 月宣布扩大减产 NAND Flash；三星已在 2023 年 4 月宣布对存储芯片减产，并在 7 月宣布决定延长减产计划。手机手机市场逐步复苏市场逐步复苏，AI 服务器带来全新服务器带来全新价值价值增量增量 2023 年，随着手机库存去化逐渐成效，并受益于下一代 iPhone 容量规格提高，TrendForce 预测 2023 年手机 DRAM 平均用量同比增长6.7%，优于 2022 年的 3.9%，同时 2023 年智能手机 NAND

4、搭载容量年成长仍能维持 22.1%的高水位。据 TrendForce 数据，AI 服务器平均容量可达 1.21.7TB，预估 2023 年 AI 服务器出货量近 120 万台，年增率近 38%。AI 服务器除原有 DRAM 外还会用到 HBM，因此带来全新价值增量。DRAM 价格跌幅收窄，部分存储产品有望于价格跌幅收窄，部分存储产品有望于 23Q3 涨价涨价 受益于 DRAM 厂商的减产以及季节性需求支撑，存储厂商库存压力得到减轻，TrendForce 预估第三季度 DRAM 均价跌幅将收敛至 05%。从价格走势来看，DRAM 现货价格走势与存储厂商股价呈现一定关联性，两者走势相似。当现货价格

5、跌幅开始收窄时，股价便开始筑底反弹。此外，DRAM/NAND 厂商的价格走势与 NOR 厂商方向一致，但幅度会有所差异。根据 TrendForce 数据，7 月 DRAM 平均固定交易价格环比下跌 1.47%，降幅较 6 月份的下跌 2.86%进一步收窄，并且在现货市场，有部分 DRAM 产品已经止跌，连续两个月持平。因此，随着 DRAM 现货价格跌幅收窄，预计存储板块也将逐步复苏，迎来投资机会。建议关注建议关注 兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、聚辰股份等。风险提示风险提示 下游复苏不及预期风险、存储价格反弹不及预期风险、龙头减产不及预期风险。-29%-19%-8%3%13%24%9/

6、2212/223/236/23半导体沪深300Table_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 2/21 证券研究报告 正文正文目录目录 1.存储芯片市场空间广阔，发展前景良好存储芯片市场空间广阔，发展前景良好.4 2 存储已处于周期底部，有望迎来拐点存储已处于周期底部，有望迎来拐点.5 2.1 供给端：厂商减产与削减投资带来供给端边际改善供给端：厂商减产与削减投资带来供给端边际改善.5 2.2 需求端：手机单机容量提升，需求端：手机单机容量提升，AI 服务器带来全新增量服务器带来全新增量.6 2.3 价格端：价格端：DRAM 价格跌幅收窄，部分存储产

7、品有望于价格跌幅收窄，部分存储产品有望于 23Q3 实现涨价实现涨价.9 3 国内厂商聚焦利基存储，国产替代空间广阔国内厂商聚焦利基存储，国产替代空间广阔.10 3.1 存储行业国产替代空间广阔存储行业国产替代空间广阔.10 3.2 国内部分领先存储厂商介绍国内部分领先存储厂商介绍.12 风险提示：风险提示：.20 fYmNyRvMpMbUaQdN6MpNqQnPsRfQqQyRlOqRzR9PrQrQuOrRsQuOmNsQTable_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 3/21 证券研究报告 图表目录图表目录 图表图表 1 全球半导体细分行业市场

8、规模占比全球半导体细分行业市场规模占比.4 图表图表 2 全球半导体与存储芯片市场增速变化全球半导体与存储芯片市场增速变化.4 图表图表 3 DRAM/NAND/NOR 市场规模与发展趋势市场规模与发展趋势.5 图表图表 4 三星三星/SK 海力士海力士/美光占据存储主要市场美光占据存储主要市场.6 图表图表 5 存储厂商毛利率走势与存储周期同步存储厂商毛利率走势与存储周期同步.6 图表图表 6 龙头厂商减产与削减投资计划龙头厂商减产与削减投资计划.6 图表图表 7 DRAM 下游应用领域占比下游应用领域占比.7 图表图表 8 NAND 下游应用领域占比下游应用领域占比.7 图表图表 9 全球

9、智能手机单季度出货量全球智能手机单季度出货量.7 图表图表 10 全球智能手机全球智能手机 DRAM 平均单机容量平均单机容量.7 图表图表 11 全球半导体与存储芯片市场增速变化全球半导体与存储芯片市场增速变化.8 图表图表 12 HBM 是是 AI 服务器所带来的全新增量服务器所带来的全新增量.8 图表图表 13 HBM 通过中介层（通过中介层（INTERPOSER）与）与 GPU 连接连接.8 图表图表 14 全球全球 HBM 市场规模市场规模.9 图表图表 15 TRENDFORCE预计部分存储产品将于预计部分存储产品将于 2023Q3 涨价涨价.9 图表图表 16 DRAM 现货价格

10、与厂商股价走势相似现货价格与厂商股价走势相似.10 图表图表 17 三类存储芯片全球主要厂商三类存储芯片全球主要厂商.11 图表图表 18 主要存储厂商产品布局情况主要存储厂商产品布局情况.11 图表图表 19 兆易创新产品营收结构兆易创新产品营收结构.12 图表图表 20 兆易创新营业收入及增速兆易创新营业收入及增速.12 图表图表 21 兆易创新归母净利润及增速兆易创新归母净利润及增速.14 图表图表 22 兆易创新产品进展兆易创新产品进展.14 图表图表 23 北京君正产品营收结构北京君正产品营收结构.16 图表图表 24 北京君正营业收入及增速北京君正营业收入及增速.16 图表图表 2

11、5 北京君正归母净利润及增速北京君正归母净利润及增速.17 图表图表 26 北京君正产品进展北京君正产品进展.17 图表图表 27 东芯股份产品营收结构东芯股份产品营收结构.19 图表图表 28 东芯股份营业收入及增速东芯股份营业收入及增速.19 图表图表 29 东芯股份归母净利润及增速东芯股份归母净利润及增速.12 图表图表 30 东芯股份产品进展东芯股份产品进展.12 图表图表 31 普冉股份普冉股份 2022 年产品营收结构年产品营收结构.14 图表图表 32 普冉股份营业收入及增速普冉股份营业收入及增速.14 图表图表 33 普冉股份归母净利润及增速普冉股份归母净利润及增速.16 图表

12、图表 34 普冉股份产品进展普冉股份产品进展.16 图表图表 35 聚辰股份产品营收结构聚辰股份产品营收结构.17 图表图表 36 聚辰股份营业收入及增速聚辰股份营业收入及增速.17 图表图表 37 聚辰股份归母净利润及增速聚辰股份归母净利润及增速.19 图表图表 38 聚辰股份产品进展聚辰股份产品进展.20 Table_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 4/21 证券研究报告 1.存储芯片市场空间广阔，发展前景良好存储芯片市场空间广阔，发展前景良好 存储行业市场空间巨大，存储行业市场空间巨大，是最大的细分半导体市场是最大的细分半导体市场。存储芯片

