【国金证券】计算机行业研究：电RAM与DRAM对比分析-260620（11页）.pdf

1、电RAM与DRAM对比分析行业观点电容是算力系统的电RAM，这一比喻正在从叙事走向工程现实。我们在电容系列第一篇（5月16日）即提出电容是新的电RAMHBM是数据的缓冲、电容是能量的缓冲。电RAM与DRAM的相似之处主要有以下几点：存储系统的DRAM刷新缓存层级容量墙，分别对应电容在AI供电系统中的充放电响应多级时间常数容量配置。二者在系统角色、层级结构、量价驱动上高度同构，并非只是修辞上的相似。算力越强，对电能缓冲的依赖越深，正如算力越强对数据缓冲的依赖越深这是电容需求脱离按GPU颗数线性外推的根本原因。电容体系是一张按时间常数分层的缓冲网络，每一类电容对应一个供电时间尺度。沿着从芯片到电网

2、的方向，硅电容在封装内承担亚纳秒级瞬态去耦，MLCC在板级承担纳秒级高频去耦，MLPC（多层聚合物电容）在板级承担微秒级中高频滤波与储能、并在高容值区间替代多颗MLCC，牛角铝电解电容在电源模块承担微秒至毫秒级的稳压削峰，超级电容与锂离子电容在机柜侧承担毫秒至秒级的备电与功率缓冲，薄膜电容则在高压直流母线承担纹波吸收。这套时间常数阶梯与DRAM/SRAM/寄存器的访问延迟阶梯在结构上高度对应：越靠近运算核心，响应越快、单位价值越高、技术壁垒越陡。这意味着AI供电升级不是某一类电容的单点放量，而是整张缓冲网络的同步加密。市场对电容需求的认知，仍停留在白区，而真正的增量大量发生在灰区。过去多数测算

3、只覆盖电源模块（PSU）内部、即靠近服务器与机柜的白区用量；但随着机柜功率向兆瓦级演进、供电架构走向800V高压直流（HVDC）与固态变压器（SST），从电网接入到机柜之间的多级降压、配电、电容箱、PowerRack等灰区环节，同样需要大量电容承担稳压与缓冲。换言之，电容用量的扩张是系统级的，既在白区加密、也在灰区铺开。若仅按白区口径测算，对真实需求存在系统性低估这正是我们持续强调数量随功率增长、结构随电压架构迁移的原因。量随功率增长，价随结构升级，电容正进入量价齐升的兑现期。需求侧，GPU出货保持高增长，单GPU功率与供电复杂度抬升带动单卡电容价值量提升，叠加冗余与结构系数，需求弹性显著高于

4、GPU颗数增速；供给侧，高端铝箔、活性炭等关键材料受限，海外厂商扩产文化偏保守，国产高自供率、强工程能力的厂商获得份额与定价窗口。价格侧，传统铝电解电容下半年进入涨价通道，日系大厂已相继发函调涨，AI高端新品则按重定价逻辑兑现更陡的价值量提升。相关标的1）电容：江海股份、东阳光、火炬电子、海星股份、祥和实业、万裕科技、元力股份、思源电气、艾华集团等。2）MLCC：三环集团、风华高科、洁美科技、博纤新材、国瓷材料、火炬电子、力源信息、雅创电子、商络电子、利和兴、信维通信等。3）SST：四方股份、金盘科技、阳光电源、可立克、京泉华等。4）SST需要用到的SiC：天岳先进、晶升股份、宇晶股份、三安光

5、电等。上游高端材料保供风险；客户验证与导入不及预期风险；产能指标与审批风险；价格回落风险；海外厂商扩产与同业竞争风险；需求测算偏乐观风险。一、电RAM不是比喻：电容与DRAM在系统角色上高度同构我们把电容比作电RAM，主要系电RAM与DRAM高度相似的逻辑同构，即HBM是算力的数据缓冲，电容是算力的能量缓冲。1.1同构一：DRAM要刷新，电容要充放电，都是为运算提供即时缓冲DRAM的物理本质是用电容存储电荷来表示数据，电荷会泄漏，因此必须周期性刷新。AI供电系统中的电容，物理本质是充放电在GPU瞬时拉载时放电补能、在负载回落时充电储能，周期性地为运算核心平电压波动。二者在物理层面共享同一个器件

6、原理（电荷的存储与释放），在系统层面承担同一个角色：为高速运算提供够快、够近的即时缓冲，弥补主供给（DRAM之于硬盘、电容之于电源）响应不够快的短板。这一同构决定了一个关键推论：运算越快、功率密度越高，对缓冲的快和近要求越苛刻。AI服务器实际运行功率与标称功率之间存在较大差异，高负载下的功率波动、电压波动若得不到即时缓冲，可能直接导致系统不稳定甚至宕机。这与内存带宽不足会拖累算力释放是同一类问题能量质量环节必须与算力同步补强。产业界对此有一个贴切的类比：算力系统中存储不够时必须先扩存储，AI服务器要稳定释放算力，电能质量环节也必须同步补强；若原有方案存在欠配，新一代平台还会出现补课式的需求增长