13、又叫做半导体存储器，是以半导体电路作为存储媒介的存储器，通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态，从而实现数据存储功能。存储器市场空间巨大，据WSTS 预测，2023 年全球存储芯片市场规模将达到 1675 亿美元，其中中国存储芯片市场规模将达 6492 亿元（约 942 亿美元）。同时，存储器也是半导体各类细分行业中最大的部分，其市场规模约占整个半导体行业的 26%。存储芯片是半导体存储芯片是半导体产业的产业的风向标风向标。存储芯片由于具有以下特征，常被视作半导体行业发展状况的风向标。首先，存储芯片市场规模巨大，是半导体业内最大的细分市场，占据近 30%的份额。同时，存储芯片应

14、用领域广阔，覆盖消费电子、工业、医疗、汽车、航空航天等各个领域，并且新兴应用领域的涌现也在不断刺激存储芯片的市场需求。此外，存储芯片标准化程度高，可替代性强，具备大宗商品属性。存储芯片产品已经基本商品化，其价格受下游需求影响较为敏感，行业景气度受供需关系影响较大，呈现出较强的周期性。从市场增速来看，存储芯片与半导体走势基本一致，且周期性波动高于半导体行业整体波动。图表图表 1 全球半导体细分行业市场规模占比全球半导体细分行业市场规模占比 资料来源：WSTS，华安证券研究所 图表图表 2 全球半导体与存储芯片市场增速变化全球半导体与存储芯片市场增速变化 资料来源：WSTS，华安证券研究所-40%

15、-20%0%20%40%60%80%20152016201720182019202020212022半导体市场增速存储芯片市场增速Table_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 5/21 证券研究报告 DRAM、NAND、NOR 是三大主流存储。是三大主流存储。存储芯片按照断电后数据是否丢失，可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。易失性存储器断电后会丢失数据，主要包括DRAM，非易失性存储器断电后能保留数据，主要包括NAND、NOR FLASH。根据 Digitimes 统计，在 2022 年全球存储芯片市场中，DRAM、NAND、NOR 分别占据

16、了 57%、40%、2%的份额。目前在 DRAM 产品中，DDR4 仍然是市场主流，其具有良好的性价比和广泛的适配性，但在容量、功耗等方面存在劣势，未来在服务器等需求带动下，DDR5 和 HBM 渗透率将会不断提升。在 NAND 产品中，TLC占据了主要市场，是使用最广泛的闪存。3D 堆叠是 NAND 的主流工艺，堆叠的层数将会持续增加，向高密度、大容量方向不断发展。相比于 DRAM 和 NAND，NOR Flash 的制程演进较为缓慢，目前主流制程在 5xnm 和 4xnm。随着物联网、消费类电子、汽车电子的快速发展，NOR 产品需求将不断增加，旺宏、华邦电子等头部厂商已投入 3D NOR

17、的研发，未来 NOR Flash 产品将不断向中大容量迈进。图表图表 3 DRAM/NAND/NOR 市场规模与发展趋势市场规模与发展趋势 产品种类产品种类 2022 年市场规模年市场规模 发展趋势发展趋势 DRAM 791 亿美元 当前 DDR4 是市面上主流内存，而 DDR5 与 HBM 渗透率将会持续提升。同时 DRAM 工艺制程将不断向 10nm 逼近 NAND Flash 601 亿美元 目前 TLC NAND 占据主要市场，3D NAND 堆叠技术是主流工艺，未来堆叠层数将会不断提升 NOR Flash 37 亿美元 主流工艺制程在 5xnm 和 4xnm，制程演进缓慢。SPI 接

18、口技术优化NOR Flash 效率，NOR 产品将向中大容量发展 资料来源：CFM 闪存市场，CINNO Research，华安证券研究所 2 存储已存储已处于处于周期底部周期底部，有望迎来拐点，有望迎来拐点 2.1 供给端供给端：厂商减产与削减投资带来供给端边际改善：厂商减产与削减投资带来供给端边际改善 存储厂商盈利能力揭示当前存储行业处于周期底部位置。存储厂商盈利能力揭示当前存储行业处于周期底部位置。在全球存储芯片市场中，三星电子、SK 海力士、美光科技占据了主要份额。根据 TrendForce 数据，2022年第四季度，三者在全球 DRAM 市场合计占据 95.8%的份额，在全球 NAN

19、D 市场合计占有 62.2%的份额。通过对比存储芯片厂商的毛利率变化与全球存储芯片市场增速变化，可以发现主要存储厂商的毛利率与全球存储芯片周期波动基本一致，因此存储厂商的盈利能力在一定程度上可以揭示存储行业周期位置。2022 年，存储芯片厂商的库存水位由于下游需求疲软而逐渐升高，许多厂商通过将存储产品降价来刺激库存消耗。根据美光近期盈利状况，其 CY23Q1 毛利率为-32.66%，是近年来首次为负值，达到历史低位，CY23Q2 毛利率为-17.8%，环比上升 14.86pct，同时美光表示其 CY23Q1 的库存达到峰值。根据三星披露的第二季度财报，其 DS 部门第二季度营业亏损 4.36

20、万亿韩元，而其一季度亏损 4.58 万亿韩元，多家机构预计三星 DS 部门全年营业亏损将超过 10 万亿韩元。主要存储厂商的盈利状况揭示，当前存储行业处于周期相对底部位置。Table_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 6/21 证券研究报告 图表图表 4 三星三星/SK 海力士海力士/美光占据存储主要市场美光占据存储主要市场 图表图表 5 存储厂商毛利率走势与存储周期同步存储厂商毛利率走势与存储周期同步 资料来源：TrendForce，华安证券研究所 资料来源：Wind，WSTS，华安证券研究所 龙头厂商龙头厂商扩大减产扩大减产与与削减投资削减投资

21、，供给端供给端实现边际改善实现边际改善。2022 年，由于下游市场需求疲软，美光与 SK 海力士纷纷计划削减 2023 年资本支出 40%50%不等，并对存储芯片产品进行减产。据最新消息，SK 海力士于 2023 年 7 月宣布扩大减产 NAND Flash，美光于 6 月宣布将 DRAM 和 NAND 晶圆开工率进一步减少至近 30%。三星方面虽未宣布削减 2023 年资本支出，但已在 2023 年 4 月宣布对存储芯片减产，并在 7 月决定延长减产计划。龙头存储厂商的削减投资与减产计划，将在供给端实现边际改善，有望为夯实存储周期底部、减缓存储价格降低提供必要条件。图表图表 6 龙头厂商减产

22、与削减投资计划龙头厂商减产与削减投资计划 厂商厂商 减少产出减少产出 降低投资降低投资 三星 2023 年 4 月宣布对存储芯片减产，7 月宣布决定延长减产计划，调整包括 NAND Flash 在内的特定产品产出 降低生产设备投资，调整产能利用率，二季度资本支出中 90%以上用于芯片，将专注高附加值/高密度产品 SK 海力士 为加速 NAND Flash 库存去化，于 7 月宣布扩大减产 NAND Flash，此前已对部分收益性较低的产品进行减产 2023 年全公司投资规模同比减少 50%以上，对高容量 DDR5、HBM3 DRAM 持续投资 美光 2023 年 6 月宣布近期将 DRAM 和

23、 NAND晶圆开工率进一步减少至近 30%，预计减产将持续到 2024 年 2023 年资本支出进一步削减，预期投资约 70 亿美元，较去年缩减超 40%，晶圆厂设备资本支出削减超 50%，2024 年预估将进一步缩减 资料来源：各公司公告，华安证券研究所 2.2 需求需求端：手机单机容量提升，端：手机单机容量提升，AI 服务器带来全新增量服务器带来全新增量 手机和服务器是对存储市场影响最大的下游应用。手机和服务器是对存储市场影响最大的下游应用。从下游应用来看，手机和服务器是 DRAM 和 NAND 市场中占比最大的应用领域。2022 年第四季度，手机和服务器分别占 DRAM 终端应用的 39

24、%、34%，以及 NAND 应用的 37%、28%。因此，智能手机与服务器的需求恢复情况对存储芯片的景气度有着较大的影响，同时 AI 服务器对存储的新需求也会对整体需求改善有边际贡献。0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%DRAM竞争格局NAND竞争格局其他美光科技SK海力士三星电子Table_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 7/21 证券研究报告 图表图表 7 DRAM 下游应用领域占比下游应用领域占比 图表图表 8 NAND 下游应用领域占比下游应用领域占比 资料来源：TrendForce，华安证券研究所 资料来源

25、：华经产业研究院，闪存市场，华安证券研究所 手机出货量未见明显复苏，单机容量提升是主要驱动因素手机出货量未见明显复苏，单机容量提升是主要驱动因素。根据 Canalys 数据，2023Q2 全球智能手机出货量达 2.58 亿部，虽然同比下降 10%，但同比跌幅环比略有收窄，市场衰退有所放缓。随着经济逐渐复苏，手机需求将会逐步好转。同时手机单机 DRAM 和 NAND 容量不断增长，也在一定程度上能够冲抵手机的疲软需求。据TrendForce 数据，手机 DRAM 单机容量近年来持续增长，2022 年手机 DRAM 容量增长放缓的主要原因在于手机品牌厂背负巨大的库存压力，导致新产品导入偏向延用既有

26、库存规格，限制手机 DRAM 用量增长。2023 年，随着手机库存去化逐渐成效，以及受益于下一代 iPhone 容量规格提高带动，TrendForce 预测 2023 年手机DRAM 平均用量将同比增长 6.7%，优于 2022 年 3.9%的同比增长率。在 NAND 方面，为满足用户的高像素拍摄需求，需要配置更大的储存容量，这为智能手机 NAND平均搭载量提升带来了基本动能。具体来看，iPhone产品组合全线往更高容量靠拢，Android 高端机种也跟进将 512GB 做为标配，中低端手机储存空间也随硬件规格的升级而提高，因此单机容量仍存在增长空间。据 TrendForce 预估，2023

27、年智能手机 NAND 单机搭载容量年成长仍能维持 22.1%的高水位。图表图表 9 全球智能手机单季度出货量全球智能手机单季度出货量 图表图表 10 全球智能手机全球智能手机 DRAM 平均单机容量平均单机容量 资料来源：Canalys，华安证券研究所 资料来源：TrendForce，华安证券研究所 普通服务器需求平稳，普通服务器需求平稳，AI 服务器有望带来价值增量服务器有望带来价值增量。根据 TrendForce 调查数据，现阶段普通服务器 DRAM（不含 HBM）平均容量约为 500600GB，而 AI 服务器平均容量可达 1.21.7TB，所需 DRAM 容量远高于普通服务器。据 Tr

28、endForce数据，目前 AI 服务器成长需求较为强劲，预估 2023 年 AI 服务器出货量近 120 万0%20%40%60%80%100%2019202020212022手机服务器PC其他0%20%40%60%80%100%202020212022手机服务器PC其他-30%-20%-10%0%10%20%30%00.511.522.533.5420Q120Q220Q320Q421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q2出货量（亿部）同比01234567201820192020202120222023DRAM平均单机容量（GB）Table_Compan

29、yRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 8/21 证券研究报告 台，年增率近 38%，AI 服务器的大幅增长有望带来价值增量。与普通服务器相比与普通服务器相比，AI 服务器服务器除原有除原有 DRAM 外外还会用到还会用到 HBM。AI 服务器由于需要在短时间内处理大量数据，追求的速度更高，对高带宽的需求大幅提升。HBM即高带宽存储器，基于 3D 堆叠工艺，其通过中介层（Interposer）连接至 GPU 而非直接与 GPU 集成。HBM 是当前数据处理速度最快的 DRAM 产品，能为 AI 服务器带来更高的效率以及更高的传输带宽，已成为高端 GPU 的标配，是

30、AI 服务器带来的全新增量。图表图表 12 HBM 是是 AI 服务器所带来的全新增量服务器所带来的全新增量 图表图表 113 HBM 通过中介层通过中介层（Interposer）与）与 GPU 连接连接 资料来源：Canalys，华安证券研究所 资料来源：TrendForce，华安证券研究所 受益于受益于 AI 服务器需求带动，服务器需求带动，HBM 市场规模持续增长。市场规模持续增长。据 TrendForce 数据，目前高端 AI 服务器 GPU 搭载 HBM 已成为主流，预计 2023 年全球 HBM 需求量达 2.9亿 GB，年增长近六成，且 2024 年将再增长三成。市场规模来看，根

31、据 Omdia 数据，2020 年全球 HBM 市场规模为 4.58 亿美元，预计 2025 年将达到 25 亿美元，年复合增长率为 40.38%。320640GB5121024GBServerAI ServerFuture AI Server服务器HBM用量图表图表 11 全球半导体与存储芯片市场增速变化全球半导体与存储芯片市场增速变化 资料来源：TrendForce，华安证券研究所 500600GB1.21.7TB2.22.7TBServerAI ServerFuture AI Server服务器DRAM容量Table_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及

32、评级说明 9/21 证券研究报告 2.3 价格端：价格端：DRAM 价格跌幅收窄，部分存储产品有望于价格跌幅收窄，部分存储产品有望于23Q3 实现涨价实现涨价 AI 服务器带来的新增量服务器带来的新增量叠加叠加厂商减产厂商减产有望进一步促进供需平衡。有望进一步促进供需平衡。2023 年，随着经济的复苏，下游需求有望逐渐恢复。同时，ChatGPT 的出现催生出对于 HBM 的全新需求，并带动了 HBM 报价上涨。自 2023 年初以来，三星与 SK 海力士的 HBM订单快速增加，HBM3 规格 DRAM 价格也上涨了 5 倍。叠加三星 4 月宣布减产以及7 月决定延长减产计划的消息，我们认为需求

33、端的增长与供给端的减产将进一步造成供需差缩窄，进而强化促使存储芯片景气度拐点到来的确定性。根据 TrendForce研究，受益于DRAM厂商的减产以及季节性需求支撑，存储厂商库存压力得到减轻，预期第三季度 DRAM 均价跌幅将收敛至 05%。图表图表 15 TrendForce 预计部分存储产品将于预计部分存储产品将于 2023Q3 涨价涨价 23Q2E 23Q3F PC DRAM DDR4:down 1520%DDR4:down 38%DDR5:down 1318%DDR5:down 05%Blended ASP:down 1520%Blended ASP:down 05%Server DR

34、AM DDR4:down 1823%DDR4:down 38%DDR5:down 1318%DDR5:down 05%Blended ASP:down 1520%Blended ASP:down 05%Mobile DRAM down 1318%LPDDR4X:down 05%LPDDR5X with HKMG:up 05%合计合计 DRAM down 1318%down 05%eMMC consumer:down 813%consumer:mostly flat UFS mobile:down 1520%mobile:down 813%Enterprise SSD down 1318%dow

35、n 510%Client SSD down 1520%down 813%3D NAND Wafers（TLC&QLC)down 813%up 05%图表图表 14 全球全球 HBM 市场规模市场规模 资料来源：TrendForce，华安证券研究所 05101520253020202025EHBM市场规模（亿美元）CAGR=40.38Table_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 10/21 证券研究报告 合计合计 NAND down 1015%down 38%资料来源：TrendForce，华安证券研究所 DRAM 现货现货价格与股价走势相似价格与股

36、价走势相似，价格跌幅收窄价格跌幅收窄有望有望迎来投资机会。迎来投资机会。从价格走势来看，DRAM 现货价格走势与存储厂商股价呈现一定关联性，两者走势相似。当现货价格跌幅开始收窄时，股价便开始筑底反弹；当现货价格上涨时，股价也会同步上涨；在现货价格涨幅边际弱化时股价开始见顶。此外，DRAM/NAND 厂商的价格走势与 NOR 厂商方向一致，但幅度会有所差异。根据 TrendForce 数据，7 月DRAM 平均固定交易价格环比下跌 1.47%，降幅较 6 月份的下跌 2.86%进一步收窄，并且在现货市场，有部分 DRAM 产品已经止跌，连续两个月持平。因此，随着DRAM 现货价格跌幅收窄，预计存

37、储板块也将逐步复苏，迎来投资机会。3 国内厂商聚焦利基存储，国产替代空间广阔国内厂商聚焦利基存储，国产替代空间广阔 3.1 存储行业国产替代空间广阔存储行业国产替代空间广阔 我国存储行业国产替代空间广阔我国存储行业国产替代空间广阔。目前，DRAM 和 NAND 主要由三星、SK 海力士、美光等海外厂商掌控，国内厂商市占率较低，国产替代空间广阔。在 NOR 方面，我国本土企业已占据一定的市场份额。图表图表 16 DRAM 现货价格与厂商股价走势相似现货价格与厂商股价走势相似 资料来源：TrendForce，华安证券研究所 Table_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重

38、要声明及评级说明 11/21 证券研究报告 国内厂商多集中于利基型国内厂商多集中于利基型存储。存储。从存储芯片的产品布局来看，海外巨头多聚焦于 DRAM、NAND 主要领域等高端市场，业务重心在大容量存储产品。而国内存储厂商则主要布局于利基型存储，包括利基 DRAM、SLC NAND、NOR Flash 等中小容量产品，代表厂商有华邦电子、旺宏电子、兆易创新、北京君正、东芯股份等。利基 DRAM 方面，华邦、兆易创新、北京君正规模较大；SLC NAND 领域，东芯股份为本土 SLC NAND 龙头，；NOR 方面，领先厂商包括华邦、旺宏、兆易创新等。目前，由于利基型存储竞争格局较为分散，且海外

39、巨头正逐渐淡出利基型存储市场，随着国产化需求提升，具备研发能力的国内存储厂商将迎来良好的替代机遇。图表图表 17 三类存储芯片全球主要厂商三类存储芯片全球主要厂商 资料来源：乐晴智库，华安证券研究所 图表图表 18 主要存储厂商产品布局情况主要存储厂商产品布局情况 DDRDDR2DDR3DDR4DDR5LPDDRLPDDR2LPDDR3LPDDR4LPDDR5美光256Mb1Gb512Mb4Gb 1Gb8Gb 4Gb32Gb 高至24Gb 512Mb2Gb 512Mb2Gb 8Gb32Gb 4Gb128Gb 6Gb128Gb南亚512Mb1Gb 1Gb8Gb4Gb8Gb16Gb1Gb8Gb4G

40、b32Gb 2Gb32Gb旺宏华邦64Mb256Mb 128Mb2Gb 1Gb8Gb128Mb1Gb 256Mb2Gb1Gb1Gb4Gb兆易创新1Gb4Gb4Gb8Gb北京君正 64Mb512Mb 256Mb2Gb 1Gb16Gb 4Gb16Gb32Mb2Gb 256Mb4Gb2Gb8Gb普冉股份东芯股份1Gb4Gb512Mb2Gb1Gb4Gb1Gb2Gb厂商DRAM1.8V3.3V1.8V3.3V美光1Gb16Gb1Gb256Gb512Kb2Gb512Kb2Gb南亚旺宏1Gb8Gb1Gb8Gb512Kb2Gb512Kb2Gb华邦1Gb8Gb1Gb8Gb1Mb2Gb512Kb2Gb兆易创新1G

41、b8Gb1Gb8Gb512Kb2Gb512Kb2Gb北京君正1Gb8Gb1Gb8Gb2Mb2Gb512Kb2Gb普冉股份512Kb256Mb512Kb256Mb东芯股份512Mb16Gb512Mb16Gb64Mb1Gb聚辰股份512Kb32Mb512Kb32MbNOR Flash厂商SLC NANDTable_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 12/21 证券研究报告 3.2 国内部分领先存储厂商介绍国内部分领先存储厂商介绍 3.2.1 兆易创新：兆易创新：多产品线赛道布局多产品线赛道布局，存储、，存储、MCU 稳健发展稳健发展 公司业务结构多元，

42、产品矩阵丰富。公司业务结构多元，产品矩阵丰富。兆易创新是全球领先的 Fabless 芯片供应商，成立于 2005 年 4 月，总部位于北京。公司核心产品包括存储器、MCU、传感器等，以高性能和低功耗为特点，广泛应用于工业、消费类电子、汽车、物联网、移动应用、网络通信等各个领域。在 2022 年，公司保持业务稳健发展，存储、MCU产品持续发力，传感器产品维持前列，PMIC 产品开始拓展，进一步夯实了公司多元的业务结构。营收体量不断扩大，营收体量不断扩大，22 年维持高水位。年维持高水位。公司近年来营业收入和归母净利润稳步增长，2022 年面对诸多外部因素影响，公司业绩仍保持高水位。2022 年，

43、公司实现营业收入 81.3 亿元，同比小幅下降 4.47%，实现归母净利润 20.53 亿元，同比下降12.16%。2023 年上半年，公司营业收入与归母净利润分别为 29.66 亿元、3.36 亿元，同比 2022 年 H1 分别下降 38%、78%，短期来看盈利承压。随着下游市场需求不断复苏，公司在汽车、工业等领域的耕耘不断深化，业绩有望回归上升轨道。图表图表 20 兆易创新营业收入及增速兆易创新营业收入及增速 图表图表 21 兆易创新归母净利润及增速兆易创新归母净利润及增速 资料来源：Wind，华安证券研究所 资料来源：Wind，华安证券研究所 NOR 与与 SLC NAND 不断稳固，

44、不断稳固，DRAM 产品产品积极拓展。积极拓展。公司存储器产品覆盖NOR Flash、SLC NAND、利基型 DRAM 三大领域，是全球排名第一的无晶圆厂-60%-40%-20%0%20%40%60%80%100%0102030405060708090201820192020202120222023H1营业收入（亿元）同比-100%-50%0%50%100%150%200%0510152025201820192020202120222023H1归母净利润（亿元）同比资料来源：各公司官网，华安证券研究所 图表图表 119 兆易创新产品营收结构兆易创新产品营收结构 资料来源：Wind，华安证券研

45、究所 0%20%40%60%80%100%20182019202020212022存储芯片MCU传感器其他Table_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 13/21 证券研究报告 Flash 供应商。在 NOR Flash 领域，公司产品市占率全球第三、国内第一，累计出货量近 212 亿颗。公司 NOR 产品容量覆盖 512Kb2Gb，可提供 3V、1.8V、1.2V、以及 1.65V3.6V 宽压共四种电压范围，目前主要工艺节点在 55nm 制程。从下游客户来看，公司 NOR 产品在消费市场以中高端客户为主，并在工业、汽车领域稳步提升，2022 年

46、车规产品销售额同比增长 80%，累计出货量达 1 亿颗；SLC NAND 领域，公司产品在 38nm、24nm 工艺节点均实现量产，容量覆盖 1Gb8Gb，其中 GD5F全系列产品已通过 AEC-Q100 车规级认证，实现了从 SPI NOR 到 SPI NAND 车规级产品的全面布局；DRAM 领域，公司产品不断拓展，在已有 DDR4、DDR3L 的基础上，推进 DDR4 8Gb 容量新产品的研发，不仅能满足消费市场需求，也能兼顾工业、汽车市场；MCU 产品，公司已成功量产 41 大产品系列、超过 500 款 MCU 产品，GD32A503 系列车规级 MCU 市场拓展稳步推进，正式推出中国

47、首款基于 Arm Cortex-M7 内核的 GD32H 系列超高性能微控制器，同时适用于多种无线连接场景的、基于 RISC-V 内核的全新双频双模无线 GD32VW553 系列 MCU 有序推进；公司传感器业务目前在 LCD 触控、电容指纹、光学指纹市场应用广泛，触控芯片年出货近亿颗。图表图表 22 兆易创新产品进展兆易创新产品进展 产品类型产品类型 产品进展产品进展 NOR Flash 主要工艺节点在 55nm 制程，容量覆盖 512Kb2Gb，可提供 3V、1.8V、1.2V、以及1.65V3.6V 宽压四种电压范围。2022 年推出了尺寸 1.2mmx1.2mm 的 USON6 超小型

48、塑封封装产品，以及 GD25UF 系列 1.2V 低电压超低耗 SPI NOR SLC NAND 在 38nm、24nm 工艺节点均实现量产，容量覆盖 1Gb8Gb，其中 GD5F 全系列产品已通过 AEC-Q100 车规级认证，实现了从 SPI NOR 到 SPI NAND 车规产品全面布局 DRAM 产品组合不断丰富，在已有 DDR4 产品基础上，推出了 DDR3L 产品，两种产品目前均已量产，DDR4 8Gb 容量新产品正在按研发节奏推进中。MCU 已成功量产 41 大产品系列、超过 500 款 MCU 产品供市场选择，GD32W515 系列 Wi-Fi 产品全面量产，GD32A503

49、系列车规级 MCU 产品市场拓展稳步推进，MCU 产品工艺制程集中在 55nm 及 40nm，推出中国首款基于 Arm Cortex-M7 内核的 GD32H系列超高性能微控制器 传感器 提供嵌入式传感芯片，电容、光学模式指纹识别芯片，以及自容、互容触控屏控制芯片，触控芯片年出货近亿颗 资料来源：公司公告，华安证券研究所 3.2.2 北京君正：业务覆盖计算、存储、模拟三大领域北京君正：业务覆盖计算、存储、模拟三大领域 业务范围不断拓宽，拥有四大芯片产品线业务范围不断拓宽，拥有四大芯片产品线。北京君正成立于 2005 年，2011 年在创业板上市。通过在处理器、多媒体、AI 技术等计算技术领域持

50、续投入，公司芯片在智能视频监控、AIoT、消费、工业、生物识别等领域打开了广阔市场。2020 年，公司完成对 ISSI 的收购，整合了 ISSI 三十多年的存储及模拟互联技术，大幅拓宽了公司业务范围。目前，公司芯片产品根据功能与应用领域可分为四类，包括微处理器芯片、智能视频芯片、存储芯片、模拟与互联芯片，2022 年营收占比分别为2.35%、11.88%、74.92%、8.85%。随着市场需求变化，公司产品逐渐走向更高性能、更低功耗和更高集成度。Table_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 14/21 证券研究报告 营业收入逐年增长，营业收入逐年增

51、长，上半年上半年业绩短期下滑业绩短期下滑。2022 年，公司实现营业收入 54.12亿元，同比增长 2.61%，实现归母净利润 7.89 亿元，同比下降 14.79%。2023 上半年实现营收22.21亿元，同比下降20.8%，归母净利润为2.22亿元，同比下降56.5%。长期来看，公司业务范围和产品布局不断拓展，涉及众多重点应用领域，营业收入有望维持上升趋势。图表图表 24 北京君正营业收入及增速北京君正营业收入及增速 图表图表 25 北京君正北京君正归母净利润及增速归母净利润及增速 资料来源：Wind，华安证券研究所 资料来源：Wind，华安证券研究所 存储芯片存储芯片品类品类丰富，收入位

52、居全球前列。丰富，收入位居全球前列。公司存储芯片可分为 SRAM、DRAM、Flash 三类，具有高集成密度、高性能品质、高经济价值等特点，主要面向汽车、工业、医疗以及高端消费类市场。SRAM 领域，公司产品类别丰富，包括同步 SRAM、异步 SRAM、高速 QDR SRAM 等产品；DRAM 方面，公司产品针对具有较高技术壁垒的专业级应用领域，容量规格涵盖 16M16G。公司积极推广 DDR4、LPDDR4等产品，2G LPDDR2、4G LPDDR4、8Gb LPDDR4 等新规格产品实现量产，在汽车、工业领域不断有客户完成产品导入；Flash 领域，公司产品包括 NOR Flash 和N

53、AND Flash，NOR 具有 256Kb1Gb 多种容量规格，NAND 容量覆盖 1Gb8Gb。从下游市场来看，汽车、工业、医疗市场需求强劲，高密度 NOR Flash 需求旺盛，车规 Flash 产品市场销售也不断增长。据 Omdia 统计，2022 年公司 SRAM、DRAM、NOR 产品收入分别位居全球第二、第七、第六位；微处理器芯片领域，公司完成了X2600 的各项功能和性能测试，并进行了量产测试相关准备，并开发 Halley 平台的-100%0%100%200%300%400%500%600%010203040506020182019202020212022 2023H1营业收入

54、（亿元）同比-200%0%200%400%600%800%1000%1200%1400%012345678910201820192020202120222023H1归母净利润（亿元）同比图表图表 23 北京君正产品营收结构北京君正产品营收结构 资料来源：Wind，华安证券研究所 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20182019202020212022存储芯片智能视频芯片模拟与互联芯片微处理器芯片其他Table_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 15/21 证券研究报告 研发，对重点客户进行技术支持；智能视频芯片产品

55、线不断拓展，目前有 T 系列芯片、A1 芯片、C100 芯片；模拟与互联产品线包括 LED 驱动芯片、触控传感芯片、DC/DC 芯片、车用微处理器芯片、LIN、CAN、GreenPHY、G.vn 等网络传输芯片。图表图表 26 北京君正产品进展北京君正产品进展 产品类型产品类型 产品进展产品进展 SRAM 包括不同容量的同步 SRAM、异步 SRAM、高速 QDR SRAM 等产品，22 年公司进行了不同种类和容量 SRAM 的研发，部分产品已完成投片、工程样片的生产 DRAM 8G LPDDR4、新规格的 2G LPDDR2、4G LPDDR4 等产品完成了量产工作 Flash 涵盖主流 N

56、OR Flash 和 NAND Flash，对量产产品进行持续的良率提升，NOR 具有256Kb1Gb 多种容量规格，NAND 容量覆盖 1Gb8Gb 微处理器芯片 完成了 X2600 的各项功能和性能测试，并进行了量产测试相关准备，并开发 Halley 平台的研发，对重点客户进行技术支持 智能视频芯片 现有 T 系列芯片、A1 芯片、C100 芯片产品，完成了面向 H.264 双摄平台的升级产品T23 的投片，规划并进行面向双摄市场的普惠型新产品的研发，并进行 C 系列下一代产品研发 模拟与互联芯片 涵盖 LED 驱动芯片、触控传感芯片、DC/DC 芯片、车用微处理器芯片、LIN、CAN、G

57、reenPHY、G.vn 等网络传输芯片，部分客户已进行了 GreenPHY 的导入与落地 资料来源：公司公告，华安证券研究所 3.2.3 东芯股份：本土东芯股份：本土 SLC NAND 龙头，深耕中小容量存储芯片龙头，深耕中小容量存储芯片 深耕中小容量存储芯片领域。深耕中小容量存储芯片领域。东芯股份成立于 2014 年，是一家专注于中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售的公司，总部位于上海，在深圳、南京、香港、韩国等地设有分公司或子公司。公司拥有独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品，可以同时提供 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片完整解决方案，并

58、能根据客户需求提供存储芯片定制化设计服务。公司产品具有低功耗、高可靠性等特点，广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端、工业、医疗等领域。2021 年，公司于科创板上市，力争成为领先的存储芯片设计公司，立足中国服务全球客户。营业收入营业收入稳步增长，盈利稳步增长，盈利短期承压。短期承压。随着产品线逐步扩大，公司营收稳步增长，从 2018 年的 5.1 亿元增至 2022 年的 11.46 亿元。归母净利润在 20182021 年实现扭亏为盈与快速增长，2022 年归母净利润为 1.85 亿元，同比下降 29.4%。2023图表图表 27 东芯股份东芯股份产品营收结构产品营收结构 资料

59、来源：Wind，华安证券研究所 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20182019202020212022NANDMCPDRAMNOR其他Table_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 16/21 证券研究报告 年上半年，公司产生亏损，归母净利润为-0.75 亿元，同比下降 135%，公司净利润下滑的原因可能是下游需求疲软以及存货跌价准备增长等。长期来看，公司具有较强研发实力，产品实现主流存储全覆盖，随着下游需求复苏，盈利有望得到改善。图表图表 28 东芯股份营业收入及增速东芯股份营业收入及增速 图表图表 29 东芯股

60、份归母净利润及增速东芯股份归母净利润及增速 资料来源：Wind，华安证券研究所 资料来源：Wind，华安证券研究所 产品产品覆盖覆盖 DRAM、NAND、NOR 三大主流存储芯片三大主流存储芯片。公司积极扩大产品布局，形成了完整的 SLC NAND、NOR Flash、DRAM 以及 MCP 产品供应链，产品 2022年营收占比分别为 61.84%、6.31%、7.13%、19.69%。SLC NAND 方面，公司产品核心技术优势明显，采用业内领先的单颗集成技术，能同时满足数据传输效率和节约芯片面积。公司 SLC NAND 量产产品以中芯国际 38nm、24nm，力积电 28nm 制程为主，并

61、在 28nm 及 24nm 制程上持续开发新产品；NOR Flash 方面，公司可量产 ETOX 技术中大容量的 NOR 产品，容量覆盖 64Mb1Gb，目前在力积电 48nm线量产 1.8V 低功耗产品，之后将在中芯国际 55nm 线推出 3.3V 的 NOR 产品，逐步导入高可靠性应用市场；DRAM 方面，公司产品包括 DDR3（L)、LPDDR 及一些定制化产品，具有高带宽、低延时、低功耗、高传输速度等特点，主要出售给海外客户；公司的 MCP 产品是由 SLC NAND 和 LPDDR 系列进行合封的产品，主要涉及工业模块和物联网模块类的应用；车规产品方面，公司基于中芯国际 38nm 工

62、艺的SLC NAND 以及力积电 48nm 工艺的 NOR 均有产品通过 AEC-Q100 测试。图表图表 30 东芯股份东芯股份产品进展产品进展 产品类型产品类型 产品进展产品进展 SLC NAND 存储容量覆盖 512Mb 至 32Gb，量产产品以中芯国际 38nm、24nm，力积电 28nm 制程为主，并在 28nm 及 24nm 制程上持续开发新产品，先进制程的 1xnm NAND Flash产品已完成晶圆制造，并已完成功能性验证，正进行晶圆测试及工艺调整 NOR Flash 容量覆盖 64Mb 至 1Gb，力积电的 48nm 制程上已有 512Mb、1Gb 大容量 NOR 的样品可提

63、供给客户，同时中芯国际 NOR 制程从 65nm 推进至 55nm，55nm 制程产线的各项新产品陆续进入研发设计、晶圆制造、样片验证等阶段 DRAM 包括 DDR3（L)、LPDDR1、LPDDR2 及一些定制化产品，设计研发的 LPDDR4x 及PSRAM 产品均已完成工程样片并通过客户验证 MCP 集成自主研发的低功耗 1.8v SLC NAND 与低功耗设计的 DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证 资料来源：公司公告，华安证券研究所 -40%-20%0%20%40%60%80%100%120%02468101220182019202020212022 2023

64、H1营业收入（亿元）同比-200%-100%0%100%200%300%400%-1-0.500.511.522.533.5201820192020202120222023H1归母净利润（亿元）同比Table_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 17/21 证券研究报告 3.2.4 普冉股份：普冉股份：NOR Flash 和和 EEPROM 为核心，专注科技创新为核心，专注科技创新 专注专注科技创新发展迅速。科技创新发展迅速。普冉股份成立于 2016 年，是一家低功耗 NOR Flash存储芯片和高可靠性 IIC EEPROM 存储芯片的技术创新型半

65、导体设计公司，总部位于上海，2021 年 8 月于科创板上市。公司以先进制程低功耗 NOR Flash 和高可靠性 EEPROM 为核心，不断完善和优化产品，满足客户对高性能存储芯片需求。基于自身存储器优势，公司实施“存储+”战略，积极拓展微控制器和存储结合模拟的全新产品线。图表图表 31 普冉股份普冉股份 2022 年年产品营收结构产品营收结构 资料来源：公司 2022 年报，华安证券研究所 公司业绩短期承压，公司业绩短期承压，23 上半年上半年产生亏损。产生亏损。2022 年公司实现营业收入 9.25 亿元，同比下降 16.15%，实现归母净利润 0.83 亿元，同比下降 71.44%。2

66、023 上半年，公司实现营业收入 4.69 亿元、归母净利润-0.78 亿元，同比 2022 上半年分别下降17.7%、175.7%。公司业绩短期下滑主要受电子行业周期下行、市场需求疲软、全球经济增速放缓等影响，随着公司技术创新驱动以及产品线的不断拓新，业绩有望迎来改善。图表图表 32 普冉股份营业收入及增速普冉股份营业收入及增速 图表图表 33 普冉股份归母净利润及增速普冉股份归母净利润及增速 资料来源：Wind，华安证券研究所 资料来源：Wind，华安证券研究所 NOR 和和 EEPROM 持续持续发力发力，“存储存储+”实现突破。实现突破。公司 NOR Flash 产品包括SONOS 和

67、 ETOX 工艺结构，容量覆盖 512Kb128Mb，具备低功耗、高可靠性、快速擦除和快速读取的优异性能，在蓝牙、IOT、TDDI、AMOLED、工业控制等领域应用广泛。公司 NOR Flash 工艺制程处于行业领先水平，40nm 制程下 4Mb128Mb的全系列产品均已实现量产，其中 SONOS 结构主要工艺节点为 40nm，ETOX 结构达到 50nm 先进制程，512Mb1Gb 容量产品正按照规划逐步推出；EEPROM 方存储芯片微控制器及其他-80%-60%-40%-20%0%20%40%60%0246810121420182019202020212022 2023H1营业收入（亿元）

68、同比-400%-200%0%200%400%600%800%1000%1200%1400%-1-0.500.511.522.53201820192020202120222023H1归母净利润（亿元）同比Table_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 18/21 证券研究报告 面，公司产品容量覆盖 2Kb4Mb，主要采用 130nm 工艺制程，具有面积小、高可靠性、高性价比等优势，目前部分中大容量产品 95nm 及以下工艺制程已实现量产。车规产品方面，公司中小容量 NOR Flash 车载产品和 EEPROM 车载产品已获得AEC-Q100 A1 证书

69、；MCU 产品方面，公司 MCU M0+系列产品已大规模量产出货，共计 120 余颗料号，基于 ARM 内核的 M4 MCU 原型产品也进展顺利；VCM Driver即音圈马达驱动芯片，公司内置非易失存储器的 PE 系列 VCM Driver 芯片多颗产品进入大批量供货，并结合行业发展趋势，与终端配合开发新一代 VOIS 芯片。图表图表 34 普冉股份产品进展普冉股份产品进展 产品类型 产品进展 NOR Flash 容量覆盖 512Kb128Mb，40nm 制程下 4Mb128Mb 的全系列均已量产。SONOS工艺主要节点为 40nm，1.1V 超低电压超低功耗 Flash 产品完成研发和流片

70、。ETOX工艺达到 50nm 制程，目前 4Mbit 到 256Mbit 已实现量产 EEPROM 容量覆盖 2Kb4Mb，主要采用 130nm 制程，部分中大容量产品 95nm 及以下制程已实现量产。车载 EEPROM 产品完成了 AEC-Q100 全面考核，2Mb 大容量 SPI 及 I C EEPROM 产品顺利量产出货 MCU 基于 ARM 内核的 32 位 M0+MCU 产品已完成研发并顺利量产出货，M0+系列已推出 120 余颗产品，出货量累计超过 1 亿颗，基于 ARM 内核的 M4 MCU 产品处于客户送样阶段 VCM Driver 芯片 内置非易失存储器的 PE 系列音圈马达

71、驱动芯片多颗产品进入大批量供货，支持下一代主控平台的 1.2V PD 系列音圈马达驱动芯片产品也已进入量产。资料来源：公司 2022 年报，华安证券研究所 3.2.5 聚辰股份聚辰股份：存储芯片存储芯片+音圈马达驱动芯片音圈马达驱动芯片+智能卡芯片智能卡芯片三轮驱动三轮驱动 三大产品线共同发力三大产品线共同发力，持续进行完善升级。，持续进行完善升级。聚辰股份成立于 2009 年，是一家全球化的集成电路设计高新技术企业，总部位于上海，在美国硅谷、香港、台湾、深圳等地设有子公司、办事处或销售机构。公司目前拥有非易失性存储芯片、音圈马达驱动芯片和智能卡芯片三条产品线，三类产品2022年营收占比分别为

72、87.2%、5.8%、7.1%，在智能手机、液晶面板、蓝牙模块、汽车电子、工业控制、医疗仪器、计算机等领域应用广泛。公司以市场需求为导向，以自主创新为驱动，持续对产品线完善和升级，积极开拓 NOR Flash、电机驱动芯片等领域。Table_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 19/21 证券研究报告 图表图表 35 聚辰股份产品营收结构聚辰股份产品营收结构 资料来源：Wind，华安证券研究所 营业收入逐年扩大，营业收入逐年扩大，上半年上半年业绩承压。业绩承压。2022 年公司业绩表现亮眼，实现了大幅增长，营业收入为 9.8 亿元，同比增长 80.2

73、1%，归母净利润为 3.54 亿元，同比增长 226.81%。2023 上半年，公司实现营收 3.17 亿元，同比下降 28.3%，实现归母净利润0.64亿元，同比下降57.2%。公司上半年业绩承压可能是由于市场需求疲软、部分业务受到下游模组厂商去库存的压力，未来随着市场逐渐复苏，内存模组厂商库存水位逐渐改善，公司业绩有望回归增长。图表图表 36 聚辰股份营业收入及增速聚辰股份营业收入及增速 图表图表 37 聚辰股份归母净利润及增速聚辰股份归母净利润及增速 资料来源：Wind，华安证券研究所 资料来源：Wind，华安证券研究所 EEPROM 产品产品市场份额领先，市场份额领先，NOR Flas

74、h 产品性能优异。产品性能优异。EEPROM 方面，公司产品线包括 IC、SPI 和 Microwire 等标准接口的系列 EEPROM 产品，以及应用于计算机和服务器内存条的 SPD 产品。公司产品具有高可靠性、宽电压、高兼容性、低功耗等特点，常温条件下耐擦写次数最高可达 400 万次。2022 年，公司推出全球首款 1.2V 智能手机摄像头 EEPROM 产品，率先通过高通平台测试认证，成功导入多个终端并实现量产。根据 web-feet 统计，2019 年公司 EEPROM 产品市场份额排名为国内第一、全球第三；NOR Flash 方面，公司产品全面依照车规标准设计，具有更可靠的性能和更强

75、的温度适应能力，产品耐擦写次数达 20 万次以上，适应温度-40125，并在功耗、数据传输速度、ESD 及 LU 等关键指标方面达到业界领先水平。2022 年四季度，公司首批 512Kb4Mb 的 NOR 产品通过 AEC-Q100 Grade 1 车规电子可靠性试验。未来公司将进一步开发更高容量的 NOR Flash 产品，不断0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20182019202020212022音圈马达驱动芯片智能卡芯片EEPROM其他-40%-20%0%20%40%60%80%100%024681012201820192020202120222023H

76、1营业收入（亿元）同比-100%-50%0%50%100%150%200%250%00.511.522.533.54201820192020202120222023H1归母净利润（亿元）同比Table_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 20/21 证券研究报告 完善产品布局；音圈马达驱动芯片领域，公司开环式音圈马达驱动芯片具有聚焦时间短、体积小、误差率低等优点，并基于 EEPROM 的技术优势，自主研发了集成音圈马达驱动芯片与 EEPROM 二合一产品，未来将实现向闭环和光学防抖音圈马达驱动芯片等更高附加值领域拓展；智能卡芯片领域，公司产品是将 E

77、EPROM 技术与下游特定应用相结合的专用芯片，包括 CPU 卡系列、逻辑卡系列、高频 RFID 系列、NFC Tag 系列和 Reader 系列。面对不断变化的下游市场，公司将重点开发新一代非接触逻辑加密卡芯片、新一代 RFID 标签芯片以及超高频 RFID 标签芯片产品。图表图表 38 聚辰股份产品进展聚辰股份产品进展 产品类型 产品进展 EEPROM 2022 年推出全球首款 1.2V 智能手机摄像头 EEPROM 产品，率先通过高通认证并导入多个终端项目、实现量产；与澜起合作开发配套新一代 DDR5 内存条的 SPD 产品，内置 SPD EEPROM；目前拥有 A1 及以下等级的全系列

78、汽车级 EEPROM 产品 NOR Flash 全面依照车规标准设计，具有更可靠的性能和更强的温度适应能力，首批 512Kb-4Mb 容量的 NOR Flash 产品已于 2022Q4 通过权威机构的 AEC-Q100 Grade 1 车规电子可靠性试验验证 音圈马达驱动芯片 基于在 EEPROM 领域的技术优势，自主研发了集成音圈马达驱动芯片与 EEPROM二合一产品，并与头部手机厂商合作开发了整体控制性能更佳的闭环式和光学防抖音圈马达驱动芯片产品，部分产品已小批量向目标客户送样测试 智能卡芯片 积极推广芯片面积更小、读写性能更优、灵敏度更高的新一代智能卡芯片产品，主要产品包括双界面 CPU

79、 卡芯片、非接触式/接触式 CPU 卡芯片、非接触式/接触式逻辑卡芯片、RFID 芯片、读卡器芯片等 资料来源：公司 2022 年报，华安证券研究所 风险提示：风险提示：下游复苏不及预期风险、存储价格反弹不及预期风险、龙头减产不及预期风险。Table_CompanyRptType 行业研究行业研究 敬请参阅末页重要声明及评级说明 21/21 证券研究报告 Table_Introduction 分析师与研究助理简介分析师与研究助理简介 分析师：分析师：陈耀波，华安证券电子行业首席分析师。北京大学金融管理双硕士，有工科交叉学科背景。曾就职于广发资管，博时基金投资部等，具有 8 年买方投研经验 Ta

80、ble_Reputation 重要声明重要声明 分析师声明分析师声明 本报告署名分析师具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格，以勤勉的执业态度、专业审慎的研究方法，使用合法合规的信息，独立、客观地出具本报告，本报告所采用的数据和信息均来自市场公开信息，本人对这些信息的准确性或完整性不做任何保证，也不保证所包含的信息和建议不会发生任何变更。报告中的信息和意见仅供参考。本人过去不曾与、现在不与、未来也将不会因本报告中的具体推荐意见或观点而直接或间接收任何形式的补偿，分析结论不受任何第三方的授意或影响，特此声明。免责声明免责声明 华安证券股份有限公司经中国证券监督管理委员会批准，已具备证券投资

81、咨询业务资格。本报告由华安证券股份有限公司在中华人民共和国（不包括香港、澳门、台湾）提供。本报告中的信息均来源于合规渠道，华安证券研究所力求准确、可靠，但对这些信息的准确性及完整性均不做任何保证。在任何情况下，本报告中的信息或表述的意见均不构成对任何人的投资建议。在任何情况下，本公司、本公司员工或者关联机构不承诺投资者一定获利，不与投资者分享投资收益，也不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致的任何损失负任何责任。投资者务必注意，其据此做出的任何投资决策与本公司、本公司员工或者关联机构无关。华安证券及其所属关联机构可能会持有报告中提到的公司所发行的证券并进行交易，还可能为这些公司提供投资银行服

82、务或其他服务。本报告仅向特定客户传送，未经华安证券研究所书面授权，本研究报告的任何部分均不得以任何方式制作任何形式的拷贝、复印件或复制品，或再次分发给任何其他人，或以任何侵犯本公司版权的其他方式使用。如欲引用或转载本文内容，务必联络华安证券研究所并获得许可，并需注明出处为华安证券研究所，且不得对本文进行有悖原意的引用和删改。如未经本公司授权，私自转载或者转发本报告，所引起的一切后果及法律责任由私自转载或转发者承担。本公司并保留追究其法律责任的权利。Table_RankIntroduction 投资评级说明投资评级说明 以本报告发布之日起 6 个月内，证券（或行业指数）相对于同期相关证券市场代表

83、性指数的涨跌幅作为基准，A股以沪深 300 指数为基准；新三板市场以三板成指（针对协议转让标的）或三板做市指数（针对做市转让标的）为基准；香港市场以恒生指数为基准；美国市场以纳斯达克指数或标普 500 指数为基准。定义如下：行业评级体系行业评级体系 增持未来 6 个月的投资收益率领先市场基准指数 5%以上;中性未来 6 个月的投资收益率与市场基准指数的变动幅度相差-5%至 5%;减持未来 6 个月的投资收益率落后市场基准指数 5%以上;公司评级体系公司评级体系 买入未来 6-12 个月的投资收益率领先市场基准指数 15%以上；增持未来 6-12 个月的投资收益率领先市场基准指数 5%至 15%；中性未来 6-12 个月的投资收益率与市场基准指数的变动幅度相差-5%至 5%；减持未来 6-12 个月的投资收益率落后市场基准指数 5%至 15%；卖出未来 6-12 个月的投资收益率落后市场基准指数 15%以上；无评级因无法获取必要的资料，或者公司面临无法预见结果的重大不确定性事件，或者其他原因，致使无法给出明确的投资评级。